本发明的实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术：
有机发光二极管(organiclightemittingdiode，简称oled)显示装置具有能耗低、亮度高、反应时间快、宽视角、重量轻等优点，近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理、掌上电脑等设备中。oled显示装置分为无源矩阵型和有源矩阵型两种，其中，有源矩阵型oled显示装置利用薄膜晶体管(thinfilmtransistor，简称tft)驱动oled，具有较高发光效率和较好的显示效果。
技术实现要素：
本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法，能够防止oled器件发出的光照射到tft而引起tft的劣化。
根据本发明的第一方面，提供一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的薄膜晶体管；位于所述基板上且在平行于所述基板的表面的方向上与所述薄膜晶体管间隔设置的发光器件；以及位于所述薄膜晶体管与所述发光器件之间的用于屏蔽来自所述发光器件的光的遮光部。
在本发明的实施例中，所述遮光部包围所述发光器件中的发光层。
在本发明的实施例中，所述遮光部为所述薄膜晶体管的源极区和漏极区中的一者与所述第一电极之间的电连接。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一电极、所述发光层和第二电极。所述薄膜晶体管包括位于所述基板上的有源层、位于所述有源层上的第一绝缘层、以及位于所述第一绝缘层上的栅极。所述第一绝缘层还覆盖所述基板的未被所述有源层覆盖的表面。所述阵列基板还包括位于所述栅极和所述第一绝缘层上的第二绝缘层。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中具有第一开口。所述发光器件位于所述第一开口中。所述遮光部包括：沿所述第一开口的侧壁延伸的与所述第一电极电连接的第一部分；在靠近所述第一开口的所述第二绝缘层的远离所述基板的一侧上延伸的与所述第一部分连接的第二部分；以及通过位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一孔将所述第二部分连接到所述有源层的第三部分。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一电极、所述发光层和第二电极。所述薄膜晶体管包括位于所述基板上的有源层、位于所述有源层上的第一绝缘层、以及位于所述第一绝缘层上的栅极。所述第一绝缘层还覆盖所述基板的未被所述有源层覆盖的表面。所述第一绝缘层具有第二开口。所述发光器件位于所述第二开口中。所述阵列基板还包括：位于所述栅极和所述第一绝缘层上的第三绝缘层。所述第三绝缘层具有暴露所述发光器件的第三开口。所述第三开口在所述基板上的正投影位于所述第二开口在所述基板上的正投影内。所述遮光部包括：在靠近所述第二开口的所述第一绝缘层的远离所述基板的一侧上和在所述第一电极的边缘上延伸的第四部分，其中，所述第三绝缘层覆盖所述第四部分；通过位于所述第三绝缘层中的第二孔与所述第四部分连接的第五部分；在靠近所述第三开口的所述第三绝缘层的远离所述基板的一侧上延伸的与所述第五部分连接的第六部分；以及通过位于所述第一绝缘层和所述第三绝缘层中的第三孔将所述第六部分连接到所述有源层的第七部分。
在本发明的实施例中，所述遮光部的所述第四部分与所述栅极同层设置。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一电极、所述发光层和第二电极。所述薄膜晶体管包括：由沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一源/漏电极层、有源层和第二源/漏电极层构成的叠层结构；覆盖所述基板、所述叠层结构和所述第一电极的第四绝缘层；以及位于所述第四绝缘层上的栅极。所述栅极至少覆盖所述有源层的朝向所述发光器件一侧的侧表面。所述第一电极还延伸到所述第一源/漏电极层的下方并与所述第一源/漏电极层接触。所述第四绝缘层具有暴露所述第一电极的第四开口。所述发光层位于所述第四开口中。
在本发明的实施例中，所述遮光部位于所述第一电极与所述第四绝缘层之间。所述遮光部包括位于所述第一电极上的且与所述第一源/漏电极层同层设置的第八部分、以及位于所述第八部分上的且与所述第二源/漏电极层同层设置的第九部分。
