电子元件容器及其制造方法与流程

文档序号:15277195发布日期:2018-08-28 23:06阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及一种电子元件容器及其制造方法,所述电子元件容器包括:基底层;第一及第二防静电层,其分别形成于所述基底层上部及下部表面;收容槽,其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N个而形成的;导电层,其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。据此,导电层对第一及第二防静电层进行电连接,所以即使在多个电子元件容器层叠的状态下,也可以容易地去除产生的静电,从而可以防止位于收容槽内的电子元件因静电而被破坏,毛刺和细微粒子由耐溶剂性树脂形成,从而即使没有溶解于有机溶剂,在导电层形成时因埋没至内部而不被露出,所以,减少去除时间,从而提高生产性。

技术研发人员:尹势元
受保护的技术使用者:尹势元
技术研发日:2017.10.12
技术公布日:2018.08.28
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