本揭示内容是关于一种搬运装置及其方法，特别是关于一种具接触结构的基板搬运装置及其方法。
背景技术
在集成电路(integratedcircuit；ic)制造过程中，使用制造设备的各零件形成及测试个别ic组件以执行多个操作。ic建于其上的基板在设备的各零件之间及之内移动同时隔开可损坏电路功能的杂质。此种移动经常包括具有在多处接触基板的装置的搬运基板。
ic基板的制造日益包括背面操作，其中各材料用以形成底层。这些底层经常接触基板搬运装置。
技术实现要素：
本揭示内容的实施方式是关于一种基板搬运装置，包含基板接收区，其由边缘界定。基板接收区包含平坦表面以及多个接触结构。上述接触结构的至少一个接触结构位于边缘处及上述接触结构的至少一个接触结构位于平坦表面上。上述基板接收区及平坦表面由第一材料组成，以及上述多个接触结构的每个接触结构包含不同于第一材料的第二材料，第二材料具有与基板材料的硬度相对应的硬度。
附图说明
当结合附图阅读时，自以下详细描述很好地理解本揭示案的态样。应当注意，根据工业中标准实务，各特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的大小可任意地增加或缩小。
图1a至图1d为根据一些实施例的基板搬运装置的示图；
图2a至图2b为根据一些实施例的基板搬运装置的示图；
图3为根据一些实施例的接触材料表面图案的示图；
图4为根据一些实施例的对准基板接触材料至基板材料的方法的流程图。
具体实施方式
以下揭示案提供用于实施所提供目标的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述了组件、数值、操作、材料、布置等的特定实例以简化本揭示案。当然，这些仅仅为实例且不意指限制。可设想其他组件、数值、操作、材料、布置等。举例而言，在随后描述中的第一特征在第二特征上方或在第二特征上的形成可包括其中第一及第二特征形成为直接接触的实施例，以及亦可包括额外特征可形成在第一及第二特征之间，以使得第一及第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示案在各实例中可重复组件符号及/或字母。此重复为出于简易及清楚的目的，且本身不指示所论述各实施例及/或配置之间的关系。
另外，空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者，在此为便于描述可用于描述诸图中所图标一个组件或特征与另一组件(或多个组件)或特征(或多个特征)的关系。除图形中描绘的方向外，空间相对术语意图是包含装置在使用或操作中的不同的方向。组件可为不同朝向(旋转90度或在其他的方向)及在此使用的空间相关的描述词可因此同样地解释。
在各实施例中，基板搬运装置包括多个接触结构。多个接触结构的每个接触结构包括具有与基板材料的硬度相对应的硬度的材料。由于硬度匹配，相比于其中硬度与要接触的基板材料的硬度不相对应的方法，对基板还是基板搬运装置的刮伤或其他损坏减少。
图1a至图1d为根据一些实施例的基板搬运装置100的图。图1a描绘基板搬运装置100的俯视图，及图1b至图1d描绘根据一些实施例的沿a-a'线段截取的基板搬运装置100的横截面视图。除基板搬运装置100之外，图1a至图1d亦描绘基板150。
基板搬运装置100包括边缘105、通过边缘105界定的基板接收区110、多个接触结构120a、120b及120c(统称为120)、及孔130。在图1a中描绘的实施例中，基板搬运装置100包括四个接触结构120a、四个接触结构120b及单个接触结构120c。在各实施例中，基板搬运装置100包括大于或少于四个接触结构120a。在各实施例中，基板搬运装置100包括大于或少于四个接触结构120b。在各实施例中，基板搬运装置100包括大于单个接触结构120c。
基板搬运装置100为一刚性结构，此刚性结构经配置以通过支撑基板的重量来控制基板的位置。在一些实施例中，基板搬运装置100经配置以当将基板自第一位置传递至第二位置时通过支撑基板的横向移动来控制基板的多个位置。
在一些实施例中，基板搬运装置100为机械臂的机械叶片。在一些实施例中，基板搬运装置100为在ic制造环境中的制程腔室的组件。在一些实施例中，基板搬运装置100为测试台的组件。在一些实施例中，基板搬运装置100为基板载体的多个基板搬运装置100的一个基板搬运装置100。
