有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年8月31日提交的韩国专利申请第10-2016-0112244号的权益，其通过引用被合并到本文中，如同在本文中充分阐述一样。

本公开内容涉及有机发光显示装置，并且更具体地涉及具有能够防止由于上基板与下基板之间的对准公差而导致的开口率降低和漏光的改进结构的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。

背景技术：

近年来，随着信息时代的到来，提供视频图像和动态(active)网页的显示器领域迅速发展。相应地，已经开发了具有优异性能例如超薄设计、重量轻和功耗低的各种平板(flat)显示装置，并且这些平板显示装置已经迅速取代了常规的阴极射线管(crt)。

当前的平板显示装置可以包括液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)、场发射显示器(fed)和有机发光显示器(oled)。

在上述之中，oled被认为是有竞争力的方案(approach)，因为其不需要单独的光源，并且可以是能够精确再现颜色的紧凑的装置设计。

oled在子像素中包括为自发光元件的有机发光二极管，并且通过每个子像素的有机发光二极管的操作来显示图像。由于有机发光二极管是可用于照明装置和显示装置的自发光元件，所以有机发光二极管的发展近来在照明工业中引起了关注。此外，由于有机发光二极管不需要单独的光源单元，因此具有易于用于柔性显示装置或透明显示装置的优点。

有机发光二极管包括被布置在阳极和阴极之间的有机发光层。从阳极和阴极分别将空穴和电子注入到有机发光层中，并且在有机发光层上通过电子和空穴的结合形成电子空穴对(exciton)。当电子空穴对从激发态跃迁到基态时，从有机发光二极管发射光。

在下文中，将对常规的有机发光显示装置的结构及其问题进行描述。

图1是示出了常规的有机发光显示装置的有机发光二极管的剖视图，图2是示出了在应用图1的结构的常规的有机发光显示装置中以未对准方式形成堤的情况下有机发光二极管的构造的剖视图。

如图1所示，常规的有机发光显示装置被构造成使得第一基板10被分割成多个子像素区域并且在每个子像素中包括有机发光二极管。有机发光二极管包括第一电极11、被布置成与第一电极11的边缘区域部分交叠的堤坝12、被设置在第一电极11和堤坝12上的有机发光层13、以及被布置在有机发光层13上的第二电极14。

通常，第一电极11和堤坝12通过使用光掩模进行曝光和显影处理来形成。

然而，当发生用于形成堤坝12的掩模的未对准时，如图2所示，堤坝12可以被形成为使得其在一些位置不与第一电极11的边缘区域交叠。在这种情况下，在形成堤坝12之后通过沉积处理而非通过曝光掩模形成的有机发光层13可以被形成如下，应仅沉积在第一电极11的平坦上表面上的气化有机材料由于未对准也与为第一电极11的侧壁的暴露的侧向区域接触。在该位置处，其可以具有相对较小的厚度，或者会太薄以至于在电极11的侧壁上有很少材料或没有材料。有机发光层还可以具有在第一基板10上的一部分。在图2中以标记有字母“a”的虚线圆圈示出了该未对准区域的一个示例。当在形成有机发光层13之后进行第二电极14的沉积时，第二电极14可以与其上薄薄地形成机发光层13或不存在有机发光层13的第一电极11的侧壁或侧向区域接触，这会导致电气短路。

此外，即使在第一电极11的侧向区域上薄薄地形成了有机发光层13，但该区域中的电流浓度会相对增强，因此在其工作时会导致劣化。

同时，虽然未在附图中示出，但为了实现颜色显示，上述有机发光显示装置被构造成使得有机发光层是白色有机发光层并且使得与有机发光层相对地设置第二基板。在第二基板上设置与每个子像素对应的红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层，并且在红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层之间设置相应的黑色矩阵层。具有上述滤色器阵列的第二基板和具有上述有机发光二极管的基板通过在其间插入粘合剂层而彼此接合。

然而，由于形成在对置(counter)基板上的黑色矩阵层、红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层是使用曝光掩模形成的组成部分，所以对置基板需要至少四次单独的曝光掩模。

此外，当第一基板10和第二基板彼此未对准时，设置在滤色器层之间的黑色矩阵层—其为遮光元件—会屏蔽发光区域，这会导致开口率减小。此外，可能会发生当光由于未对准从某个子像素泄漏并通过相邻子像素的滤色器时会导致混色的漏光现象。

技术实现要素：

因此，本公开内容涉及一种基本上消除相关技术的一个或更多个问题的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。

本公开内容的一个目的是提供一种具有能够防止由于上基板和下基板之间的对准误差或允许公差而导致的开口率降低和漏光的结构的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。

本公开内容的另外的优点、目的和特征的一部分将在下面的说明书中得以阐述，而这些另外的优点、目的和特征的一部分则在本领域普通技术人员查阅下文之后变得显见或者可以从本公开内容的实践中得知。本公开内容的目的和其他优点可以通过说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。

根据本公开内容的有机发光显示装置，有机发光二极管的形成以及用于颜色显示的滤色器的形成不需要曝光处理和显影处理，从而减少所需要的掩模的次数。此外，由于滤色器被布置在绝缘膜的凹部(recess)中，因此可以防止由于上基板和下基板之间的对准公差导致的开口率降低和漏光。

为了实现这些目的和其他优点，根据本公开内容的目的，如本文所体现和广义描述的，有机发光显示装置包括：基板，其包括具有用于多个子像素的电路；以及被布置在该基板上的绝缘膜。绝缘膜包括多个凹部和多个平坦表面，每个凹部具有底表面，该底表面具有选定尺寸的已知面积，每个平坦表面被定位为与多个凹部中的对应凹部相邻。包括凹部和平坦表面的对与多个子像素中的每个子像素相对应。在多个子像素中的每个子像素中的每个凹部的底表面上布置有第一电极，以及有机膜被布置在包括被布置在多个凹部中的每个凹部中的第一电极的绝缘膜上。有机膜包括有机发光层。在有机膜上布置有第二电极，以及在第二电极上在选定位置处布置有滤色器，滤色器填充多个凹部中的与多个子像素中的每个子像素对应的凹部。优选地，每个滤色器通常具有平坦的顶表面。

在多个子像素中的相邻子像素中，滤色器可以在其侧壁及其侧向部分处彼此接触。

有机发光显示装置还可以包括被布置在滤色器上的保护层。

有机发光显示装置还可以包括被布置在第二电极和滤色器之间的保护层。

每个凹部可以具有围绕底表面的正锥形形状的侧壁，并且有机膜、第二电极和保护层可以沿着绝缘膜的平坦表面以及每个凹部的侧向部分和底表面来形成，并且有机膜、第二电极和保护层中的每一个具有恒定的厚度。

