阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

背景技术：

氧化物半导材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透光和成本低等优势，被认为是最适合驱动有机发光二极管(英文：organiclight-emittingdiode；简称：oled)的薄膜晶体管(英文：thin-filmtransistor；简称：tft)的半导体有源材料之一，采用氧化物半导体制成的tft称为氧化物tft，目前氧化物tft已广泛地应用在oled显示面板中。

由于顶栅型tft寄生效应较少，因此目前大部分氧化物tft均是顶栅型tft，其中，寄生效应是指tft中的栅极与源漏极之间形成寄生电容的现象。例如，请参考图1-1，图1-1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板可以包括：衬底基板01、遮挡层02、缓冲层03、有源层04、栅绝缘图形05、栅极图形06、层间绝缘层07和源漏极图形08，该有源层04可被分为栅控区域041、轻掺杂漏极(英文：lightlydopeddrain；简称：ldd)区域042和导体化区043，其中，有源层04中栅极图形06在有源层04上的正投影的区域为栅控区域041，有源层04中未被栅绝缘图形05在有源层04上的正投影覆盖的区域为导体化区域043，有源层04中导体化区域043与栅控区域041之间的区域为ldd区域042。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

如图1所示，由于受到制造工艺的影响，栅绝缘图形05和栅极图形06在有源层04上的正投影面积依次减小，导致ldd区域042的宽度d01增大，因此寄生电阻较大，进而导致tft的开态电流较小。

技术实现要素：

为了解决现有技术的tft的开态电流较小问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成有源层；

在所述有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形；

在所述栅极图形上依次形成层间绝缘层和源漏极图形；

其中，所述第一栅绝缘图形的上表面形成有凸起结构，所述栅极图形的下表面形成有与所述凸起结构形状匹配的凹槽结构，所述栅极图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一栅绝缘图形在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述在所述有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形，包括：

在所述有源层上形成栅绝缘层薄膜；

对所述栅绝缘层薄膜执行一次构图工艺，以形成第二栅绝缘图形；

在所述第二栅绝缘图形上形成栅极薄膜；

对所述栅极薄膜和所述第二栅绝缘图形执行一次构图工艺，以形成所述栅极图形和所述第一栅绝缘图形；

其中，所述第二栅绝缘图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，所述有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一栅绝缘图形在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述对所述栅绝缘层薄膜执行一次构图工艺，以形成第二栅绝缘图形，包括：

在所述栅绝缘层薄膜上涂覆第一光刻胶；

通过栅极掩膜版对所述第一光刻胶进行第一曝光处理和第一显影处理，以形成第一光刻胶图形；

对所述栅绝缘层薄膜进行第一刻蚀处理，以形成带有所述第一光刻胶图形的第二栅绝缘图形；

剥离所述第一光刻胶图形，得到所述第二栅绝缘图形。

可选的，所述对所述栅极薄膜和所述第二栅绝缘图形执行一次构图工艺，以形成所述栅极图形和所述第一栅绝缘图形，包括：

在所述栅极薄膜上涂覆第二光刻胶；

通过所述栅极掩膜版对所述第二光刻胶进行第二曝光处理和第二显影处理，以形成第二光刻胶图形；

对所述栅极薄膜和所述第二栅绝缘图形进行第二刻蚀处理，以形成带有所述第二光刻胶图形的栅极图形和所述第一栅绝缘图形；

剥离所述第二光刻胶图形，得到所述栅极图形和所述第一栅绝缘图形；

其中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为正性光刻胶，所述第一曝光处理的曝光强度大于所述第二曝光处理的曝光强度以使所述第一光刻胶图形的宽度小于所述第二光刻胶图形的宽度；

或，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为负性光刻胶，所述第一曝光处理的曝光强度小于所述第二曝光处理的曝光强度以使所述第一光刻胶图形的宽度小于所述第二光刻胶图形的宽度。

可选的，所述第二刻蚀处理处理包括：两次刻蚀处理，

所述对所述栅极薄膜和所述第二栅绝缘图形进行第二刻蚀处理，以形成带有所述第二光刻胶图形的栅极图形和所述第一栅绝缘图形，包括：

对所述栅极薄膜进行一次刻蚀处理，以形成带有所述第二光刻胶图形的栅极图形；

对所述第二栅绝缘图形进行一次刻蚀处理，以形成所述第一栅绝缘图形。

可选的，所述在衬底基板上形成有源层之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板上依次形成遮挡层和缓冲层。

