薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构主要有三种类型:共面型(Co-PlannarType)、刻蚀阻挡型(Etch Stop Layer)和背沟道刻蚀型(Back Channel Etching)，其中共面型的氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)因具有相对简单的结构、有源层(Active)受到的破坏较小等特点得到了广泛的应用。然而在现有制作工艺中，有源层需要在已形成有栅绝缘层和源漏金属层的基板上通过构图工艺形成，其中会涉及氧化物半导体的沉积过程以及酸液的湿法刻蚀过程，这两个过程都对已经形成的源漏金属层造成很大的损伤。
[0003]具体来说，例如IGZ0(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)的沉积过程需要通入氧气O2等氧化性气体，这些氧化性气体会严重氧化裸露的源漏金属层;而在酸液的湿法刻蚀过程中，刻蚀液中通常包含硫酸H2SO4、硝酸HNO3等强酸性物质，这些强酸性物质也会腐蚀暴露的源漏金属层。源漏金属层被损伤可能会导致下列问题:一方面，氧化或腐蚀会导致源漏金属层的电阻值增大，从而会增大传输信号的延迟，使面板的显示性能和稳定性变差；另一方面，氧化或腐蚀还会导致源漏金属层的上表面粗糙，使得沉积在源漏金属层上的IT0(Indium Tin Oxide，掺锡氧化铟)容易折断(尤其容易在过孔连接处发生折断)而造成不良。
【发明内容】
[0004]针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置，可以解决源漏金属层容易在氧化物半导体的沉积过程以及酸液的湿法刻蚀过程中受到损伤的问题。
[0005]第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括:
[0006]在基板上形成一层金属薄膜；
[0007]采用半色调掩膜工艺在所述金属薄膜上形成具有完全保留区域、半保留区域和完全去除区域的光刻胶层;至少部分的所述完全保留区域对应于源漏极设置区域中不与有源层设置区域重叠的区域;所述半保留区域对应于所述源漏极设置区域与所述有源区设置区域之间重叠的区域;所述完全去除区域为除所述完全保留区域和所述半保留区域以外的区域；
[0008]在所述光刻胶层的覆盖下对所述金属薄膜进行刻蚀，以形成对应于所述完全保留区域和所述半保留区域的源漏金属层;所述源漏金属层包括对应于所述源漏极设置区域的源漏极图形；
[0009]去除所述半保留区域内的光刻胶层；
[0010]在所述完全保留区域内的所述源漏金属层被所述光刻胶层覆盖的情况下，形成一层覆盖所述基板、所述光刻胶层和所述源漏金属层的半导体薄膜；
[0011]对所述半导体薄膜进行图案化处理，以形成有源层;所述有源层包括对应于所述有源区设置区域的有源区图形；
[0012]去除剩余的所述光刻胶层。
[0013]可选地，所述去除所述半保留区域内的光刻胶层，包括:
[0014]采用灰化工艺整面地减小所述光刻胶层的厚度，以减薄所述完全保留区域内的光刻胶层并去除所述半保留区域内的光刻胶层。
[0015]可选地，所述去除所述半保留区域内的光刻胶层，包括:
[0016]采用所述半色调掩膜工艺所使用的掩膜板对所述光刻胶层进行曝光和显影，以在保留所述完全保留区域内的光刻胶层的同时去除所述半保留区域内的光刻胶层。
[0017]可选地，所述在所述完全保留区域内的所述源漏金属层被所述光刻胶层覆盖的情况下，形成覆盖所述基板、所述光刻胶层和所述源漏金属层的半导体薄膜，包括:
[0018]采用金属氧化物半导体的沉积工艺在所述基板、所述光刻胶层和所述源漏金属层上形成包括金属氧化物半导体的半导体薄膜。
[0019]可选地，所述对所述半导体薄膜进行图案化处理，以形成有源层，包括:
[0020]采用金属氧化物半导体的图案化工艺对所述半导体薄膜进行图案化处理，以形成所述有源层。
[0021]可选地，所述去除剩余的所述光刻胶层，包括:
[0022]采用剥离工艺整面地去除所述光刻胶层。
[0023]可选地，所述在基板上形成一层金属薄膜之前，还包括:
[0024]在衬底上通过一次构图工艺形成栅金属层;所述栅金属层包括对应于栅极设置区域内的栅极图形；
[0025]形成覆盖所述衬底和所述栅金属层的栅绝缘层，以形成所述基板。
[0026]可选地，在所述去除剩余的所述光刻胶层之后，还包括:
[0027]形成覆盖所述源漏金属层和所述有源层的栅绝缘层；
[0028]在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成栅金属层;所述栅金属层包括对应于栅极设置区域内的栅极图形。
[0029]第二方面，本发明还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括由上述任意一种的薄膜晶体管的制作方法制作形成的薄膜晶体管。
[0030]第三方面，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任意一种的阵列基板。
[0031]由上述技术方案可知，本发明在源漏金属层的构图工艺之中，采用了半色调掩膜工艺形成了具有完全保留区域、半保留区域和完全去除区域的光刻胶层。由此，在完全去除区域内可以直接以金属刻蚀来完成源漏金属层的构图工艺;此后则可以通过去除半保留区域内的光刻胶层来形成仅在完全保留区域内分布的光刻胶层。从而，完全保留区域内的光刻胶层可以在有源层的制作过程中保护源漏金属层不受损伤，且在有源层的构图工艺完成之后可以将暴露的光刻胶层去除而不会影响后续工序。
[0032]可以看出，本发明不仅可以解决源漏金属层容易在氧化物半导体的沉积过程以及酸液的湿法刻蚀过程中受到损伤的问题，还可以不增加构图工艺的次数，而且可以不对薄膜晶体管的原有的宏观结构造成改变，因而有助于产品显示性能和良率的提升。
[0033]当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
【附图说明】
[0034]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为本发明一个实施例中一种薄膜晶体管的制作方法的部分步骤流程示意图；
[0036]图2至图9是本发明一个实施例中一种薄膜晶体管在各制作阶段的结构示意图；
[0037]图10是本发明一个实施例中一种薄膜晶体管的局部剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0038]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动