有机膜可以被构造成发射白光。

有机发光显示装置还可以包括对应于基板的多个子像素中的每个子像素而布置的薄膜晶体管，并且绝缘膜还可以包括在每个凹部的底表面下方形成以暴露薄膜晶体管的一部分的接触孔。

每个凹部的底表面可以被定位成使得从绝缘膜的表面到底表面的厚度是绝缘膜的总厚度的一部分。

布置在每个凹部上的保护层可以形成为低于绝缘膜。

在本公开内容的另一方面中，有机发光显示装置包括：基板，其包括多个子像素，以及布置在基板上的绝缘膜。绝缘膜包括多个凹部，每个凹部具有面积和深度已知的底表面。平坦表面被定位成与对应凹部相邻，使得包括凹部和平坦表面的对与多个子像素中的每个子像素相对应。在多个子像素中的每个子像素中的每个凹部的底表面上布置有第一电极。在绝缘膜上布置有有机膜。在每个凹部中布置有第一电极。有机膜包括有机发光层。在有机膜上布置有第二电极。滤色器被定位成覆盖第二电极并填充凹部。在一个实施方式中，每个凹部具有相同的深度。在另一实施方式中，每个凹部具有不同的深度，深度根据凹部中的滤色器和该滤色器的期望光学特性来定制选择。

在本公开内容的另一方面中，一种制造有机发光显示装置的方法包括：准备包括多个子像素的基板，然后在基板上形成绝缘膜，以在绝缘膜中制成凹部。在绝缘膜中的选定位置处形成多个凹槽或凹部。取决于该特定子像素所期望的光学性质，每个凹部的深度可以相同或不同。每个凹部具有底表面，该底表面具有已知的面积。绝缘膜还包括多个平坦表面，每个平坦表面被定位成与相应的凹部相邻，使得包括凹部和平坦表面的对与每个子像素相对应。然后，在每个子像素中的每个凹部的底表面上形成第一电极。在绝缘膜和每个凹部中的第一电极上形成有机膜以包括有机发光层。然后在有机膜上形成第二电极。

形成第一电极可以包括在包括凹部的绝缘膜上以恒定的厚度形成第一电极材料，在第一电极材料上涂覆光敏抗蚀剂，使得其顶表面相对绝缘膜的每个平坦表面具有恒定的高度，通过进行光敏抗蚀剂的灰化使绝缘膜的每个平坦表面上的第一电极材料暴露。这将允许通过使用光敏抗蚀剂作为掩模对于第一电极材料执行蚀刻处理来选择性地去除每个凹部的底表面上的第一电极。

该方法还可以包括在第二电极上涂覆液体型滤色器材料，以填充与子像素对应的凹部中的任何其余深度，然后使液体型滤色器材料硬化。形成具有平坦表面的滤色器可以包括去除滤色器材料。

应当理解，本公开内容的前述概况描述和以下详细描述都仅是示例性的。它们旨在提供对本公开内容的进一步的说明，使得本公开内容可以由本领域技术人员完全理解和实践，而不是对权利要求的范围的限制。

附图说明

附图示出了本公开内容的实施方式并且连同说明书一起用于说明本公开内容的原理，附图被包括以提供对本公开内容的进一步的理解并且被合并在该申请中且构成该申请的一部分。在附图中：

图1是示出了常规现有技术有机发光显示装置的剖视图；

图2是示出了在应用图1中的结构的常规有机发光显示装置中以未对准方式形成堤坝的有机发光二极管的构造的剖视图；

图3是示出了本公开内容的有机发光显示装置的有机发光二极管的剖视图；

图4是示出了根据比较示例的无堤坝结构的问题的剖视图；

图5a至图5h是示出了制造根据各种实施方式的本公开内容的有机发光二极管的方法的剖视图；

图6a是示出了根据一个实施方式的本公开内容的有机发光显示装置的剖视图；

图6b是示出了根据第二实施方式的本公开内容的有机发光显示装置的剖视图；

图7a至图7h是示出了制造本公开内容的有机发光显示装置的方法的剖视图；

图8是本公开内容的有机发光显示装置的平面图；以及

图9是示出了本公开内容的有机发光显示装置中的有机发光二极管和薄膜晶体管之间的电连接的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的示例性实施方式。

借助于示例提供下面将描述的本公开内容的示例性实施方式，使得可以向本公开内容所属的领域中的普通技术人员充分传达本公开内容的思想。因此，本公开内容不限于本文所阐述的示例性实施方式，而是可以以多种不同的形式被修改。在附图中，为了方便和清楚起见，可以扩大元件的宽度、长度、厚度等。尽可能地，将贯穿附图使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。

根据下面参照附图详细描述的实施方式，本公开内容的优点和特征以及用于实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容可以以多种不同的形式来实施，而不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式，使得本公开内容是透彻和完整的，并且向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。本公开内容仅由权利要求的范围来限定。

应当理解，当一个元件例如层、膜、区域或基板被称为在另一元件“之上(on)”或者“覆盖(overlying)”另一元件时，其可以直接在另一元件之上，或者也可以存在中间元件。另一方面，当一个元件例如层、膜、区域或基板被称为“直接在另一元件之上”时，这表示它们之间不存在中间元件。

为了便于描述在本文中可以使用空间相对术语“下面(below)”、“在…下方(beneath)”、“低于(lower)”、“之下(under)”、“上面(above)”、“之上(upper)”、“覆盖(overlying)”、“上方(over)”等来描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。应当理解，除了附图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖使用中或操作中的装置的不同取向。例如，在图中所示的装置翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“下方”的装置可以被放置在另一装置“上面”。因此，说明性术语“下面”可以包括下位置和上位置。

本文使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而不意在限制本公开内容。如本文所使用的，除非上下文另有明确指出，否则单数形式也旨在包括复数形式。应当进一步理解的，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。

本公开内容的有机发光显示装置可以具有仅在像素阵列区域中示出的横截面，在该像素阵列区域中，包括构成部件的基板以平面方式进行显示。还存在位于像素阵列区域周围的连接和电结构的周围区域。像素阵列区域被构造成使得在每个子像素处设置有机发光二极管和与有机发光二极管电连接的薄膜晶体管。基板的周围区域可以包括电连接至有机发光二极管和薄膜晶体管的焊盘区域、像素地址缓冲器以及电连接至焊盘区域以从外部接收信号并将像素选择信号发送至阵列中的各个像素的电路单元。