在本发明的实施例中，所述遮光部还包括与所述栅极同层设置的第十部分。所述第十部分位于所述第四绝缘层上并通过位于所述第四绝缘层中的第四孔与所述第九部分接触。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一电极、所述发光层和第二电极。所述薄膜晶体管包括：由沿垂直于所述基板的表面的方向上依次设置的第一源/漏电极层、有源层和第二源/漏电极层构成的叠层结构；覆盖所述基板、所述叠层结构和所述第一电极的第四绝缘层；以及位于所述第四绝缘层上的栅极，所述栅极至少覆盖所述有源层的朝向所述发光器件一侧的侧表面，其中，所述第一电极还延伸到所述第一源/漏电极层的下方并与所述第一源/漏电极层接触。所述第四绝缘层具有暴露所述第一电极的第四开口。所述发光层位于所述第四开口中。所述遮光部包括与所述栅极同层设置的第十一部分。所述第十一部分至少具有沿所述第四开口的侧壁延伸的部分。
根据本发明的第二方面，提供一种显示装置，其包括在本发明的第一方面中描述的阵列基板。
根据本发明的第三方面，提供一种制备阵列基板的方法，包括：提供基板；在所述基板上形成薄膜晶体管；沿平行于所述基板的表面的方向在所述基板上形成与所述薄膜晶体管间隔设置的发光器件；以及在所述薄膜晶体管与所述发光器件之间形成用于屏蔽来自所述发光器件的光的遮光部。
在本发明的实施例中，所述方法包括：在所述基板上形成所述薄膜晶体管的有源层；在所述基板和所述有源层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层中形成第二开口；在所述第二开口中形成第一电极；在所述第一绝缘层和所述第一电极上形成第一导电材料层；构图所述第一导电材料层以形成所述薄膜晶体管的栅极和所述遮光部的第四部分，其中，所述第四部分位于靠近所述第二开口的所述第一绝缘层的远离所述基板的一侧上并覆盖所述第一电极的边缘；在所述第一绝缘层和所述第四部分上形成第三绝缘层；构图所述第三绝缘层以在所述第三绝缘层中形成暴露所述第四部分的第二孔、暴露所述有源层的第三孔以及暴露所述第一电极的第三开口；在所述第三绝缘层上形成所述遮光部的第五部分、第六部分和第七部分。所述第五部分通过位于所述第三绝缘层中的所述第二孔与所述第四部分连接；所述第六部分在靠近所述第三开口的所述第三绝缘层的远离所述基板的一侧上延伸且与所述第五部分连接；以及所述第七部分通过位于所述第一绝缘层和所述第三绝缘层中的所述第三孔将所述第六部分连接到所述有源层；在所述第一电极上依次形成所述发光器件的所述发光层和所述第二电极。
在本发明的实施例中，所述方法包括：在所述基板上形成所述发光器件的第一电极；在所述基板和所述第一电极上形成第二导电材料层；构图所述第二导电材料层以形成位于所述第一电极上的所述薄膜晶体管的第一源/漏电极层和所述遮光部的第八部分，所述第八部分围绕将要形成所述发光器件的发光层的区域；在所述第一源/漏电极层上形成所述薄膜晶体管的有源层；形成第三导电材料层以覆盖所述基板、所述第一电极、所述有源层和所述第八部分；构图所述第三导电材料层以形成位于所述有源层上的第二源/漏电极层和位于所述第八部分上的所述遮光部的第九部分。
在本发明的实施例中，所述方法还包括：形成第四绝缘层以覆盖所述基板、所述第一源/漏电极层、所述有源层和所述第二源/漏电极层、所述第一电极上和所述遮光部；构图所述第四绝缘层以形成位于所述第四绝缘层中的暴露所述第九部分的第四孔和暴露所述第一电极的第四开口；在所述第四绝缘层和所述第一电极上形成第四导电材料层；构图所述第四导电材料层以形成所述薄膜晶体管的栅极和所述遮光部的第十部分，其中，所述第十部分通过所述第四孔与所述第九部分接触。
在本发明的实施例中，所述方法包括：在所述基板上形成第一电极；
在所述第一电极上依次形成所述薄膜晶体管的第一源/漏电极层、有源层和第二源/漏电极层，所述第一源/漏电极层、所述有源层和所述第二源/漏电极层构成叠层结构；在所述基板、所述叠层结构和所述第一电极上形成第四绝缘层；构图所述第四绝缘层以形成位于所述第四绝缘层中的暴露所述第一电极的第四开口；在所述第四绝缘层和所述第一电极上形成第五导电材料层；构图所述第五导电材料层以形成所述薄膜晶体管的栅极和所述遮光部的第十一部分，其中，所述栅极至少覆盖所述有源层的朝向所述发光器件一侧的侧表面，所述第十一部分至少具有沿所述第四开口的侧壁延伸的部分。
在本发明的实施例中，提供了一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板中包括了位于tft与oled发光器件之间的遮光部，能够有效地避免oled发光器件中的发光层发出的光照射到tft中的有源层，由此能够防止造成tft的劣化。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
附图说明
本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：
图1是示出根据本发明的第一实施例和第二实施例的阵列基板的俯视示意图；
图2是示出根据本发明的第一实施例的阵列基板的沿图1中的线aa’截取的横截面结构示意图；
图3是示出根据本发明的第二实施例的阵列基板的沿图1中的线aa’截取的横截面结构示意图；