第二方面，提供一种阵列基板，包括：

衬底基板；

在所述衬底基板上依次设置有源层、第一栅绝缘图形、栅极图形、层间绝缘层和源漏极图形；

其中，所述第一栅绝缘图形的上表面设置有凸起结构，所述栅极图形的下表面设置有与所述凸起结构形状匹配的凹槽结构，所述栅极图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一栅绝缘图形在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述阵列基板还包括：

在所述衬底基板上依次设置的遮挡层和缓冲层。

可选的，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。

第三方面，提供了一种显示面板，包括：第二方面任一所述的阵列基板。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明实施例提供的阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，通过在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形，由于该第一栅绝缘的上表面形成有凸起结构，栅极图形的下表面形成有与该凸起结构形状匹配的凹槽结构，使得该栅极图形在衬底基板上的正投影可以覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影，有效消除了有源层中的ldd区域，进而有效的减小了寄生电阻，因此有效的提高了tft的开态电流。同时可以有效的降低了源漏极图形发生断裂的概率，且可以有效的提高tft的光稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1-1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；

图1-2是现有技术提供的一种形成带有光刻胶图形的栅极图形的示意图；

图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；

图3-1是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；

图3-2是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成遮挡层和缓冲层的示意图；

图3-3是本发明实施例提供的一种在缓冲层上形成有源层的示意图；

图3-4a是本发明实施例提供的一种在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形的方法流程图；

图3-4b是本发明实施例提供的一种在有源层上形成栅绝缘层薄膜的示意图；

图3-4c是本发明实施例提供的一种形成第二栅绝缘图形的方法流程图；

图3-4d是本发明实施例提供的一种形成第一光刻胶图形示意图；

图3-4e是本发明实施例提供的一种形成带有第一光刻胶图形的第二栅绝缘图形示意图；

图3-4f是本发明实施例提供的一种在第二栅绝缘图形上形成栅极薄膜的示意图；

图3-4g是本发明实施例提供的一种形成栅极图形和第一栅绝缘图形的方法流程图；

图3-4h是本发明实施例提供的一种形成第二光刻胶图形示意图；

图3-4i是本发明实施例提供的一种形成带有第二光刻胶图形的栅极图形和第一栅绝缘图形的方法流程图；

图3-4j是本发明实施例提供的一种形成带有第二光刻胶图形的栅极图形的示例图；

图3-4k是本发明实施例提供的一种形成第一栅绝缘图形的示例图；

图3-5是本发明实施例提供的一种在在栅极图形上依次形成层间绝缘层和源漏极图形的示意图；

图4是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

请参考图1-2，图1-2是现有技术提供的一种形成带有光刻胶图形的栅极图形的示意图，为了减小源漏极图形发生断裂的概率，需要保证栅绝缘图形05两侧的坡度较缓，以及保证栅极图形06两侧的坡度较缓，因此对栅极薄膜上的光刻胶进行曝光处理和显影处理后形成的光刻胶图形a需要具有一定的弧度，再对栅极薄膜进行刻蚀处理后，得到的栅极图形06两侧的坡度较缓，采用相同的制作原理也可以使得栅绝缘图形05两侧的坡度较缓，因此栅绝缘图形05和栅极图形06在有源层04上的正投影面积依次减小，最终导致tft的开态电流较小。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，如图2所示，图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板的制造方法可以包括：

步骤201、在衬底基板上形成有源层。

步骤202、在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形。

步骤203、在栅极图形上依次形成层间绝缘层和源漏极图形。

其中，第一栅绝缘图形的上表面形成有凸起结构，栅极图形的下表面形成有与凸起结构形状匹配的凹槽结构，栅极图形在衬底基板上的正投影覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形，由于该第一栅绝缘的上表面形成有凸起结构，栅极图形的下表面形成有与该凸起结构形状匹配的凹槽结构，使得该栅极图形在衬底基板上的正投影可以覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影，有效消除了有源层中的ldd区域，进而有效的减小了寄生电阻，因此有效的提高了tft的开态电流。