图3是示出了本公开内容的有机发光显示装置的有机发光二极管的剖视图。

如图3所示，本公开内容的有机发光显示装置包括基板100，该基板100包括多个子像素sp。在基板100上布置有绝缘膜110。绝缘膜110包括多个凹部110a，每个凹部110a具有面积已知的底表面和平坦的侧壁表面。与相应的凹部相邻地定位有分隔壁110c，使得包括凹部和分隔壁的对与每个子像素相对应。优选地，该分隔壁具有顶部平坦表面，但这不是必需的。在每个子像素中的凹部110a的底表面上布置有第一电极111。在绝缘膜110和第一电极111上布置有包括有机发光层的有机膜112。在有机膜112上布置有第二电极113。

在此，绝缘膜110在其顶表面处设置有具有侧壁110b的凹部110a。在每个凹部110a之间具有分隔壁110c。该分隔壁可以具有顶部平坦区域，或者在其他实施方式中，分隔壁可以具有其他轮廓或形状。由于凹部110a和分隔壁110c由相同的处理步骤制成，所以它们相对于彼此自对准，并且确保每个凹部通过具有已知宽度的分隔壁110c彼此被分隔开。使用单次掩模同时限定它们二者。凹部110a具有恒定的深度，使得沿着由每个凹部形成的台阶部分(steppedportion)设置有机膜112和第二电极113。为此，绝缘膜110可以具有1至10μm范围的厚度，并且可以由具有优异电绝缘性的材料(例如诸如光丙烯酸(photoacrylic)或苯并环丁烯(bcb)的有机材料)制成。绝缘膜110可以由透明材料或者有色或黑色遮光材料制成。在顶部发射型阵列中使用遮光材料用于绝缘膜110会更有利。

可以理解，像素阵列可以是通过电极113从顶表面发射光的类型。可替代地，其可以通过基板100发射光，并且因此是底部发光阵列。在像素阵列是顶部发光阵列的设计中，基板100及其绝缘膜110与电极111一起可以是不透明材料。在一个实施方式中，电极111与绝缘膜110的其他部分一起可以包括光反射层，以使通过电极113从顶表面输出的光量最大化。可替代地，如果像素阵列是底部发光阵列，则绝缘膜110以及基板100由透明材料制成，电极111也由透明材料制成。在本领域中，形成透明电极的材料是众所周知的，形成透明电绝缘层和基板的材料也是众所周知的，并且可以在本文所描述的实施方式中使用这些材料中的任一种材料。

绝缘膜110也称为外涂层，其以其覆盖被布置在其下方的薄膜晶体管阵列并使薄膜晶体管阵列平坦化的功能而命名。

每个凹部110a的底表面具有选定的面积并且被形成为平坦的。在该底表面上布置有第一电极111。将布置有第一电极111的区域定义为发光区域119。其原因是通过在被布置在每个凹部中的第一电极111上垂直地形成的有机膜112和第二电极113对应于每个子像素形成有机发光二极管。在此，凹部110a对应于子像素彼此分隔开地被设置，并且第一电极111必须位于每个凹部110a的底表面上。因此，能够实现每个子像素的独立操作。每个子像素的非发光区域117对应于它们之间的分隔壁。在图3所示的实施方式中，每个凹部被示为具有相同的宽度和相同的深度。每个凹部将对应于特定的子像素，例如红色、绿色、蓝色、白色或其他颜色。在一些实施方式中，期望每个子像素具有相同的面积。在这种情况下，每个凹部110a的占用(footprint)面积将相同，使得每个子像素的每个电极111的面积相同。在其他实施方式中，期望使占用面积即每个子像素的凹部的底部的面积不同。例如，可能会希望蓝色子像素的面积比绿色子像素的面积稍大一些，并且其二者的面积均比红色子像素的面积稍大一些。

像素可以由各种不同的子像素组成；在一个实施方式中，子像素为红色、绿色和蓝色，而在其他实施方式中，子像素可以是红色、绿色、蓝色和白色，并且在其他实施方式中，子像素的不同颜色组合可以构成单个像素。由于使用单次掩模形成凹部，并且掩模的图案将确定凹部的底部的面积，并且因此确定由每个子像素发射的光的面积，因此可以根据特定显示器的期望的操作特性容易地将每个子像素的面积选择成期望的尺寸。

第一电极111可以以单层结构和多层结构中的任一种来形成，这两种结构都可以包括透明电极。在第一电极111以多层结构来形成的情况下，第一电极111可以包括透明电极以及一个或更多个反射电极。当设置有两个或更多个反射电极时，可以将反射电极划分开以被布置在透明电极之上和透明电极之下。

由于有机膜112的形成不需要与每个子像素相对应的沉积掩模，所以有机膜112可以均匀地形成在第一电极111的顶表面、围绕第一电极111的每个凹部110a的侧壁110b以及绝缘膜110的分隔壁110c之上。即，有机膜112可以通过仅部分地与底层一致的处理来形成。

在完全保形(conformal)沉积处理中，正如该术语在半导体制造领域中已知的那样，被沉积的层恰好与沉积有其的层(该层的整个长度具有均匀的厚度)一致。另一方面，一些层仅在沉积处理中部分地一致，并且可以形成在大多数平坦表面上均匀厚度的层，但是在倾斜的侧壁上、在角落处或在陡峭的边缘处，它们可以仅部分一致。在一些实施方式中，它们可以仅部分一致，因此可以在下表面中的倾斜处或陡峭边缘变化处稍微较厚或较薄。用于设置在有机膜112中的发光层的材料和形成技术仅仅是部分保形沉积，即它通常与在平坦区域上沉积其的层110的最上面的暴露表面一致，然而，在一些底层表面的边缘，它不完全一致，因此在某些区域具有不同的厚度。

在这种情况下，由于有机材料被转化为蒸汽状态并被沉积在基板100上，并且仅通常与下层一致，所以优选的是与凹部110a的底表面相邻的侧壁110b具有正锥形形状。其目的是使凹部110a能够更好地发挥作为发光区域的功能。如果凹部110a的侧壁110b形成为大致垂直的，当提供具有仅部分保形性质的有机材料时，有机材料在凹部110a的垂直侧壁上不能均匀地沉积成均匀的厚度，这会导致在稍后形成的第一电极111和第二电极113之间短路。因此，为了避免这个问题，优选的是，每个凹部110a的侧壁110b具有正锥形形状，以确保在绝缘膜110的平坦表面、第一电极111和正锥形侧向部分即凹部110a的侧壁上以均匀的厚度均匀地沉积有机材料，从而完成有机膜112的形成。因此，该设计提供了使用仅部分一致的有机膜112以及完全一致的层。这种结构允许使用各种不同类型的有机膜以及用于施加有机膜112的不同沉积技术。对于该沉积步骤，可以使用各种cvd或tcvd处理。