图4是示出根据本发明的第三实施例的阵列基板的横截面结构示意图；
图5是示出根据本发明的第四实施例的阵列基板的横截面结构示意图；
图6是示出根据本发明的第五实施例的阵列基板的横截面结构示意图；
图7是根据本发明实施例的制备阵列基板的方法的流程图；
图8a至8f是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图；
图9a至9i是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图；
图10a和10b是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图；
图11a和11b是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图；以及
图12a至12c是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图。
贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。
具体实施方式
首先，需要说明的是，除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中另有说明(翻译与下面不一样，需注意)。在本文中使用术语“实例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。
此外，还需要说明的是，当介绍本申请的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素；除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素；术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。
本发明中描绘的流程图仅仅是一个例子。在不脱离本发明精神的情况下，可以存在该流程图或其中描述的步骤的很多变型。例如，所述步骤可以以不同的顺序进行，或者可以添加、删除或者修改步骤。这些变型都被认为是所要求保护的方面的一部分。
现将参照附图更全面地描述示例性的实施例。
目前，oled发光器件中的发光层发出的光会照射到tft的有源层，由此会导致tft器件劣化。
在本发明的实施例中，提供了一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板中包括了位于tft与oled发光器件之间的遮光部，能够有效地避免oled发光器件中的发光层发出的光照射到tft中的有源层，由此能够防止造成tft的劣化。
根据本发明的实施例的阵列基板可以包括：基板；位于基板上的薄膜晶体管；位于基板上且在平行于基板的表面的方向上与薄膜晶体管间隔设置的发光器件；以及位于薄膜晶体管与发光器件之间的用于屏蔽来自发光器件的光的遮光部。
图1是示出根据本发明的第一实施例和第二实施例的阵列基板的俯视示意图。如图1所示，遮光部包围发光器件中的发光层。
图2是示出根据本发明的第一实施例的阵列基板200的沿图1中的线aa’截取的横截面结构示意图。如图2所示，在本发明的实施例中，阵列基板200包括：基板201；位于基板201上的薄膜晶体管；位于基板201上且在平行于基板的表面的方向上与薄膜晶体管间隔设置的发光器件；以及位于薄膜晶体管与发光器件之间的用于屏蔽来自发光器件的光的遮光部206。
在本发明的示例性实施例中，如图2所示，发光器件包括沿垂直于基板201的表面的方向上依次设置的第一电极207、发光层208和第二电极209。薄膜晶体管包括位于基板201上的有源层202、位于有源层202上的第一绝缘层203、以及位于第一绝缘层203上的栅极204。
根据本发明的实施例，如图2所示的本发明第一实施例中的遮光部206可以为薄膜晶体管的源极区和漏极区(即，有源层202的源极区和漏极区)中的一者与第一电极207之间的电连接结构206’。根据本发明的实施例，该遮光部也可以作为薄膜晶体管的源/漏电极。
第一绝缘层203还覆盖基板201的未被有源层202覆盖的表面。阵列基板200还包括位于栅极204和第一绝缘层203上的第二绝缘层205，例如，层间绝缘层。第一绝缘层203和第二绝缘层205中具有邻近有源层202且暴露基板201的第一开口220。发光器件位于第一开口220中。
如图2中放大的细节图所示，遮光部206包括第一部分2061、第二部分2062和第三部分2063。第一部分2061沿第一开口220的侧壁延伸并与第一电极207电连接。第二部分2062在靠近第一开口220的第二绝缘层205的远离基板201的一侧上延伸并与第一部分2061连接。第三部分2063通过位于第一绝缘层203和第二绝缘层205中的第一孔230将第二部分2062连接到有源层202。