请参考图3-1，图3-1是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，该阵列基板的制造方法可以包括：

步骤301、在衬底基板上依次设置的遮挡层和缓冲层。

实际应用中，本发明实施例提供的阵列基板中的有源层位于比较靠下的层面，该有源层容易受到来自于衬底基板下方的外界光源的照射，导致tft的阈值电压产生非常严重的漂移，因此在有源层下方设置的遮挡层可以有效的对有源层进行遮挡，从而避免了外界光源的照射，避免了tft的阈值电压产生严重的漂移，进而有效的提高了tft的光稳定性。

示例的，请参考图3-2，图3-2是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成遮挡层和缓冲层的示意图，在衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成遮挡层薄膜，然后对该遮挡层薄膜通过一次构图工艺形成遮挡层12，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；在形成有遮挡层12的衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成缓冲层13。

步骤302、在缓冲层上形成有源层。

可选的，该有源层的材料可以为铟镓锌氧化物(英文：indiumgalliumzincoxide；简称：igzo)、氧化铟锡(英文：indiumtinoxide；简称：ito)或掺铟氧化锌(英文：indium-dopedzincoxide；简称：izo)等。

示例的，请参考图3-3，图3-3是本发明实施例提供的一种在缓冲层上形成有源层的示意图。在形成有缓冲层13的衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成有源层薄膜，然后对该有源层薄膜通过一次构图工艺形成有源层14，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

步骤303、在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形。

示例的，请参考图3-4a，图3-4a是本发明实施例提供的一种在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形的方法流程图，该方法可以包括：

步骤3031、在有源层上形成栅绝缘层薄膜。

可选的，该栅绝缘层薄膜的材质可以为二氧化硅、氮化硅或者高介电常数材料等。

示例的，请参考图3-4b，图3-4b是本发明实施例提供的一种在有源层上形成栅绝缘层薄膜的示意图，在形成有有源层13的衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成栅绝缘层薄膜151。

步骤3032、对栅绝缘层薄膜执行一次构图工艺，以形成第二栅绝缘图形。

示例的，请参考图3-4c，图3-4c是本发明实施例提供的一种形成第二栅绝缘图形的方法流程图，该方法可以包括：

步骤a1、在栅绝缘层薄膜上涂覆第一光刻胶。

可选的，该第一光刻胶可以为正性光刻胶。

步骤a2、通过栅极掩膜版对第一光刻胶进行第一曝光处理和第一显影处理，以形成第一光刻胶图形。

示例的，请参考图3-4d，图3-4d是本发明实施例提供的一种形成第一光刻胶图形示意图，在形成有第一光刻胶的衬底基板11上通过栅极掩膜版对第一光刻胶进行第一曝光处理和第一显影处理，以形成第一光刻胶图形a1。

步骤a3、对栅绝缘层薄膜进行第一刻蚀处理，以形成带有第一光刻胶图形的第二栅绝缘图形。

示例的，请参考图3-4e，图3-4e是本发明实施例提供的一种形成带有第一光刻胶图形的第二栅绝缘图形示意图，在形成有第一光刻胶图形a1的衬底基板11上对栅绝缘层薄膜进行第一刻蚀处理，以形成带有第一光刻胶图形a1的第二栅绝缘图形152。在本发明实施例中，对栅绝缘层薄膜进行第一刻蚀处理时，可以将衬底基板11上未被第一光刻胶图形a1覆盖的栅绝缘层薄膜进行部分刻蚀，使得在衬底基板11上仍留有一定厚度的栅绝缘层材料，也即是，第一刻蚀处理时所刻蚀的栅绝缘层材料的厚度d1小于第二栅绝缘图形152刻蚀之前(也即栅绝缘层薄膜)的厚度d2。

步骤a4、剥离第一光刻胶图形，得到第二栅绝缘图形。

在本发明实施例中，第二栅绝缘图形在衬底基板上的正投影覆盖有源层在衬底基板上的正投影。

步骤3033、在第二栅绝缘图形上形成栅极薄膜。

可选的，栅极薄膜可以采用金属材料形成，例如，栅极薄膜采用金属钼(简称：mo)、金属铜(简称：cu)、金属铝(简称：al)或合金材料制造而成。

示例的，请参考图3-4f，图3-4f是本发明实施例提供的一种在第二栅绝缘图形上形成栅极薄膜的示意图，在形成有第二栅绝缘图形152的衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成栅极薄膜161。