当然，根据有机膜112的形成工艺，凹部110a的侧壁110b的形状不限于正锥形形状，而是可以是垂直形状或稍微倒锥形形状。如果沉积处理高度一致，则可以使用更多的垂直侧壁110b，但是如果其较不一致，则应使用较平缓倾斜的侧壁来确保提供足够的适当且均匀厚度的有机材料以覆盖第一电极111。此外，可以从凹部110a的底表面直到侧壁部分的末端填充第一电极111。也就是说，如果对于有机膜112使用高度一致的材料和处理，则侧壁110b可以是垂直的或甚至具有稍微倒锥形，并且具有足够的厚度的有机膜112，以确保当施加第二电极113时，它将与第一电极111均匀地间隔开。

连同绝缘膜的壁110c的上表面和凹部110a选择侧壁110b的斜率(slope)以提供有机膜112的形成，有机膜112在遍及整个像素阵列的整个长度上具有均匀的厚度。这提供以下益处：均匀电流在电极111和113之间流动，以及避免由于在有机膜112可能较薄或具有空隙的位置处增加的电流流动的任何热点(hotspot)。

有机膜112可以被构造为单个有机发光层；然而，实施方式不限于此。有机膜112可以包括有机发光层和布置在有机发光层之上和之下的一个或更多个有机公共层。例如，布置在有机发光层之下的有机公共层可以包括空穴注入层和空穴传输层，而布置在有机发光层之上的有机公共层可以包括电子传输层和电子注入层。

此外，有机膜112可以以多堆叠结构来形成，在该多堆叠结构中可以在每个堆叠处提供发光层和有机公共层并且可以在堆叠之间布置电荷产生层以向邻近的堆叠提供空穴和电子。

例如，在有机膜112以单堆叠结构来形成的情况下，有机发光层可以是白色发光层。在有机膜112以多堆叠结构来形成的情况下，其被设计成通过来自各个堆叠的光的组合发射白光。各个堆叠的发光层可以是被构造成发射彼此不同颜色的光的发光层，或者可以是被构造成同样地发射白光的发光层。

由于第二电极113通过溅射而不使用与每个子像素相对应的掩模被沉积在有机膜112上，所以第二电极113被形成为沿着有机膜112的整个暴露表面的覆盖(blanket)沉积。

在这种情况下，当凹部110a的底表面具有第一深度时，有机膜112和第二电极113中的每一个具有恒定的厚度，使得有机膜112的厚度和第二电极113的厚度之和小于第一深度，因此有机膜112和第二电极113沿着绝缘膜110的平坦表面和凹部的轮廓来形成，并且在形成第二电极113之后凹部110a甚至可见，如图3所示。

如上面参照图3所描述的，本公开内容的有机发光显示装置可以以无堤坝结构来实现，在该无堤坝结构中省略了对应于每个发光区域形成的现有堤坝并且在凹部110a中的第一电极111和凹部110a的稍微正锥形侧壁110b上以恒定的厚度形成有机膜112。因此，可以防止第一电极111和第二电极113之间的短路，并且可以通过在凹部110a的侧壁110b上被沉积成恒定厚度的有机膜112来防止从发光区域的角落的电流泄漏。

在下文中，将相比于本公开内容的上述有机发光二极管来描述根据比较示例的无堤坝结构。

图4是示出了根据比较示例的无堤坝结构的问题的剖视图。

如图4所示，根据比较示例的无堤坝结构被实施为使得在基板10上形成有用于覆盖薄膜晶体管阵列(未示出)并使薄膜晶体管阵列平面化的外涂层20，在每个子像素上形成有第一电极21，并且随后形成有机发光层22和第二电极23。在此，第一电极21以通过使用通过沉积被形成在第一电极形成材料上的光刻胶图案的方式来形成。金属层被形成为外涂层20上的覆盖层(blanketlayer)，然后通过涂覆光刻胶被覆盖，然后利用掩模进行曝光和显影以形成第一电极21。使用光刻胶图案对第一电极形成材料进行蚀刻。然而，第一电极21被形成为薄的，且第一电极21的侧面被形成为大致垂直，这会导致以下问题：随后形成的有机发光层22没有以均匀的厚度有效地沉积在第一电极21的侧面上。如果有机发光层22在第一电极21的侧面上形成较薄，则这将导致在第一电极21的侧面附近的电流严重集中，如箭头“b”标记的位置所示。

另一方面，根据本公开内容的有机发光二极管，如图3所示，由于第一电极111沿着凹部110a的底表面形成，所以第一电极111的顶表面变得平坦，因此有机膜112以完全均匀的厚度以平坦的方式沉积在第一电极111上。此外，由于凹部110a的侧壁110b具有正锥形形状，所以有机材料的沉积沿着凹部110a的侧壁110b具有均匀的厚度。因此，可以防止发光区域的拐角处的电流集中，并且可以提高产品的寿命。

此外，根据本公开内容的有机发光二极管，由于在绝缘膜110中形成接触孔时形成绝缘膜110的凹部110a以实现薄膜晶体管的一部分与第一电极之间的电连接，所以不需要附加的掩模处理，并且可以省略用于形成第一电极的掩模的进一步使用。除了能够消除一次或更多次掩模之外，还可以解决与常规现有技术的无堤坝结构相关联的发光区域的拐角中的电流集中的问题。

在下文中，将参照附图描述制造本公开内容的有机发光二极管的方法。

图5a至图5g是示出了制造本公开内容的有机发光二极管的方法的剖视图。

首先，准备包括与多个子像素一起使用的电路和晶体管的基板100。

随后，用于覆盖薄膜晶体管阵列(在图5a中未示出，但在图9中示出了)的外涂层在基板100上被涂覆恒定厚度的绝缘膜110。然后，在所选择的位置处选择性地将其移除到期望的深度，如图5a所示，从而形成绝缘膜110，其包括凹部110a和分隔壁110c，每个凹部具有包括已知且选定的面积的底表面，分隔壁110c每个位于与对应的凹部110a相邻，使得包括凹部110a和壁110c的对与每个子像素sp对应。

图5a所示的凹部图案可以通过集成电路和半导体处理技术中的任何常规已知方法来形成。可以使用标准的湿式蚀刻或等离子体蚀刻技术将绝缘膜110图案化并蚀刻成期望的深度。存在产生凹部110a的侧壁110b的渐变斜率的公知的湿边缘技术。

在该蚀刻工处理中，可以在底表面下方形成接触孔109(参照图9)，以暴露薄膜晶体管的一部分。

随后，如图5b所示，第一电极材料111a被形成为在包括凹部110a的绝缘膜上具有恒定厚度。电极沉积可以通过任何可接受导体的标准cvd沉积来形成。优选地，使用其中电极111a将与绝缘膜110的上表面的均匀厚度一致的处理材料。