阵列基板200还可以包括位于薄膜晶体管和发光器件上的平坦层210；位于平坦层210上的又一绝缘层211；以及位于又一绝缘层211上的封装层212。
图3是示出根据本发明的第二实施例的阵列基板300的沿图1中的线aa’截取的横截面结构示意图。如图3所示的第二实施例是如图2所示的第一实施例的变型。图3与图2的区别在于遮光部的不同。
类似地，根据本发明的实施例，如图3所示的本发明第二实施例中的遮光部306可以为薄膜晶体管的源极区和漏极区(即，有源层202的源极区和漏极区)中的一者与第一电极207之间的电连接结构306’。根据本发明的实施例，该遮光部也可以作为薄膜晶体管的源/漏电极。
如图3所示，第一绝缘层203还覆盖基板201的未被有源层202覆盖的表面。第一绝缘层203具有邻近有源层202且暴露基板201的第二开口320。发光器件位于第二开口320中。阵列基板300还包括：位于栅极204和第一绝缘层203上的第三绝缘层305。第三绝缘层305具有邻近有源层202且暴露发光器件的第三开口340。第三开口340在基板201上的正投影位于第二开口320在基板201上的正投影内。
在本发明的示例性实施例中，如图3中放大的细节图所示，遮光部306包括第四部分3061、第五部分3062、第六部分3063和第七部分3064。第四部分3061在靠近第二开口320的第一绝缘层203的远离基板201的一侧上和在第一电极207的边缘上延伸。第三绝缘层305覆盖第四部分3061。第五部分3062通过位于第三绝缘层305中的第二孔350与第四部分3061连接。第六部分3063在靠近第三开口340的第三绝缘层305的远离基板201的一侧上延伸且与第五部分3062连接。第七部分3064通过位于第一绝缘层203和第三绝缘层305中的第三孔330将第六部分3063连接到有源层202。
在本发明的示例性实施例中，遮光部306的第四部分3061与栅极204同层设置，即，由同一膜层形成。
需要说明的是，图3中的其他组成部分之间的位置以及连接关系可参考关于图2的描述，在此不再赘述。
图4、图5和图6分别是示出根据本发明的第三、第四和第五实施例的阵列基板的横截面结构示意图。与图1类似，本发明的第三、第四和第五实施例的阵列基板中的遮光部也是包围发光器件中的发光层。然而，本发明的第三、第四和第五实施例的阵列基板中的遮光部不是薄膜晶体管的源极区和漏极区中的一者与发光器件的电极之间的电连接。
图4是示出根据本发明的第三实施例的阵列基板400的横截面结构示意图。如图4所示，阵列基板400包括：基板401；位于基板401上的薄膜晶体管；位于基板401上且在平行于基板的表面的方向上与薄膜晶体管邻近的发光器件；以及位于薄膜晶体管与发光器件之间的遮光部410。
如图4所示，发光器件包括沿垂直于基板401的表面的方向上依次设置的第一电极402、发光层403和第二电极404。薄膜晶体管包括：由沿垂直于基板401的表面的方向上依次设置的第一源/漏电极层405、有源层406和第二源/漏电极层407构成的叠层结构；覆盖基板401、叠层结构和第一电极402的第四绝缘层408；以及位于第四绝缘层408上的栅极409。栅极409至少覆盖有源层406的朝向发光器件一侧的侧表面。第一电极402还延伸到第一源/漏电极层405的下方并与第一源/漏电极层405接触。
如图4所示，第四绝缘层408具有邻近有源层406且暴露第一电极402的第四开口420。发光层403位于第四开口420中。遮光部410位于第一电极402与第四绝缘层408之间。如图4中放大的细节图所示，遮光部410包括位于第一电极402上的且与第一源/漏电极层405同层设置的第八部分4101、以及位于第八部分4101上的且与第二源/漏电极层407同层设置的第九部分4102。
阵列基板400还包括覆盖薄膜晶体管、第一电极402和第四绝缘层408的钝化层411。钝化层411具有邻近有源层406且暴露第一电极402的第五开口430。第五开口430在第一电极402上的正投影位于第四开口420内。发光层403位于第五开口430中。第二电极404位于发光层403和钝化层411上。
阵列基板400还包括：位于钝化层411和发光器件上的附加绝缘层412；以及位于附加绝缘层412上的封装层413。
图5是示出根据本发明的第四实施例的阵列基板500的横截面结构示意图。如图5所示的第四实施例是如图4所示的第三实施例的变型。在图5中，遮光部410还包括第十部分5103。
如图5中放大的细节图所示，遮光部410还包括与栅极409同层设置的第十部分5103。第十部分5103位于第四绝缘层408上并通过位于第四绝缘层408中的第四孔540与第九部分4102接触。
需要说明的是，图5中的其他组成部分之间的位置以及连接关系可参考关于图4的描述，在此不再赘述。
图6是示出根据本发明的第五实施例的阵列基板600的横截面结构示意图。如图6所示的第五实施例是如图4所示的第三实施例的变型。图6与图4的区别在于遮光部的不同。
