技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，方法包括：提供一衬底；于衬底上形成栅极结构；于衬底上形成贴附于栅极结构外侧壁的间隔结构，并于衬底上形成贴附于间隔结构外侧壁的接触导电层，其中，间隔结构至少包括第一间隔层及第二间隔层，第一间隔层形成于栅极结构的外侧壁上，第二间隔层形成于第一间隔层的外表面上，第一间隔层与第二间隔层具有不同的介电常数。通过上述方案，本发明的半导体器件结构可以通过间隔结构的优化，降低器件结构中所衍生的寄生电容，从而改善接触导电层电阻恶化的问题，改善器件性能；本发明的半导体器件结构的制备工艺简单，兼容性强，适于大规模工业生产。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2017.09.22