随后，如图5c所示，在第一电极材料111a上涂覆光敏抗蚀剂121，使得第一电极材料111a的顶表面相对于绝缘膜的平坦表面具有恒定的高度。

随后，如图5d所示，通过光敏抗蚀剂121的灰化形成光敏抗蚀剂图案121a，直到其暴露位于绝缘膜110的顶表面上的第一电极材料111a为止。在此，关键点是光敏抗蚀剂121通过光敏抗蚀剂121的覆盖去除处理被图案化成恒定的厚度，而不需要额外的曝光处理。光刻胶的覆盖去除处理可以通过任何可接受的技术(包括灰化、无论是湿蚀刻还是反应离子蚀刻的覆盖蚀刻、cmp或用于均匀去除覆盖基板的覆盖层的其他已知方法)进行。继续进行光刻胶121的去除处理，直到金属层111a暴露在绝缘膜110的顶表面上。随后，进行层111a的覆盖蚀刻去除。这可以通过任何可接受的技术(优选湿蚀刻)进行。这种覆盖去除也不需要额外的曝光处理或另外的掩模就可以完成，因此可以节省掩模层。它确保电极在凹部中自对准，因为可以进行覆盖湿蚀刻作为将去除不在凹部的底部中的所有电极材料的定时(timed)蚀刻。可以使用任何覆盖蚀刻或其他去除技术，无论是反应离子蚀刻、等离子体蚀刻还是其他等效技术。所选择的蚀刻类型可以取决于侧壁110b的斜率以及其他因素，以获得图5f所示的其中电极111位于每个凹部110a的底部的结果。

因此，如图5e所示，使用保留在凹部110a中的光敏抗蚀剂图案121a作为掩模对第一电极材料111a进行蚀刻，使得第一电极材料111a仅保留在每个凹部110a的底表面上，从而完成第一电极111的形成。也就是说，由于凹部110a的结构，以自对准的方式形成第一电极111，而不执行包括曝光和显影的光刻处理。

在将层111蚀刻成期望的形状之后，执行光敏抗蚀剂图案121a的选择性蚀刻或灰化，得到图5f所示的结构。

随后，如图5g所示，在包括被布置在每个凹部110a中的第一电极111的绝缘膜110上形成包括有机发光层的有机膜112。有机膜112可以通过任何可接受的沉积处理(优选地一种对绝缘体110和电极111的上表面进行保形沉积的沉积处理)来形成。

随后，也通过覆盖、保形沉积处理在有机膜112上形成第二电极113。

也就是说，本公开内容的有机发光二极管的区域由具有凹部的外涂层限定，并且被布置在基板上而不形成堤坝，而且第一电极不被堤坝遮蔽。因此，形成第一电极的区域可以完美地用作发光区域，从而可以提高开口率。

此外，由于以自对准方式形成第一电极，所以可以省略使用形成堤坝所需的一次或更多次掩模，并且也可以减少用于形成第一电极的掩模的次数。

图5h示出了根据用于制造将形成单个像素的子像素的一个优选处理和结构的替代实施方式。如图5h所示，示出了三个不同的凹部110a：第一凹部110a1、第二凹部110a2和第三凹部110a3。这些凹部中的每一个具有不同的深度。如下文所示，凹部的深度将确定用于每个子像素的滤色器的最终高度。特别地，光在具有发光层的有机膜112上被产生，并且通过凹部上方的材料。因此，凹部的深度决定了光在被发射之前必须通过的材料的高度。通过将凹部蚀刻成选定的深度，可以为每个子像素定制选择光通过的材料的精确量。

通过简单地改变凹部的深度来定制选择滤色器的高度的能力在制造过程中提供显著的益处。基于定时或其他技术，可以基于公知的蚀刻化学和蚀刻处理技术容易地确定选定的凹部110a的深度。虽然可以使用单次基础掩模为每个凹部创建初始形状，但是在蚀刻处理期间可以在不同的阶段施加简单的覆盖层，使得凹部110a1和110a2的蚀刻将在凹部110a3的蚀刻被阻挡时能够继续。然后，在同一蚀刻处理中的后续步骤中，一旦凹部110a2达到选定的深度，则可以阻止对其的访问(access)，同时继续进行凹部110a1的蚀刻，直到110a1达到选定的深度为止。因此，通过使用限定子像素的面积的单次限定掩模以及每个凹部110a相对于其他凹部的相对位置，可以基于蚀刻处理和每次蚀刻的定时来定制选择特定凹部的深度。由于凹部的位置已经由单次限定掩模预先限定，所以无论是通过使用宽掩模还是其他技术都可以提供简单的阻挡机制。附加的阻挡机制仅需要充分对准以阻止对其蚀刻要停止的凹部的访问，并且因此可以具有宽范围的公差。也就是说，由于每个凹部的确切位置相对于单次凹部限定掩模中的每个其他凹部来限定，因此可以在不使用非常严格的公差的情况下施加在处理中稍后用于阻挡蚀刻的任何掩模，这提供了低成本制造产品的益处，同时确保图5h的结构的正确形成。

存在很多其他技术，通过这些技术可以将特定凹部制定成选定的深度。例如，对于每个浅凹部110a3可以使用不同的掩模和蚀刻处理，同时在稍后的处理步骤中，对于110a2施加不同的掩模和蚀刻处理，类似地，对于110a1施加不同的掩模和蚀刻处理。也就是说，不需要为每个凹部使用单次凹部限定掩模，而是可以对显示器上的具有不同深度的每个凹部使用单独的凹部掩模和蚀刻处理。因此，这是可以创建不同深度的凹部的第二种方式。

如图5h所示，产生凹部的不同深度的任何处理都是可以接受的，而不仅仅是本文所描述的两种方法。选择绝缘膜110的高度以确保最深的凹部110a1将其底表面定位在基板100上方一定的最小距离处，并且在凹部110a的底部和基板100的顶部之间将存在足够厚度的绝缘材料层以确保在两个区域之间存在电隔离。

在下文中，将描述包括本公开内容的有机发光二极管的有机发光显示装置。

图6a是示出了本公开内容的有机发光显示装置的剖视图。

如图6a所示，本公开内容的有机发光显示装置包括：基板100，其包括多个子像素；与每个子像素相对应地被布置在基板100上的上述有机发光二极管；以及每个被布置在第二电极113上并填充与每个子像素相对应的凹部110a中对应之一且每个具有平坦的顶表面的滤色器131a、131b和131c。滤色器131a、131b、131c的足够材料被沉积到每个凹部中以完全填充每个相应的凹部。