在本发明的示例性实施例中，如图6所示，遮光部610包括与栅极409同层设置的第十一部分610。第十一部分610至少具有沿第四开口420的侧壁延伸的部分。
需要说明的是，图6中的其他组成部分之间的位置以及连接关系可参考关于图4的描述，在此不再赘述。
在本发明的示例性实施例中，虽然遮光部206、306、410、610的顶表面被示出为高于发光层208、403的顶表面，然而需要说明的是，遮光部的顶表面也可以低于发光层的顶表面，或者与发光层的顶表面齐平，只要遮光部能够遮挡住来自发光层的至少部分光即可。
在本发明的示例性实施例中，还提供了一种显示装置，其包括如上所述的阵列基板。
在本发明的示例性实施例中，还提供了一种制备阵列基板的方法。该方法能够制备出具有位于薄膜晶体管与发光器件的遮光部的阵列基板，从而能够有效地避免发光器件中的发光层发出的光照射到tft中的有源层，由此能够防止造成tft的劣化。
图7是根据本发明实施例的制备阵列基板的方法的流程图。如图7所示，在步骤s701中，提供基板；在步骤s702中，在基板上形成薄膜晶体管；在步骤s703中，沿平行于基板的表面的方向在基板上形成与薄膜晶体管间隔设置的发光器件；以及在步骤s704中，在薄膜晶体管与发光器件之间形成用于屏蔽来自所述发光器件的光的遮光部。
接下来，将参考图8a至图12c详细地描述制备阵列基板的方法。
图8a至8f是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图，该方法形成如图2所示的阵列基板。
如图8a所示，形成薄膜晶体管包括：在基板201上形成有源层202；在基板201和有源层202上形成第一绝缘层203；以及在第一绝缘层203上形成栅极204。
如图8b所示，根据本发明的方法还包括：在栅极204和第一绝缘层203上形成第二绝缘层205。
如图8c所示，构图第一绝缘层203和第二绝缘层205以形成位于第一绝缘层203和第二绝缘层205中的暴露有源层202的第一孔230以及暴露基板201的第一开口220。
如图8d所示，形成所述发光器件包括：在第一开口220中依次形成第一电极207、发光层208和第二电极209。
如图8e所示，形成遮光部206包括：在第二绝缘层205上形成遮光部206的第一部分2061、第二部分2062和第三部分2063。
如图8e中放大的细节图所示，第一部分2061沿第一开口220的侧壁延伸且与第一电极207电连接。第二部分2062在靠近第一开口220的第二绝缘层205的远离基板201的一侧上延伸且与第一部分2061连接。第三部分2063通过位于第一绝缘层203和第二绝缘层205中的第一孔230将第二部分2062连接到有源层202。
如图8f所示根据本发明的方法还包括：在薄膜晶体管和发光器件上形成平坦层210；在平坦层210上形成又一绝缘层211；以及在又一绝缘层211上形成封装层212。
图9a至9i是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图，该方法形成如图3所示的阵列基板。
如图9a所示，在基板201上形成有源层202；以及在基板201和有源层202上形成第一绝缘层203。
如图9b所示，在第一绝缘层203中形成位于第一绝缘层203中的邻近有源层202且暴露基板201的第二开口320。
如图9c所示，在第二开口320中形成第一电极207。
如图9d所示，在第一绝缘层203和第一电极207上形成第一导电材料层204’。
如图9e所示，构图第一导电材料层204’以形成薄膜晶体管的栅极204和遮光部306的第四部分3061。第四部分3061位于靠近第二开口320的第一绝缘层203的远离基板201的一侧上并覆盖第一电极207的边缘。
如图9f所示根据本发明的方法进一步包括：在第一绝缘层203和第四部分3061上形成第三绝缘层305；以及构图第三绝缘层305以形成位于第三绝缘层305中的暴露第四部分3061的第二孔350、暴露有源层202的第三孔330以及暴露第一电极207的第三开口340。
如图9g所示，形成遮光部306进一步包括：在第三绝缘层305上形成遮光部306的第五部分3062、第六部分3063和第七部分3064。
如图9g中放大的细节图所示，第五部分3062通过位于第三绝缘层305中的第二孔350与第四部分3061连接。第六部分3063在靠近第三开口340的第三绝缘层305的远离基板201的一侧上延伸且与第五部分3062连接。第七部分3064通过位于第一绝缘层203和第三绝缘层305中的第三孔330将第六部分3063连接到有源层202。
如图9h所示，形成发光器件还包括：在第一电极207上依次形成发光层208和第二电极209。
如图9i所示，根据本发明的方法还包括：在薄膜晶体管和发光器件上形成平坦层210；在平坦层210上形成又一绝缘层211；以及在又一绝缘层211上形成封装层212。
