1背向栅极221的一侧形成有所述沟道P，欧姆接触层2232位于沟道P上方且形成有与沟道P相通的狭缝02。由于金属氧化物半导体层的载子迀移率高，因此本发明实施例即使在薄膜晶体管22的结构设计上使得源极224和漏极225与栅极221的重叠区域较小，也能够在主动层223中形成导电通道。
[0027]本发明实施例的首要目的是通过设计栅极221的宽度a小于主动层223的宽度b以减小源极224和漏极225与栅极221的重叠区域，核心在于栅极221的宽度a小于主动层223的宽度b，而对于源极224和漏极225的宽度无必然限制，当然，为了进一步减小源极224和漏极225与栅极221的重叠区域，本发明实施例在上述基础上还可以进行其他设计，例如:第一种，源极224在衬底基材21上的正投影与栅极221部分重叠，而漏极225在衬底基材21上的正投影与栅极221无重叠;第二种，漏极225在衬底基材21上的正投影与栅极221部分重叠，而源极224在衬底基材21上的正投影与栅极221无重叠；第三种，源极224和漏极225在衬底基材21上的正投影与栅极221均无重叠。
[0028]当然，阵列基板20还具有现有技术的其他结构，例如还包括形成于阵列基板20中的公共电极以及位于公共电极与像素电极24之间的保护层。图3是本发明另一实施例的阵列基板的结构剖视图。为描述各实施例之间的不同，相同结构元件采用相同标号。如图3所示，在图2所示实施例的描述基础上但与之不同的是，本实施例的阵列基板20还包括形成于平坦钝化层23和像素电极24之间的公共电极30和绝缘层31，S卩:公共电极30形成于平坦钝化层23上;绝缘层31形成于公共电极30上，其中绝缘层31又称PV(Passivat1n,钝化)层;像素电极24形成于绝缘层31和平坦钝化层23上以及接触孔(^内，像素电极24可以通过接触孔O1与薄膜晶体管22的漏极225电连接。
[0029]图4是本发明又一实施例的阵列基板的结构剖视图。为描述各实施例之间的不同，相同结构元件采用相同标号。如图4所示，在图2所示实施例的描述基础上但与之不同的是，本实施例的阵列基板20还包括形成于沟道P上的保护层41。由于形成沟道P的半导体是一种对水和氧极其敏感的材料，水分子和氧分子极易对其电学性能产生影响，因此为了提高沟道P的电学稳定性，需要在沟道P上形成一保护层41，也可称为水氧阻隔层或刻蚀阻挡(EtchStop Layer，ESL)层。
[0030]保护层41的材质包括但不限于为氧化硅Si02、氮化硅Si3N4,可采用化学气相沉积(Chemical vapor deposit1n，CVD)、原子层外延(Atom Layer Deposit1n，ALD)、磁控派射(Sputter)等方式制得。
[0031]当然，保护层41的表面还可以包括Al2O3层，Al2O3层由采用磁控溅射法形成的Al层在氧气浓度高于21 %的氛围中以300?400°C的温度进行热退火处理制得。具体地，Al原子在氧气O2浓度高于21 %的富氧氛围中发生氧化反应，能够最大程度的生成Al2O3，同时300?400°C的温度能够促使所述氧化反应以使Al层中尽可能多的Al原子被氧化，从而最大程度的保证所形成的Al2O3层的致密性，使其膜质较高，进一步确保沟道P的电学性能。另外，在富氧氛围中进行热退火处理可同时具有三个作用:一是，降低沟道P的缺陷态密度，获得良好的主动层电学特性;二是，一定程度上修复在主动层223的沉积和图案化过程中，磁控溅射或者刻蚀等制造工艺对沟道P造成的损伤;三是，将Al层氧化为膜质较高的Al2O3层，以形成较好的沟道保护层。
[0032]本发明实施例还提供一种如图5所示的液晶显示面板。如图5所示，所述液晶显示面板50包括相对间隔设置的阵列基板51和彩膜基板(Color Filter，CF基板或彩色滤光片基板)52，以及夹持于阵列基板51和彩膜基板52之间的液晶(液晶分子)53，其中，液晶53位于阵列基板51和彩膜基板52叠加组合成的液晶盒内。所述阵列基板51包括上述任一实施例的阵列基板20，因此具有与其相同的有益效果。
[0033I 本发明实施例还提供一种如图6所示的液晶显示装置60，该液晶显示装置60包括上述液晶显示面板50以及为液晶显示面板50提供光线的背光模组61。由于该液晶显示装置60也具有阵列基板20的上述设计，因此亦具有相同的有益效果。
[0034]应理解，以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括: 衬底基材； 栅极，形成于所述衬底基材上； 栅极绝缘层，形成于所述衬底基材上并覆盖所述栅极； 主动层，形成于所述栅极绝缘层上且位于所述栅极的上方，所述主动层背向所述栅极的一侧形成有沟道，其中所述主动层在所述衬底基材上的正投影覆盖所述栅极及其两侧的衬底基材，且所述沟道在所述衬底基材上的正投影位于所述栅极所在区域之内； 源极和漏极，形成于所述主动层上且分别位于所述主动层的两端。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主动层包括依次形成于所述栅极绝缘层上的多晶硅半导体层、欧姆接触层，所述多晶硅半导体层背向所述栅极的一侧形成有所述沟道，所述欧姆接触层形成有位于所述沟道上方且与所述沟道相通的狭缝。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极在所述衬底基材上的正投影与所述栅极部分重叠，所述漏极在所述衬底基材上的正投影与所述栅极无重叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极在所述衬底基材上的正投影与所述栅极部分重叠，所述源极在所述衬底基材上的正投影与所述栅极无重叠。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极在所述衬底基材上的正投影与所述栅极无重叠。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括: 平坦钝化层，形成于所述源极、所述漏极以及所述主动层上，所述平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔； 像素电极，形成于所述平坦钝化层上以及所述接触孔内，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极电连接。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括: 平坦钝化层，形成于所述源极、所述漏极以及所述主动层上，所述平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔； 公共电极，形成于所述平坦钝化层上； 绝缘层，形成于所述公共电极上； 像素电极，形成于所述绝缘层和所述平坦钝化层上以及所述接触孔内，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极电连接。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括: 保护层，形成于所述主动层的沟道上，所述保护层的表面包括Al2O3层，所述Al2O3层由采用磁控溅射法形成的Al层在氧气浓度高于21 %的氛围中以300?400°C的温度进行热退火处理制得。9.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括相对间隔设置的第一基板和第二基板，以及填充于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶，其中，所述第一基板和所述第二基板中的一者包括上述权利要求1-8任意一项所述的阵列基板。10.—种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括液晶显示面板以及为所述液晶显示面板提供光线的背光模组，其特征在于，所述液晶显示面板包括权利要求9所述的液晶显不面板。
【专利摘要】本发明公开一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置，设计栅极的宽度小于薄膜晶体管的主动层的宽度且大于薄膜晶体管的沟道的宽度，通过缩短栅极的宽度，减小源极和漏极与栅极的重叠区域，从而缩小源极和漏极与栅极之间的寄生电容，提升显示品质。
【IPC分类】G02F1/1362, G02F1/1345, G02F1/1368
【公开号】CN105589276
【申请号】CN201610144317
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2016年3月14日