基板搬运装置100包括一或多个金属或具有足以支撑及在一些实施例中传递基板的刚性及强度的其他材料。
边缘105包括基板搬运装置100的大体上垂直部分，其将基板接收区110与基板搬运装置100的相对较厚部分103分隔，进而在基板搬运装置100内界定基板接收区110。在一些实施例中，边缘105具有包括除大体上垂直部分外的部分的轮廓。
在图1a中描绘的实施例中，在平面图中边缘105具有弧形轮廓。在一些实施例中，边缘105具有直线轮廓。在一些实施例中，边缘105具有包括多个段的轮廓，及每个段具有在俯视图中描绘的弧形或直线形状。在一些实施例中，边缘105包括多个、非连续段，及每个段具有弧形或直线轮廓。
基板接收区110为相比于形成边缘的较厚部分通过边缘105界定的基板搬运装置100的相对较薄部分。基板接收区110具有大体上平坦的上部表面112。在一些实施例中，上部表面112垂直于边缘105。
多个接触结构120包括定位在靠近边缘105的基板接收区110中的接触结构120a、定位在远离边缘105的基板接收区110中的接触结构120b，及在边缘105的大体上垂直部分处的接触结构120c。
每个接触结构120a包括顶表面122a，每个接触结构120b包括顶表面122b，及接触结构120c包括侧面122c。在一些实施例中，多个接触结构120包括多于一个接触结构120c，及每个接触结构120c包括侧面122c。
每个接触结构120a在上部表面112上方延伸，及进而经配置以使得在操作中，顶表面122a接触基板，例如在基板接收区110中边缘105附近的位置被支撑的基板150。每个接触结构120b在上部表面112上方延伸，及进而经配置以使得在操作中，顶表面122b接触基板，例如在基板接收区110远离边缘105的位置被支撑的基板150。
接触结构120c自边缘105横向延伸，及进而经配置以使得在操作中，侧面122c能够接触一基板，例如被支撑及在一些实施例中在基板接收区110中沿边缘105的位置传递的基板150。在图1b中描绘的实施例中，侧面122c为大体上垂直的，进而经配置以使得在操作中侧面122c接触基板150的侧壁152。
在图1b中描绘的实施例中，接触结构120c经附接至边缘105以使得位于边缘105处并自边缘105横向延伸。在一些实施例中，接触结构120c经附接至上部表面112以使得位于边缘105并自边缘105横向延伸。
在图1c中描绘的实施例中，侧面122c包括水平部分，进而经配置以使得在操作中侧面122c接触基板150的角落154。
在图1d中描绘的实施例中，侧面122c包括水平部分，多个接触结构120并不包括接触结构120a，及进而经配置以便在操作中，基板，例如基板150，其通过沿边缘105的接触结构120c及通过远离边缘105的接触结构120b来支撑。
在图1c及图1d中描绘的一些实施例中，接触结构120c经附接至边缘105以便位于边缘105处并自边缘105横向延伸。在图1c及图1d中描绘的一些实施例中，接触结构120c经附接至上部表面112以便位于边缘105并自边缘105横向延伸。
顶表面122a及顶表面122b及侧面122c的每个为具有与例如基板150的基板的材料的硬度相对应的硬度的接触材料表面。在一些实施例中，接触材料具有与基板材料的硬度相对应的硬度。在一些实施例中，接触结构120a、接触结构120b或接触结构120c的一或多个仅包括接触材料。在一些实施例中，接触结构120a、接触结构120b或接触结构120c的一或多个包括除接触材料外的一或多个材料。
在一些实施例中，接触或基板材料的一个或两个包括硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、金属、金属合金、金属氧化物，或聚合物。
在一些实施例中，根据莫式硬度决定材料硬度。在一些实施例中，具有与基板材料的硬度相对应的硬度的接触材料基于通过基板材料的莫氏硬度值决定的一定范围的值。在一些实施例中，具有与基板材料的硬度相对应的硬度的接触材料基于具有在基板材料的两个莫氏硬度值之间的莫氏硬度值的接触材料。在一些实施例中，具有与基板材料的硬度相对应的硬度的接触材料基于具有在基板材料的一个莫氏硬度值之内的莫氏硬度值的接触材料。