步骤3034、对栅极薄膜和第二栅绝缘图形执行一次构图工艺，以形成栅极图形和第一栅绝缘图形。

示例的，请参考图3-4g，图3-4g是本发明实施例提供的一种形成栅极图形和第一栅绝缘图形的方法流程图，该方法可以包括：

步骤b1、在栅极薄膜上涂覆第二光刻胶。

可选的，该第二光刻胶可以为正性光刻胶。

步骤b2、通过栅极掩膜版对第二光刻胶进行第二曝光处理和第二显影处理，以形成第二光刻胶图形。

示例的，请参考图3-4h，图3-4h是本发明实施例提供的一种形成第二光刻胶图形示意图，在形成有第二光刻胶的衬底基板11上通过栅极掩膜版对第二光刻胶进行第二曝光处理和第二显影处理，以形成第二光刻胶图形a2。

步骤b3、对栅极薄膜和第二栅绝缘图形进行第二刻蚀处理，以形成带有第二光刻胶图形的栅极图形和第一栅绝缘图形。

在本发明实施例中，该第二刻蚀处理处理可以包括：两次刻蚀处理。示例的，请参考图3-4i，图3-4i是本发明实施例提供的一种形成带有第二光刻胶图形的栅极图形和第一栅绝缘图形的方法流程图，该方法可以包括：

步骤b31、对栅极薄膜进行一次刻蚀处理，以形成带有第二光刻胶图形的栅极图形。

示例的，请参考图3-4j，图3-4j是本发明实施例提供的一种形成带有第二光刻胶图形的栅极图形的示例图，在形成有第二光刻胶图形a2的衬底基板11上对栅极薄膜进行一次刻蚀处理，以形成带有第二光刻胶图形a2的栅极图形16。在本发明实施例中，对栅极薄膜进行一次刻蚀处理时，可以将衬底基板11上未被第二光刻胶图形a2覆盖的栅极薄膜进行全部刻蚀，以形成带有第二光刻胶图形a2的栅极图形16。

步骤b32、对第二栅绝缘图形进行一次刻蚀处理，以形成第一栅绝缘图形。

示例的，请参考图3-4k，图3-4k是本发明实施例提供的一种形成第一栅绝缘图形的示例图，在形成有带有第二光刻胶图形b2的栅极图形16的衬底基板11上对第二栅绝缘图形进行一次刻蚀处理，以形成第一栅绝缘图形15。在本发明实施例中，对第二栅绝缘图形进行一次刻蚀处理时，可以将衬底基板11上未被第栅极图形16覆盖的第二栅绝缘图形进行全部刻蚀，以形成第一栅绝缘图形15。

步骤b4、剥离第二光刻胶图形，得到栅极图形和第一栅绝缘图形。

在本发明实施例中，有源层在衬底基板上的正投影覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影。

需要说明的是，由于步骤b32刻蚀的栅绝缘层材料的厚度较小，刻蚀之后的第一栅绝缘图形两侧不存在坡度，因此栅极图形16在衬底基板11上的正投影可以覆盖第一栅绝缘图形15在衬底基板11上的正投影。

实际应用中，上述步骤a2形成的第一光刻胶图形a1的宽度d3小于步骤b2形成的第二光刻胶图形a2的宽度d4，可以使得步骤303后得到的第一栅绝缘图形15的上表面形成有凸起结构，栅极图形16的下表面形成有与凸起结构形状匹配的凹槽结构。由于第一光刻胶与第二光刻胶均为正性光刻胶，因此需要保证步骤a2中第一曝光处理的曝光强度需要大于步骤b2中第二曝光处理的曝光强度。

需要说明的是，本发明实施例是以第一光刻胶与第二光刻胶均为正性光刻胶为例进行示意性说明的，实际应用中，第一光刻胶与第二光刻胶还可以均为负性光刻胶，此时步骤a2中第一曝光处理的曝光强度需要小于步骤b2中第二曝光处理的曝光强度，以使第一光刻胶图形的宽度小于第二光刻胶图形的宽度，本发明实施例对第一光刻胶与第二光刻胶的材料不做具体限定，但为了简化工艺需要保证第一光刻胶与第二光刻胶的材料相同，此时在形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形时可以采用相同的掩膜版。