图10a和10b是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图，该方法形成如图4所示的阵列基板。
如图10a所示，在基板401上形成发光器件的第一电极402。在基板401和第一电极402上形成第二导电材料层405’。构图第二导电材料层以形成位于第一电极402上的薄膜晶体管的第一源/漏电极层405和遮光部410的第八部分4101，第八部分4101围绕将要形成发光器件的发光层的区域。在第一源/漏电极层405上形成所述薄膜晶体管的有源层406。形成第三导电材料层以覆盖基板401、第一电极402、有源层406和第八部分4101。构图第三导电材料层以形成位于有源层406上的第二源/漏电极层407和位于第八部分4101上的遮光部410的第九部分4102。第一源/漏电极层405、有源层406和第二源/漏电极层407构成叠层结构。
形成薄膜晶体管还包括：在基板401、该叠层结构和第一电极402上形成第四绝缘层408；构图第四绝缘层408以形成位于第四绝缘层408中的暴露第一电极402的第四开口420；以及在第四绝缘层408上形成栅极409。栅极409至少覆盖有源层406的朝向发光器件一侧(这里可以认为是朝向第四开口420一侧)的侧表面。
如图10a中放大的细节图所示，第八部分4101与第一源/漏电极层405同层设置。第九部分4102位于第八部分4101上且与第二源/漏电极层407同层设置。
如图10b所示，根据本发明的方法还包括：在薄膜晶体管和第一电极402上形成钝化层411；以及构图钝化层411以形成位于钝化层411中的暴露第一电极402的第五开口430。第五开口430在第一电极402上的正投影位于第四开口420内。
形成发光器件包括：在第一电极402上形成发光层403、以及在发光层403上且在第五开口430的侧壁上形成第二电极404。
形成阵列基板还包括：在钝化层411和发光器件上形成附加绝缘层412；以及在附加绝缘层412上形成封装层413。
图11a和11b是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图，该方法形成如图5所示的阵列基板。需要说明的是，该方法是在图10a所示的阵列基板的基础上进行的。
如图11a所示，构图第四绝缘层408还包括：在第四绝缘层408中形成暴露第九部分4102的第四孔540。
接着，在第四绝缘层408和第一电极402上形成第四导电材料层。构图第四导电材料层以形成薄膜晶体管的栅极409和遮光部410的第十部分5103。如图11a中放大的细节图所示，第十部分5103与栅极409同层设置。第十部分5103通过第四孔540与第九部分4102接触。
如图11b所示，在形成遮光部410之后的步骤与图10b所示的步骤相同，详细的步骤描述可以参考上述对图10b的描述，在此不再赘述。
图12a和12c是根据本发明的实施例的制备阵列基板的方法的示意图，该方法形成如图6所示的阵列基板。需要说明的是，如图12a所示的方法与如图图10a所示的方法类似。
具体地，如图12a所示，在基板401上形成发光器件的第一电极402。在第一电极402上依次形成薄膜晶体管的第一源/漏电极层405、有源层406和第二源/漏电极层407。第一源/漏电极层405、有源层406和第二源/漏电极层407构成叠层结构。在基板401、该叠层结构和第一电极402上形成第四绝缘层408。构图第四绝缘层408以形成位于第四绝缘层408中的暴露第一电极402的第四开口420。
如图12b所示，在第四绝缘层408和第一电极402上形成第五导电材料层。构图第五导电材料层以形成所述薄膜晶体管的栅极409和遮光部610的第十一部分610，其中，栅极409至少覆盖有源层406的朝向发光器件一侧的侧表面第十一部分610至少具有沿第四开口420的侧壁延伸的部分。
如图12c所示，在形成遮光部610之后的步骤与图10b所示的步骤相同，详细的步骤描述可以参考上述对图10b的描述，在此不再赘述。
在本发明的实施例中，提供了一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板中包括了位于tft与oled发光器件之间的遮光部，能够有效地避免oled发光器件中的发光层发出的光照射到tft中的有源层，由此能够防止造成tft的劣化。
以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例，但是，在合适的情况下，这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中，即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请，并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。