在图6a中使用线sp1、sp2和sp3示出了各个子像素的位置。各个线sp1的末端的箭头表示每个子像素的边缘。如先前关于图3所描述的，每个子像素包括两个区域，与电极111对应的发光区域和与分隔壁110c对应的非发光区域。

在各个子像素中滤色器131a、131b和131c在其侧向部分处彼此接触，并且本公开内容的有机发光显示装置不使用黑色矩阵。这是因为滤色器131a、131b和131c位于基板100上的相应的凹部中。也就是说，由于来自每个凹部110a中的有机膜112的光以直线的形式从平坦的发光区域输出，所以防止光通过相邻的子像素。因此，不需要提供用于防止相邻像素之间的颜色混合的现有黑色矩阵。这避免了另外的处理和层施加步骤。其还提供各种颜色的较多的光发射和较明亮的显示。

此外，其中滤色器被布置在对置基板上的常规结构具有由于由基板、对置基板和粘合剂层导致的光学间隙而发生子像素之间的混色的问题。然而，本公开内容的其中滤色器被布置在基板上的凹部中的有机发光显示装置可以防止子像素之间的混色，并且可以防止由于基板和对置基板之间的未对准而导致的开口率降低。

在此，有机发光二极管包括：绝缘膜110，绝缘膜110包括凹部110a和平坦表面，每个凹部110a具有底表面，该底表面具有选定尺寸的已知面积，每个平坦表面位于与相应的凹部相邻；第一电极111，其被布置在每个子像素中的凹部的底表面上；有机膜112，其被布置在包括被布置在每个凹部中的第一电极111的绝缘膜110上，并且包括有机发光层；以及第二电极113，其被布置在有机膜112上。

还可以设置第一保护层114，其在形成滤色器层131a、131b和131c之前形成在第二电极113上，以防止引入杂质和水分。

第一保护层114可以以有机膜和无机膜交替布置的多层结构来形成。此时，保护层114的厚度、第二电极113的厚度和包括有机发光层的有机膜112的厚度之和小于每个凹部110a的深度。因此，保护层114也沿着绝缘膜110的平坦表面和凹部110a的表面轮廓来形成。

还可以设置第二保护层115，其形成在平坦的滤色器层131a、131b和131c上，以保护滤色器层免受外部冲击或损坏。

根据本公开内容的有机发光显示装置，有机发光二极管的形成和用于颜色显示的滤色器的形成不需要曝光和显影处理，从而减少了所需要的掩膜的次数。此外，由于滤色器被布置在绝缘膜的凹部中，因此可以防止由于上基板的下基板之间的对准公差而导致的漏光和开口率降低。

本公开内容的有机发光显示装置通过以下处理来形成以实现滤色器层131a、131b和131c具有平坦的顶表面的结构。

图6b示出了图5h的其中凹部具有不同的深度的实施方式的子像素形成的完成。如图6b所示，具有红色滤色器131a的第一子像素sp1a具有浅的深度。与绿色滤色器131b对应的第二子像素sp2可以具有较深的深度，因此具有较多的绿色滤色器材料，光必须在其离开显示器之前通过绿色滤色器材料。作为一个例子，在此被示出为具有蓝色滤色器131c的第三子像素sp3将具有更深的深度，因此由具有发光层的有机膜112发射的光在离开显示器之前将必须通过更大量的蓝色滤色器材料。如图6b所示，不同颜色的不同深度仅仅是示例，当然，深度可以基于任何特定显示器中的不同颜色、每个滤色器的特性、期望的光平衡和其他特征而变化。例如，在其他情况下，蓝色滤色器131c和红色滤色器131a彼此切换。也就是说，蓝色滤色器131c可以位于具有最浅深度的第一子像素中，并且红色滤色器131a可以位于具有最深深度的第三子像素中。

可以理解，每个滤色器可以具有不同的光衰减特性。红色滤色器材料比绿色滤色器材料具有更大的衰减，两者都比蓝色滤色器材料具有更大的衰减。如果对于每个子像素期望光以相同的亮度离开，则优选的是，使红色滤色器材料更薄，使得当光从红色滤色器离开时，其将具有与离开绿色滤色器材料和蓝色滤色器材料的光相同的亮度，即相同的照度。当然，根据数据输入和驱动信号，如果需要，该量的光输出也可以由来自晶体管的驱动控制。驱动电流的量以及因此光输出电平也可以基于驱动晶体管的尺寸及其宽度和长度之间的比率而变化。因此，为每个子像素提供选定的不同厚度的滤色器材料的能力提供了改变显示器的每种颜色的光输出的又一不同的方式，以及在很多情况下，更有益和更快的方式。例如，对于子像素的所有晶体管而言，这可以允许子像素驱动晶体管在饱和模式下操作，这在操作中具有一些益处。

每个凹部110a的深度可以根据要放置在其中的滤色器材料的透光性质以及任何特定显示器的每种特定颜色的期望的亮度方面来调整。要使用的每个滤色器—红色、绿色或蓝色—的透光性质对于设计者来说是已知的，因此选择每个凹部的深度以实现期望的光输出。在一些实施方式中，可能需要使红色凹部最深，蓝色最浅，图6b中所示的示例仅仅是出于说明的目的。

还应注意，图3和图5a至图7h中的各个层的厚度不是按比例绘制的。特别地，层111、112和113通常比所示出的这些层薄得多。即使对于最浅的像素，所有这些层都不会填满凹部。因此，在大多数实施方式中，层114将接近凹部的底部或下半部分，并且当添加滤色器材料时，其将凹部的其余部分填充到顶部。因此，滤色器将具有位于凹部内的底部区域，并且滤色器将填充凹部的从凹部的中部区域到顶部区域的其余部分。

如图6a和6b所示的滤色器材料优选地使用喷墨印刷来形成。特别地，高质量的精密喷墨印刷头将红色滤色器材料分配到第一子像素sp1的凹部110a中，将绿色滤色器材料分配到第二子像素sp2的凹部110a中，以及将蓝色滤色器材料分配到凹部110a中以完全填充第三子像素sp3中的任何其余部分，并且在一些情况下过填充每个凹部110a，然后对其进行回蚀刻。其将被形成液体型层，然后通过适当的固化处理被硬化。液体型滤色器的喷墨印刷在每个滤色器材料的精确施加，在其定位和沉积量两方面提供了很多优点。在每个位置处分配的液体材料的量以及其被分配的位置方面，喷墨印刷处理可以非常精确。如本文中其他地方所描述的，在施加滤色器材料之后，使用已知技术使材料固化和硬化，然后施加第二保护层115。