在第一非限制实例中，基板材料为具有9.5的莫氏硬度值的氮化硅。在这种情况下，对应于具有在基板值的莫氏硬度值的一个内的莫氏硬度值的接触材料的范围为自8.5至10.5。在此实例中，具有在8.5至10.5的范围内的莫氏硬度值9.0的氧化铝接触材料，将具有与氮化硅硬度相对应的硬度。
在第二非限制实例中，基板材料为具有7.0的莫氏硬度值的二氧化硅。在这种情况下，对应于具有在基板值的莫氏硬度值的两个内的莫氏硬度值的接触材料的范围为自5.0至9.0。在此实例中，具有在5.0至9.0的范围内的莫氏硬度值9.0的氧化铝接触材料，将具有与二氧化硅硬度相对应的硬度。在此实例中，具有在5.0至9.0的范围内的莫氏硬度值7.0的石英接触材料，亦将具有与二氧化硅硬度相对应的硬度。
在一些实施例中，顶表面122a、顶表面122b或侧面122c的一或多个包括一图案，例如接触材料表面图案300a、300b或300c的一或多个，如下文关于图3论述，此等图案增加顶表面122a、顶表面122b或侧面122c的一或多个的静摩擦系数。在一些实施例中，相比于平坦表面，此图案将静摩擦系数增加了2至10倍。
孔130为基板搬运装置100中的开口，此开口经配置以使得基板搬运装置100与机械臂或其他控制孔机械耦接。在图1a中描绘的实施例中，孔130位于基板接收区110中。在一些实施例中，孔130位于基板搬运装置100上基板接收区110外部的位置。在一些实施例中，基板搬运装置100不包括孔130，及基板搬运装置100另外经配置以与机械臂或其他控制设备机械耦接。
在图1a至图1d中描绘的实施例中，基板接收区110分叉，及接触结构120b通过缝隙而分隔并对齐大体上直线。在一些实施例中，基板接收区110具有y形状，及接触结构120b通过缝隙分隔并沿对应于例如基板150的基板的周边的弧形对齐。在一些实施例中，基板接收区110为单端，及接触结构120b以直线或弧形来排列而无缝隙。
在一些实施例中，多个接触结构120包括除接触结构120a、120b及120c外的接触结构。在一些实施例中，多个接触结构120包括一或多接触结构(未图标)，此等一或多接触结构定位在或靠近基板接收区110的中心及经配置以在基板的中心上或附近接触例如基板150的基板的背面。
通过包括上文描述的特征，基板搬运装置100经配置以使用一接触材料接触基板，此接触材料具有与正接触的基板材料的硬度相对应的硬度。由于硬度匹配，相比于其中硬度与正接触的基板材料的硬度不相对应的方法，对基板或基板搬运装置的刮伤或其他损坏减少。
减少基板损害降低损害基板上的电路或结构的风险。减少基板搬运装置损害可以增加基板搬运装置的有效寿命。减少基板及基板搬运装置损害亦减少自基板及基板搬运装置表面释放粒子的风险，其中基板及基板搬运装置表面会引入能够损害电路功能的杂质。
在一些实施例中，通过包括顶表面122a、顶表面122b或侧面122c的一或多个，基板搬运装置100亦能够使用一表面接触基板，此表面具有比不包括增加静摩擦系数的图案的表面更高的摩擦系数。所增加的静摩擦系数减少当支撑及在一些实施例中传递基板时滑动的可能性，进而减少来自基板与基板搬运装置100之间因磨损的刮伤或其他损害的可能性。
图2a至图2b为根据一些实施例的基板搬运装置200的图。图2a描绘基板搬运装置200的俯视图，及图2b描绘沿线b-b'线段截取的基板搬运装置200的横截面视图。除基板搬运装置200外，图2a至图2b描绘基板150，如上文关于图1a至图1d论述。
基板搬运装置200包含主体205，在主体205内可伸缩的多个升举销210，及对应于多个升举销210的多个接触结构220。在一些实施例中，基板搬运装置200为在ic制造环境中的制程腔室的组件。在一些实施例中，基板搬运装置200为测试台的组件。
主体205为具有大体上平坦的上部表面或上部表面部分202的碟型物。主体205包括一或多个金属或具有足以在一或多个ic处理操作期间支撑基板的刚性及强度的其他材料。在一些实施例中，主体205为平台。在一些实施例中，主体205经配置以旋转。在一些实施例中，主体205经配置以增加及/或降低主体205的温度。
