本发明涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及一种沟道孔的底部刻蚀方法。
背景技术：
随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，三维存储器的技术研发是国际研发的主流之一。
三维储存器的制备工艺中，在沟道孔刻蚀工艺结束后，需在沟道孔的底部经过外延生长形成一层外延硅，然后在沟道孔侧壁和底部依次沉积氧化硅、氮化硅、氧化硅、无定型硅和保护性氧化膜，接着通过沟道孔底部刻蚀方法打开以上所述的底部多层膜连接至外延硅。
对于堆叠层数在64层及以上的三维存储器，其刻蚀深宽比可达90以上，这是一道超高深宽比的干法刻蚀工艺，为了将底部的外延硅刻蚀打开，主要通过采用高偏置功率的刻蚀程式。
由于沟道孔的底部和顶部的硬掩膜的材质相同，而顶部的刻蚀速率又远大于底部，因此传统的刻蚀方法往往会造成顶部硬掩膜损失过多，具体如图1所示，堆叠结构的顶部的氮化硅被消耗完，次顶层的氮化硅被消耗过半，而底部的外延硅仅部分打开甚至没有打开，具体如图2所示，这样就导致了后续制程的工艺窗口的减小。
技术实现要素：
本发明的目的是为解决以上问题的至少一个，本发明提供一种高深宽比的沟道孔的底部刻蚀方法。
沟道孔的底部刻蚀方法，包括以下步骤：
a.提供晶圆结构，晶圆结构包括衬底和位于衬底上表面的多层堆叠结构，多层堆叠结构内设有沟道孔，沟道孔由多层堆叠结构的上表面延伸至衬底的上表面，沟道孔的底部生长有外延硅，且沟道孔的侧壁以及外延硅的上表面沉积有多层膜结构；
b.在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；
c.对沟道孔进行底部刻蚀，直至位于多层堆叠结构的上表面的高聚物保护膜消耗完毕；
d.交替重复进行步骤c和步骤d至少一次。
e.再次在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；
f.再次对沟道孔进行底部刻蚀，直至位于外延硅上表面的多层膜结构被击穿，外延硅的上表面暴露于沟道孔内。
其中，该刻蚀方法还包括位于步骤e后的步骤g：去除多层堆叠结构的上表面剩余的高聚物保护膜。
其中，多层堆叠结构的层数大于等于64层，步骤b和步骤c的交替重复次数为5次以上。
其中，高聚物保护膜的单体材料为cxfy和sicl4中的一种或多种。
其中，多层堆叠结构的最上层硬掩膜为氧化硅层。
其中，沟道孔底部刻蚀的方法为溅射刻蚀、化学刻蚀或高密度等离子体刻蚀中的一种。
其中，多层膜结构依次包括氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层、无定型硅层和氧化膜层。
本发明具有以下有益效果：
本发明通过采用循环刻蚀的方法，能够有效减少沟道孔顶部的硬掩膜的损耗。同时，由于在刻蚀工艺中顶部硬掩膜的损耗减少，因此可以减薄顶部硬掩膜的厚度，从而降低沟道孔底部刻蚀的深宽比，可以改善沟道孔刻蚀以及后续制程的工艺窗口。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了根据传统工艺的沟道孔的底部刻蚀方法刻蚀完毕后的晶圆结构的上半部的截面tem图；
图2示出了根据传统工艺的沟道孔底部刻蚀方法刻蚀完毕后的晶圆结构的下半部的截面tem图；
图3示出了根据本发明实施方式的沟道孔的底部刻蚀方法的流程图；
图4a～图4e示出了根据本发明实施方式的沟道孔的底部刻蚀方法的晶圆结构的截面结构流程图；
图5示出了根据本发明实施方式的沟道孔的底部刻蚀方法的晶圆结构的上半部的截面tem图；
图6示出了根据本发明实施方式的沟道孔的底部刻蚀方法的晶圆结构的下半部的截面tem图；
其中，1.衬底；2.多层堆叠结构；3.高聚物保护膜；210.外延硅；220.多层膜结构。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明的基本思想是在晶圆结构的多层堆叠的表面通过循环交替进行沉积保护膜和沟道孔底部刻蚀步骤，使位于沟道孔底部的外延硅在晶圆结构的顶部硬掩膜已被适当保护的前提下被逐步打开。
如图3所示，本发明的沟道孔的底部刻蚀方法包括以下步骤：