在不同的实施方式中，每个子像素sp1、sp2、sp3可以具有不同的宽度。这可以补偿不同的颜色透射性能。

图7a至图7h是示出了制造本公开内容的有机发光显示装置的方法的剖视图。

如图7a至图7e所示，制造本公开内容的有机发光显示装置的方法沿着与上面关于图5a至图5g所阐述的制造有机发光二极管的方法相同的线来执行直到第二电极113的形成完成，这里不再重复。

如图7b所示，施加光刻胶层121。如图7c所示，对光刻胶进行均匀蚀刻以暴露电极111a的顶表面。之后，使用任何可接受的蚀刻(例如湿式蚀刻)将电极层111a的部分从暴露表面蚀刻掉。这将导致电极111位于凹部110a的底部，如图7d所示。

与上述制造有机发光二极管的方法的不同之处在于，分别由第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3表示的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素被限定。子像素的颜色由在最终步骤中形成的滤色器来确定。颜色不限于红色、绿色和蓝色，但可以是任何其他颜色。在一个实施方式中，通过颜色的组合发出白光。在其他实施方式中，连同发射红色、绿色和蓝色，白光本身是发射的颜色之一。此外，存在其中相同颜色的子像素中的两个子像素被设置在单个像素中的实施方式，例如，对于单个像素而言，在一个设计中，子像素的顺序可以是红色、蓝色、绿色、蓝色，而在另一设计，它们是红色、蓝色、白色、绿色、蓝色。随后，如图7e所示，在第二电极113上形成保护层114。

保护层114被形成为具有比第二电极113的面积大的面积，以保护有机发光二极管免受外部水分或氧气的影响。

随后，如图7f所示，在第二电极113上涂覆液体型滤色器材料，以填充与各个子像素sp1、sp2和sp3对应的凹部110a。在一些实施方式中，足够的滤色器材料将被沉积溢出顶部，如图7f所示，然后如果需要，将其回蚀刻成高于层114的所需高度。即，沉积足够的滤色器材料以完全填充每个相应的凹部，以及在一些情况下，过填充每个相应的凹部。对于每个像素而言，过填充的量可能不一样。这是可以接受的，因为在下一步骤中，如图7g所示，可以执行平面化步骤来为所有的滤色器提供平滑、平坦的顶表面，每个滤色器都使其所有顶表面位于同一平面内。

液体型滤色器材料包括依次涂覆的红色滤色器材料、绿色滤色器材料和蓝色滤色器材料。在涂覆滤色器材料之后，执行预烘烤处理，使得每个滤色器材料保持与子像素中的相应之一对应。在这种情况下，稍后形成的滤色器材料可以保持在在相邻子像素之间的边界处叠加预先形成的滤色器材料的状态下，并且经过预烘烤处理的滤色器材料的顶表面可能不平坦。然而，这些凹部以涂覆(或打点)方式分别填充有各自的滤色器材料，每个滤色器材料具有用于相应子像素的唯一颜色。滤色器可以通过任何可接受的常规技术来形成，其中很多技术是本领域已知的。因此，没有详细描述滤色器被形成并位于阵列上的所有细节。

随后，如图7g所示，与各个子像素对应的滤色器材料通过后烘烤处理而被硬化，并经历灰化处理，从而完成滤色器层131a、131b和131c的形成，滤色器层131a、131b和131c位于与保护层114相邻，并具有平坦的顶表面。通过该处理，去除了滤色器材料的彼此重叠的部分，并且在各个子像素中，滤色器层131a、131b和131c被形成为在其侧向部分处彼此接触，并且具有平坦表面。

随后，如图7h所示，在滤色器层131a、131b和131c上形成第二保护层115。

根据制造本公开内容的有机发光显示装置的方法，在形成有机发光二极管之后，进行在凹部中形成滤色器的处理，其具有以下效果：通过省略使用在分别设置滤色器阵列基板的常规结构中形成滤色器阵列所需的掩模，减少所需要的掩模次数。

此外，根据本公开内容的有机发光显示装置，由于滤色器被布置在凹部中，因此不需要用于形成滤色器阵列的单独的对置基板或黑色矩阵，因此防止了由于基板和对置基板之间的未对准而导致的开口率降低和漏光。

此外，通过溶液处理在凹部中设置滤色器，并且通过硬化和灰化处理凹部填充有滤色器。因此，在不与包括各子像素中的发光区域的区域偏离的情况下形成具有平坦的顶表面的滤色器，以及为了防止相邻子像素之间的混色而被设置的现有黑色矩阵不是必要的。

此外，根据本公开内容的有机发光显示装置，作为在基板上为薄膜晶体管的平面化而设置的绝缘膜的外涂层设置有与相应的子像素对应的凹部，第一电极形成在每个凹部的底表面上，并且在形成第一电极之后，沿着绝缘膜的凹凸表面形成有机膜和第二电极，由此限定第一电极被形成为发光区域的区域，从而实现省略了作为用于限定发光区域的附加元件的现有堤坝的无堤坝结构。

此外，在这种无堤坝结构中，由于每个凹部的侧向部分具有正锥形形状，因此有机材料在每个凹部的侧部上保形沉积成恒定的厚度，从而防止角落中的电流集中和由于将有机材料沉积成较小的厚度而导致的劣化。

此外，根据本公开内容的有机发光显示装置，构成有机发光二极管的第一电极由于凹部以自对准方式形成，而不需要光掩模，并且省略了堤坝的形成。因此，可以省略用于形成堤坝和形成有机发光二极管的掩模的使用。

图8是本公开内容的有机发光显示装置的子像素sp的平面图。

如图8所示，本公开内容的有机发光显示装置被构造成使得每个子像素sp具有形成在绝缘膜110中的每个凹部110a的底表面区域作为发光区域，而其余区域117为非发光区域。第一电极111(参照图3)被布置在每个凹部110a的底表面上，而不与非发光区域交叠，因此使用第一电极111的整个区域进行发光。此外，使用凹部110a的结构而不使用光掩模来形成有机膜112，从而防止由于层之间的未对准而导致的开口率降低。此外，由于滤色器层131a、131b和131c(参照图6a和6b)被布置在相应的凹部110a中，所以光以大致直射光的形式被输出，从而可以省略对置基板。因此，与包括对置基板的常规结构相比，可以减少由于粘合剂层或黑色矩阵而导致的开口率和透射率降低。

