阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板以及具有该阵列基板的液晶显示面板、液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]随着液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)尺寸和清晰度的增加，具有BCE(Back Channel Etching,背沟道刻蚀)结构的薄膜晶体管(Thin Film Transistor ,TFT)已崭露头角并表现出巨大的市场应用前景。如图1所示，该结构的薄膜晶体管10包括依次形成于衬底基材11上的栅极12、栅极绝缘层(Gate Insulat1n Layer，GI )13、主动层14、源极15和漏极16。其中，主动层14上形成有薄膜晶体管10的沟道P，沟道P的宽度c小于栅极12的宽度a以及主动层14的宽度b，栅极12的宽度a大于主动层14的宽度b，从而使得在对栅极12施加电压时主动层14能够提供足够浓度的载子以实现源极15和漏极16之间的导通，并且在薄膜晶体管10关闭时防止背光模组的背光照射主动层14时产生漏电。但是在该结构设计中，源极15和漏极16与栅极12的重叠区域较大所形成的寄生电容也较大，从而使得液晶显示器的像素电极在薄膜晶体管10开关时的电压变化较大，影响显示品质。
【发明内容】
[0003]鉴于此，本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，能够缩小源极和漏极与栅极之间的寄生电容，提升显示品质。
[0004]本发明提供的一种阵列基板，包括:衬底基材;栅极，形成于衬底基材上;栅极绝缘层，形成于衬底基材上并覆盖栅极;主动层，形成于栅极绝缘层上且位于栅极的上方，主动层背向栅极的一侧形成有沟道，其中主动层在衬底基材上的正投影覆盖栅极及其两侧的衬底基材，且沟道在衬底基材上的正投影位于栅极所在区域之内；源极和漏极，形成于主动层上且分别位于主动层的两端。
[0005]其中，主动层包括依次形成于栅极绝缘层上的多晶硅半导体层、欧姆接触层，多晶硅半导体层背向栅极的一侧形成有沟道，欧姆接触层形成有位于沟道上方且与沟道相通的狭缝。
[0006]其中，源极在衬底基材上的正投影与栅极部分重叠，漏极在衬底基材上的正投影与栅极无重叠。
[0007]其中，漏极在衬底基材上的正投影与栅极部分重叠，源极在衬底基材上的正投影与栅极无重叠。
[0008]其中，源极和漏极在衬底基材上的正投影与栅极无重叠。
[0009]其中，阵列基板还包括:平坦钝化层，形成于源极、漏极以及主动层上，平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔;像素电极，形成于平坦钝化层上以及接触孔内，像素电极通过接触孔与漏极电连接。
[0010]其中，阵列基板还包括:平坦钝化层，形成于源极、漏极以及主动层上，平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔；公共电极，形成于平坦钝化层上；绝缘层，形成于公共电极上;像素电极，形成于绝缘层和平坦钝化层上以及接触孔内，像素电极通过接触孔与漏极电连接。
[0011]其中，阵列基板还包括:保护层，形成于主动层的沟道上，保护层的表面包括Al2O3层，Al2O3层由采用磁控溅射法形成的Al层在氧气浓度高于21 %的氛围中以300?400°C的温度进行热退火处理制得。
[0012]本发明提供的一种液晶显示面板，包括相对间隔设置的第一基板和第二基板，以及填充于第一基板和第二基板之间的液晶，其中，第一基板和第二基板中的一者包括上述阵列基板。
[0013]本发明提供的一种液晶显示装置，包括液晶显示面板以及为液晶显示面板提供光线的背光模组，液晶显示面板包括上述液晶显示面板。
[0014]本发明实施例的阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，设计薄膜晶体管的主动层在衬底基材上的正投影覆盖栅极及其两侧的衬底基材，且薄膜晶体管的沟道在衬底基材上的正投影位于栅极所在区域之内，即设计栅极的宽度小于主动层的宽度且大于沟道的宽度，通过缩短栅极的宽度，减小源极和漏极与栅极的重叠区域，从而缩小源极和漏极与栅极之间的寄生电容，提升显不品质。
