本发明涉及太阳能电池制备
技术领域：
，尤其涉及一种perc电池背面氮化硅多层膜的制备方法。
背景技术：
：perc技术，即钝化发射极背面接触，通过在太阳能电池背面形成钝化层，可大幅降低背表面电学复合速率，形成良好的内部光学背反射机制，提升电池的开路电压、短路电流，从而提升电池的转换效率。perc太阳能电池具有工艺简单，成本较低，且与现有电池生产线兼容性高的优点，是新开发出来的一种高效太阳能电池，得到了业界的广泛关注，有望成为未来高效太阳能电池的主流方向。常规硅太阳能电池的生产，perc硅太阳能电池生产步骤如下：1、提供一p型硅基板，首先进行清洗；2、在p型硅基板上采用三氯氧化磷(pocl3)液态源扩散法来形成反向导电型的n型扩散层(n型发射极)；3、在形成扩散层之后，用氢氟酸进行蚀刻，去除扩散产生的硅片截面边缘的pn结；4、在正面n型扩散层上淀积sinx，形成介电层，在背面淀积alox/sinx，形成钝化层；5、在perc硅太阳能电池背面上的钝化层进行激光开窗；6、在电池正面上的介电层上进行丝网印刷，并干燥正面银浆，形成正面电极，在p型基板背面穿孔的钝化层上进行丝网印刷，并干燥背面银浆，形成背面电极；7、共烧，使电极充分干燥，同时形成良好电接触。目前，perc技术上背面氮化硅目前主要采用单层膜技术，背面反射率正常只能做到35％左右。技术实现要素：本发明要解决的技术问题是：为了能够提高背面反射率，本发明提供一种perc电池背面氮化硅多层膜的制备方法。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种perc电池背面氮化硅多层膜的制备方法，对电池硅片的背面依次进行制绒、扩散、洗磷、背钝化沉积、退火、电池背面镀氮化硅膜、电池正面镀氮化硅、激光和印刷烧结，电池背面镀氮化硅膜采用双层或多层氮化硅镀膜，且内层的折射率低于外层的折射率，n值表示折射率。进一步具体地，所述电池背面镀氮化硅膜采用双层氮化硅镀膜，第二层氮化硅膜的n值大于第一层氮化硅膜的n值。所述电池背面镀氮化硅膜采用多层氮化硅镀膜，第一层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.0～2.03，采用sih4400～800sccm，nh36000～10000sccm，压力1700mtorr，射频功率5000～9000瓦。第二层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.20～2.30，采用sih4800～1200sccm，nh33000～6000sccm，压力1700mtorr，射频功率5000～9000瓦。第三层氮化硅膜的n值大于第二层氮化硅膜的n值，依次类推。本发明的有益效果是，本发明的perc电池背面氮化硅多层膜的制备方法，采用背面氮化硅多层膜形式，增加背面光的反射率，有效提升了光的吸收，对短路电流有明显的增益，提高了电池片的效率。附图说明下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。图1是本发明反射率曲线的对比示意图。具体实施方式现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。如图1所示，是本发明实施例一，一种perc电池背面氮化硅多层膜的制备方法，对电池硅片的背面依次进行制绒、扩散、洗磷、背钝化沉积、退火、电池背面镀氮化硅膜、电池正面镀氮化硅、激光和印刷烧结，电池背面镀氮化硅膜采用双层氮化硅镀膜，第二层氮化硅膜的n值大于第一层氮化硅膜的n值。具体双层膜如下：第一层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.0～2.03，采用sih4400～800sccm(立方厘米/分钟)，nh36000～10000sccm(立方厘米/分钟)，压力1700mtorr(毫托)，射频功率5000～9000瓦。第二层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.20～2.30，采用sih4800～1200sccm，nh33000～6000sccm，压力1700mtorr(毫托)，射频功率5000～9000瓦。本实施例与现有技术单层膜对比的技术效果uociscrsrshffncell单层膜668.79.8331.768880.59％21.72％双层膜668.49.8551.719780.72％21.79％差值0.3-0.0220.05-9-0.13％-0.07％表1表1中uoc表示开路电压，isc表示短路电流(越大越好)，rs表示串联电阻(越小越好)，rsh表示并联电阻(越大越好)，ff表示填充因子(越大越好)，ncell表示电池片的效率(越高越好)。结合表1，能够得出：采用背面氮化硅双层膜，效率能提升0.07％，短路电流有22ma的明显提升。结合图1从反射率曲线图来看，采用背面双层膜结构，背面反射率在500～900nm范围内有明显的提升。本发明实施例二，一种perc电池背面氮化硅多层膜的制备方法，对电池硅片的背面依次进行制绒、扩散、洗磷、背钝化沉积、退火、电池背面镀氮化硅膜、电池正面镀氮化硅、激光和印刷烧结，电池背面镀氮化硅膜采用三层氮化硅镀膜，具体三层膜如下：第一层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.0～2.03，采用sih4400～800sccm(立方厘米/分钟)，nh36000～10000sccm(立方厘米/分钟)，压力1700mtorr(毫托)，射频功率5000～9000瓦。第二层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.20～2.30，采用sih4800～1200sccm，nh33000～6000sccm，压力1700mtorr(毫托)，射频功率5000～9000瓦。第三层氮化硅膜厚度为50～100nm，n值为2.35～2.40，采用sih41000～1200sccm，nh33500～5000sccm，压力1600mtorr(毫托)，射频功率5000～9000瓦。采用背面氮化硅三层膜，效率能提升0.1％，短路电流有30ma的明显提升。背面反射率在500～900nm范围内有明显的提升。以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。当前第1页12