技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体存储装置的形成方法，其包含以下步骤。首先，提供基底，其具有存储区，并且，在基底的存储区内形成朝向第一方向延伸的多条位线，各位线的两侧包含三层的侧壁结构。接着，在基底的存储区内形成多个第一插塞，第一插塞位于各位线的两侧，并且，形成分别对位并接触第一插塞的多个导电图案。然后，在形成导电图案后，进行一化学反应制作工艺，改质三层的侧壁结构中的第二层。最后，进行一热处理制作工艺，完全移除第二层，以在三层的侧壁结构中形成空隙层。
技术研发人员：张翊菁;张峰溢;李甫哲;陈界得
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2019.01.15