【附图说明】
[0015]图1是现有技术一实施例的薄膜晶体管的结构剖视图；
[0016]图2是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图；
[0017]图3是本发明另一实施例的阵列基板的结构剖视图；
[0018]图4是本发明又一实施例的阵列基板的结构剖视图；
[0019]图5是本发明一实施例的液晶显不面板的结构剖视图；
[0020]图6是本发明一实施例的液晶显示装置的结构剖视图。
【具体实施方式】
[0021]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0022]图2是本发明一实施例的阵列基板的结构剖视图。如图2所示，所述阵列基板20(Array Substrate，又称Thin Film Transistor Substrate ,TFT基板或薄膜晶体管基板)包括衬底基材21以及形成于衬底基材21上的薄膜晶体管22、平坦钝化层(Over coatLayer)23以及像素电极24，薄膜晶体管22包括栅极221、栅极绝缘层222、主动层223以及源极224和漏极225。其中，栅极221形成于衬底基材21上;栅极绝缘层222形成于衬底基材21上并覆盖栅极221;主动层223形成于栅极绝缘层222上且位于栅极221的上方，主动层223背向栅极221的一侧形成有沟道P，该沟道P为薄膜晶体管22的背沟道;源极224和漏极225形成于主动层223上且分别位于主动层223的两端;平坦钝化层23形成于源极224、漏极225、主动层223以及未被薄膜晶体管22覆盖的栅极绝缘层222上，平坦钝化层23形成有暴露漏极225表面的接触孔01;像素电极24形成于平坦钝化层23上以及接触孔&内，像素电极24可以通过接触孔O1与薄膜晶体管22的漏极225电连接。
[0023]与图1所示现有技术不同的是，在本发明实施例的薄膜晶体管22的结构中，主动层223在衬底基材21上的正投影覆盖栅极221以及位于栅极221两侧的衬底基材21，且沟道P在衬底基材21上的正投影位于栅极221所在区域之内，其中所述正投影指的是沿垂直于衬底基材21的视线方向主动层223以及沟道P在衬底基材21上的投影。
[0024]结合图2所示，a表示栅极221所对应区域，b表示主动层223所对应区域，c表示沟道P所对应区域，其中a、b、c也可分别表示栅极221、主动层223、沟道P沿图中水平方向的宽度。也就是说，本发明实施例设计栅极221的宽度a小于主动层223的宽度b且大于沟道P的宽度C，即c〈a〈b。与现有技术相比，本发明实施例通过缩短栅极221的宽度，减小了源极224与栅极221(在衬底基材21上的正投影)的重叠区域以及漏极225与栅极221(在衬底基材21上的正投影)的重叠区域之和，从而能够缩小源极224和漏极225与栅极221之间的寄生电容，提升具有阵列基板20的液晶显示面板及液晶显示装置的显示品质。
[0025]另外，图2所示d和e表示欧姆接触区域，其中d表示背光照射区，e表示栅极遮挡区，当然d、e也可分别表示背光照射区、栅极遮挡区沿图中水平方向的宽度，e = a-c。在薄膜晶体管22导通时，通过对栅极221施加电压，从而为区域c和区域e的主动层223提供载子;通过背光照射激发，从而为栅极221遮挡之外且位于区域d的主动层223提供载子。在薄膜晶体管22关闭时，由不透光的栅极221遮挡主动层223，从而降低薄膜晶体管22在区域c和区域e之处的漏电流。
[0026]在本实施例中，主动层223包括依次形成于栅极绝缘层222上的多晶硅(a-Si)半导体层2231、欧姆接触层2232。其中，欧姆接触层2232包括区域d和区域e，且为多晶硅半导体层2231进行重掺杂之后所形成，多晶硅半导体层2231包括但不限于金属氧化物半导体层，例如包含铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锡氧化物(ITO)，多晶硅半导体层223