a.提供晶圆结构，晶圆结构包括衬底和位于衬底的上表面的多层堆叠结构，多层堆叠结构内设有沟道孔，沟道孔由多层堆叠结构上表面延伸至衬底的上表面，沟道孔的底部生长有外延硅，且沟道孔的侧壁以及外延硅的上表面沉积有多层膜结构；b.在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；c.对沟道孔进行底部刻蚀，直至上表面的高聚物保护膜消耗完毕；d.交替重复进行步骤b和步骤c至少一次；e.再次在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；f.再次对沟道孔进行底部刻蚀，位于外延硅上表面的多层膜结构被击穿，外延硅的上表面暴露于沟道孔内。
下面将结合附图、通过具体实施例的方式，对本发明提供的三维存储器的制造方法进行具体的解释，其中附图4a～4e为本申请的制造方法的纵截面结构流程图，附图4a～4e中的每一张附图均表示在对应步骤中发生的结构变化。
图4a对应本发明的刻蚀方法的步骤a。如图4a所示，提供一晶圆结构，该晶圆结构包括衬底1和多层堆叠结构2，多层堆叠结构2位于衬底1的上表面，多层堆叠结构设有沟道孔，沟道孔贯穿多层堆叠结构2，并由多层堆叠结构2的上表面延伸至衬底1的上表面，沟道孔的底部还生长有外延硅210，在沟道孔的侧壁和外延硅的上表面沉积有多层膜结构220。
图4b对应本发明的刻蚀方法的步骤b。如图4b所示，在多层堆叠结构2的上表面沉积高聚物保护膜3，沉积过程中，高聚物也会沉积在位于外延硅表面的部分多层膜结构的表面，形成高聚物薄层。
图4c对应本发明的刻蚀方法的步骤c。如图4c所示，进行沟道孔底部刻蚀，直至高聚物保护膜3消耗完毕。由于晶圆结构顶部的材料成分(包括高聚物保护层、多层膜薄层和硬掩膜)与沟道孔底部的外延硅表面的材料成分(包括高聚物薄层、多层膜结构)基本相同，因此刻蚀对晶圆结构顶部的材料与外延硅表面的材料均产生不同程度的损耗。消耗的程度主要受沟道孔深度的影响，由于沟道孔深度对刻蚀能量的减弱影响，使得沟道孔底部的刻蚀强度弱于顶部材料的刻蚀强度，因此外延硅表面的材料的损耗小于晶圆结构的顶部材料的损耗。因此，当位于晶圆结构顶部的高聚物保护膜3被基本刻蚀完毕，仅有位于外延硅表面的高聚物薄层和多层膜结构中的部分膜层被击穿。
当沟道孔具有较高深宽比、特别是堆叠结构在64层以上时，需循环重复进行多次保护膜沉积和沟道孔底部刻蚀的步骤，即步骤d，使得在顶层硬掩膜始终具有保护层的前提下，多层膜结构经过逐步刻蚀达到濒临击穿的状态。
图4d对应本发明的刻蚀方法的步骤e。如图4d所示，循环刻蚀过后，最后一次在多层堆叠结构2的上表面沉积高聚物，形成最后一高聚物保护膜。同样地，沉积过程中，高聚物也会沉积在濒临击穿的多层膜结构的表面，形成最后一高聚物薄层。
图4e对应本发明的刻蚀方法的步骤f。如图4e所示，最后一次沉积高聚物保护膜之后，再次进行沟道孔的底部刻蚀，多层膜结构和覆盖在其表面的高聚物薄层彻底击穿，使外延硅210的上表面暴露在沟道孔内，将底部的外延硅打开。
当外延硅的上表面充分暴露时，仍有部分高聚物保护膜剩余在多层堆叠结构上时，本发明的方法还包括将剩余高聚物保护膜去除的步骤g。
通常情况下，多层堆叠结构的最上层硬掩膜的材料为氧化硅，多层膜结构依次包括氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层、无定型硅层和保护性氧化膜层，沟道孔底部刻蚀的方法为干法刻蚀(sonoetch)，具体可以为溅射刻蚀、化学刻蚀或高密度等离子体刻蚀中的一种。
以64层堆叠结构为例，使用本发明的底部刻蚀方法对沟道孔的底部进行刻蚀。选取以cxfy中的一种或多种、又或者是cxfy中的一种或多种与sicl4的混合物、再或者是单独sicl4作为单体的高聚物材料进行沉积，每次形成一定厚度的高聚物保护膜后伴随进行相应的刻蚀，采用多次先沉积再刻蚀的循环沉积刻蚀方法对沟道孔底部进行逐步刻蚀，直至刻蚀成功。刻蚀后晶圆结构的沟道孔底部的外延硅被充分打开，具体如图5所示，同时堆叠结构的顶层的氧化硅并未消耗完，次顶层的氮化硅没有被消耗，刻蚀效果良好，顶部影响微小，具体如图6所示。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。