技术特征：
技术总结
本发明属于光电探测器领域，公开了一种光电探测器的制备方法，包括：帽层表面涂抹硒化锑薄膜，硒化锑薄膜为经过后硒化处理的硒化锑薄膜；在光敏区上淀积2.2μm的ZnO薄膜作为增透膜。本发明的ZnO薄膜在可见光区，光透过率大于85％，在适当的掺杂之下，Zn0薄膜表现出很好的低阻特征，是一种理想的透明导电薄膜；利用ZnO薄膜的宽禁带和高光电导特性，大大拓宽了Zn0薄膜在该领域的应用；MOCVD生长的光电探测器具有很高的响应速率；后硒化处理的硒化锑薄膜在不损失响应度的情况下光暗电流大幅度提升，比探测率也有所提升，大大提高了探测器的性能，具有较好的应用前景。
技术研发人员：曹东波
受保护的技术使用者：湖南商学院
技术研发日：2017.06.20
技术公布日：2017.10.20