技术特征：
技术总结
本发明提供一种输入输出器件和集成电路及制造方法，所述输入输出器件的多层功函数层在输入输出区的栅极开口底部横向上的覆盖情况不一致，即形成了在输入输出区的金属栅电极层底部横向上不均匀分布的多层功函数层，可以减小输入输出器件的源漏区靠近其金属栅极叠层结构的界面处的电场，大大改善了输入输出器件的GIDL效应，进而有效减少输入输出器件的漏电流，提高了输入输出器件及整个集成电路的可靠性。
技术研发人员：蒲月皎;吴永皓
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2019.01.15