在下文中，将简要描述本公开内容的每个子像素中的有机发光二极管和薄膜晶体管之间的电连接。

图9是示出了本公开内容的有机发光显示装置中的有机发光二极管与薄膜晶体管之间的电连接的剖视图。

如图9所示，根据本公开内容的有机发光显示装置，薄膜晶体管(tft)作为基板100的一部分被布置成对应于每个子像素。基板100包括多个不同的层，包括支撑层92、第一绝缘层和第二绝缘层。其还包括被布置在支撑层92的预定区域上的半导体层101、覆盖半导体层101的栅极绝缘膜102、被布置在与半导体层101对应的栅极绝缘膜102的区域上的栅电极103、覆盖栅电极103的层间绝缘膜104、以及源电极106a和漏电极106b，源电极106a和漏电极106b通过形成在层间绝缘膜104和栅极绝缘膜102中的通孔电连接至半导体层101的两个相对端部。优选地，可以为每个子像素设置tft，并且tft可以位于每个凹部之间的隔离区域中，但是为了便于说明，未示出这些。

在所示的示例中，其上形成有发光像素的基板100在其内包括各种层。基板100可以被认为开始于任何可接受的层，并且可以包括具有各种电路和连接的多个层，或者它可以是其唯一功能是支持发光层的基本上完全绝缘的基板。因此，术语基板最广泛地用作其上方的任何材料的支撑层。

应当注意，在本公开内容的有机发光显示装置中使用的薄膜晶体管的形式不限于图中所示的顶栅型，而可以是从底栅型、顶栅型及其组合中选择的任一种。

此外，半导体层101可以被实现为非晶硅层、多晶硅层、氧化物半导体层等。

在这种情况下，薄膜晶体管还包括设置在其整个区域上的无机保护层(未示出)以保护薄膜晶体管。随后，将上述绝缘膜110即外涂层形成为足以使其平面化的厚度。在一些情况下，绝缘膜110可以具有多层结构。

绝缘膜110的凹部110a和接触孔109可以位于每个子像素中的漏电极106b上。在这种情况下，接触孔109具有比凹部110a的直径较小的直径，并且位于凹部110a的底表面下方。被布置在凹部110a的底表面上的第一电极111通过接触孔109电连接至漏电极106b的暴露部分。

在此，接触孔109和凹部110a可以通过相同的处理和相同的掩模来限定。也就是说，接触孔109和凹部110a可以通过使用半色调或多色调掩模的单次曝光处理或者使用具有与凹部110a对应的衍射图案并具有与接触孔109相对应的开口或遮光部分的掩模一起来限定。

从绝缘膜110的平坦表面(分隔壁)110c到凹部110a的底表面的厚度是绝缘膜的整个厚度的一部分。

被布置在凹部110a上的保护层114被形成为低于绝缘膜110的平坦表面110c，使得在形成保护层114之后形成的滤色器131可以被引入凹区域中。滤色器131完全填充凹部110a，并且滤色器131的上表面平坦。

第二保护层115被布置在滤色器131的平坦的顶表面上。

从上面的描述可以明显看出，有机发光显示装置以及制造有机发光显示装置的方法具有以下效果。

首先，作为在基板上为薄膜晶体管的平面化而设置的绝缘膜的外涂层设置有与各个子像素对应的凹部，第一电极形成在每个凹部的底表面上，并且在形成第一电极之后，沿着绝缘膜的凹凸表面形成有机膜和第二电极，由此将形成第一电极的区域限定为发光区域，从而实现其中省略了作为用于限定发光区域的附加元件的现有堤坝的无堤坝结构。

如集成电路的制造中所使用的，存在很多用于在绝缘膜中形成凹部的技术，这些技术在本领域中是众所周知的，并且已经被改进多年。因此，凹部110a可以被制成具有任何期望的形状或图案。它们可以是彼此隔离的单独的凹部，其中分隔壁110c完全围绕它们的顶部。因此，形成在其底层中的电极111是自对准的，并且还与所有其他电极自动电隔离。由于平坦部分110围绕每个凹部，所以每个凹部的底部处的电极111与作为形成处理的一部分的所有其他电极自动地电隔离，从而避免使用另外的掩模。凹部110a还提供以下益处：有机膜112以及第二电极113和滤色器131也将与电极自对准。

第二，在无堤坝结构中，由于每个凹部的侧壁110b具有正锥形形状，因此有机材料容易在每个凹部的侧向部分上沉积成恒定的厚度，从而防止角落中的电流集中以及由于有机材料沉积成小的厚度而导致的劣化。

第三，由于滤色器被布置在凹部中，因此不需要用于形成滤色器阵列的单独的对置基板，从而防止由于基板和对置基板之间的未对准而导致的开口率降低和漏光。此外，如所指出的，每个滤色器可以具有不同的厚度以实现期望的颜色输出和来自每个子像素的光照度。在一些情况下，定制选择每个凹部的深度以从每个子像素获得期望的照度值。

第四，通过溶液处理在凹部中设置滤色器，并且通过硬化和灰化处理凹部填充有滤色器。因此，在不偏离包括各子像素中的发光区域的区域的情况下，形成具有平坦的顶表面的滤色器，以及为了防止相邻子像素之间的混色而被设置的现有黑色矩阵不是必要的。

第五，根据本公开内容的有机发光显示装置，构成有机发光二极管的第一电极由于凹部以自对准的方式来形成，而不使用光掩模。因此，第一电极可以位于完全对应于发光区域的位置，从而防止第一电极的未对准。

第六，由于省略了堤坝的形成，也可以省略用于形成堤坝以及有机发光二极管的形成的掩模的使用。

最后，在形成有机发光二极管之后，进行在凹部中形成滤色器的处理，其具有通过在各个步骤中省略掩模的使用来减少所需的掩模的次数的效果，这些步骤是在单独设置滤色器阵列基板的常规结构中形成滤色器阵列所需要的。

与上述实施方式相关联地描述的特征、结构和效果等被并入本公开内容的至少一个实施方式中，但不仅限于一个实施方式。此外，与各个实施方式相关联地例示的特征、结构和效果等可以通过本领域技术人员的组合或修改在其他实施方式中被实现。因此，与这些组合和修改相关的内容应被解释为落入本公开内容的范围内。

另外，虽然已经参照示例性实施方式具体描述了本公开内容，但是本公开内容不限于此。本领域技术人员将理解，在不偏离本公开内容的精神和范围的情况下，可以进行上面未示出的各种修改和应用。例如，可以对实施方式中所示的每个部件进行修改和制作。

上述各种实施方式可以被组合以提供其他实施方式。本说明书中提及的和/或在申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公布、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公布以其全部内容通过引用被并入本文。如果需要使用各个专利、申请和公布的概念来提供另外的实施方式，则可以修改实施方式的方面。

鉴于上述详细描述，可以对实施方式进行这些和其他变化。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求书中公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式连同这些权利要求被授权的等同的全部范围。因此，权利要求不受本公开内容的限制。