步骤304、在栅极图形上依次形成层间绝缘层和源漏极图形。

可选的，该层间绝缘层的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者高介电常数材料等，该有漏极图形的材料可以为金属材料形成，例如，源漏极图形可以采用金属mo、金属cu、金属al或合金材料制造而成。

示例的，请参考图3-5，图3-5是本发明实施例提供的一种在在栅极图形上依次形成层间绝缘层和源漏极图形的示意图，在形成有栅极图形16的衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成层间绝缘层薄膜，然后对该层间绝缘层薄膜通过一次构图工艺形成层间绝缘层17，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离；在形成有层间绝缘层17的衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成源漏极薄膜，然后对该源漏极薄膜通过一次构图工艺形成源漏极图形18，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。

实际应用中，经过上述实施例的步骤之后可以制造出阵列基板，示例的，请参考图4，图4是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，由于第一栅绝缘图形15的上表面形成有凸起结构，栅极图形16的下表面形成有与凸起结构形状匹配的凹槽结构，栅极图形16的两端到有源层14的距离较小，因此有效的提高了栅极图形16对有源层14中的栅控区域141的控制能力，进一步的提高了tft的开态电流。在本发明实施例中，在消除了有源层14中的ldd区域的前提下，可以通过改变工艺在形成栅极图形16时，使得栅极图形16两侧的坡度较缓，进而提高了沉积中间绝缘层17的平整度，从而有效的降低了源漏极图形18发生断裂的概率。

在现有技术中，如图1-1所示，当该阵列基板设置在oled显示面板中时，oled显示面板中的发光层发出的光线l可能会通过栅极绝缘层05的侧面射到有源层04中的栅控区域041中，此时tft的阈值电压产生非常严重的漂移，进而导致tft的光稳定性较低。

而在本发明实施例中，请参考图4，当该阵列基板设置在oled显示面板中时，由于第一栅绝缘图形15的上表面形成有凸起结构，栅极图形16的下表面形成有与凸起结构形状匹配的凹槽结构，且栅极图形16不透光，oeld显示面板中的发光层发出的光线l被栅极图形16的侧面遮挡，因此可以有效的避免光线l射到有源层14中的栅控区域141中，避免了tft的阈值电压产生严重的漂移，进而有效的提高了tft的光稳定性。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形，由于该第一栅绝缘的上表面形成有凸起结构，栅极图形的下表面形成有与该凸起结构形状匹配的凹槽结构，使得该栅极图形在衬底基板上的正投影可以覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影，有效消除了有源层中的ldd区域，进而有效的减小了寄生电阻，因此有效的提高了tft的开态电流。同时可以有效的降低了源漏极图形发生断裂的概率，且可以有效的提高tft的光稳定性。

本发明实施例还提供一种阵列基板，该阵列基板的结构可以参考图4，该阵列基板可以包括：

衬底基板11。

在衬底基板11上依次设置有源层14、第一栅绝缘图形15、栅极图形16、层间绝缘层17和源漏极图形18。

其中，第一栅绝缘图形15的上表面设置有凸起结构，栅极图形16的下表面设置有与凸起结构形状匹配的凹槽结构，栅极图形15在衬底基板11上的正投影覆盖第一栅绝缘图形16在衬底基板11上的正投影。

可选的，如图4所示，该阵列基板还可以包括：在衬底基板11上依次设置的遮挡层12和缓冲层13。

可选的，该有源层的材料为igzo、ito或izo等。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的阵列基板具体制造过程以及阵列基板的具体原理，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过在有源层上依次设置第一栅绝缘图形和栅极图形，由于该第一栅绝缘的上表面设置有凸起结构，栅极图形的下表面设置有与该凸起结构形状匹配的凹槽结构，使得该栅极图形在衬底基板上的正投影可以覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影，有效消除了有源层中的ldd区域，进而有效的减小了寄生电阻，因此有效的提高了tft的开态电流。同时可以有效的降低了源漏极图形发生断裂的概率，且可以有效的提高tft的光稳定性。

本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述实施例中的任意一种阵列基板。显示装置可以为：液晶面板、oled显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。