多个升举销210经配置以从主体205装载及卸除基板时通过相对于上部表面或上部表面部分202升高及降下基板来支撑基板。在一些实施例中，多个升举销210包括三个升举销210。在一些实施例中，多个升举销210包括多于三个升举销210。
多个接触结构220的每个接触结构220定位在多个升举销210的对应升举销210上，及包括顶表面222。
多个接触结构220类似于多个接触结构120的接触结构120a及接触结构120b，及顶表面222类似于顶表面122a及顶表面122b，如上文关于基板搬运装置100及图1a至图1d论述。
通过包括多个接触结构220的特征，基板搬运装置200经配置以使用一接触材料接触基板，此接触材料具有与正接触的基板材料的硬度相对应的硬度。进而基板搬运装置200能够提供上文关于基板搬运装置100论述的优点。
在一些实施例中，通过包括经图案化以增加静摩擦系数的顶表面222，基板搬运装置200经配置以提供上文关于基板搬运装置100论述的额外优点。
图3为根据一些实施例的接触材料表面图案300a、300b及300c的图。图3描绘接触材料表面图案300a、300b及300c的每个的俯视图。接触材料表面图案300a、300b及300c的每个可用作顶表面122a、顶表面122b或侧面122c的一或多个的接触材料表面图案，如上文关于基板搬运装置100及图1a至图1d论述。
接触材料表面图案300a为包括自平坦表面302a向上延伸的多个脊310的脊图案。在一些实施例中，多个脊310的个别脊彼此平行延伸。
多个脊310的每个脊在平坦表面302a上方等距延伸。在一些实施例中，多个脊310在平坦表面302a上方延伸了2微米(μm)至10μm的距离。在一些实施例中，多个脊310的个别脊分隔5μm至100μm的距离。
接触材料表面图案300b为包括自平坦表面302b向下延伸的多个槽320的槽图案。在一些实施例中，多个槽320的个别槽彼此平行延伸。
多个槽320的每个槽在平坦表面302b下方等距延伸。在一些实施例中，多个槽320在平坦表面302b下方延伸了2μm至10μm的距离。在一些实施例中，多个槽320的个别槽分隔5μm至100μm的距离。
接触材料表面图案300c为包括自平坦表面302c向上延伸的多个角锥330的角锥图案。在一些实施例中，多个角锥330的个别角锥具有矩形基座。在一些实施例中，多个角锥330的个别角锥具有圆形基座。
在一些实施例中，多个角锥330排列在行及列的数组中。在一些实施例中，多个角锥330排列在一系列并行线中。在一些实施例中，多个角锥330排列在一系列相交线中。
多个角锥330的每个角锥在平坦表面302c上方等距延伸。在一些实施例中，多个角锥330在平坦表面302c上方延伸了2μm至10μm的距离。在一些实施例中，多个角锥330的个别角锥分隔5μm至100μm的距离。
通过包括多个脊310、多个槽320及多个角锥330，接触材料表面图案300a、300b、及300c的每个分别提供相比于大体上平坦的接触材料表面图案而言高的静摩擦系数。
通过提供相对高的静摩擦系数，接触材料表面图案300a、300b及300c的每个用以提供上文关于顶表面122a、122b及222及侧面122c论述的优点。
图4为根据一或多个实施例的将基板接触材料与基板材料匹配的方法400的流程图。使用诸如上文关于图1a至图1d及图2a至图2b分别论述的基板搬运装置100或200的基板搬运装置去执行方法400。
其中方法400的操作在图4中描绘的序列仅用作说明；方法400的操作能够以不同于在图4中描述的序列执行。在一些实施例中，在图4中描绘的操作之外的操作其可在图4中描绘的操作前、之间及/或之后被执行。
在操作410处，决定基板材料的硬度。在一些实施例中，决定基板材料的硬度包括决定基板材料的莫氏硬度值。在一些实施例中，决定基板材料的硬度包括在表格、数据库或其他适当参考文献中查找硬度值。在一些实施例中，决定基板材料的硬度包括对基板材料执行测试。
在一些实施例中，决定基板材料的硬度包括决定形成基板的材料的硬度。在一些实施例中，决定基板材料的硬度包括决定不同于形成基板的材料的材料硬度。在一些实施例中，决定基板材料的硬度包括决定在基板的背面上沉积的材料层的硬度。
在操作420处，匹配基板接触材料的硬度至基板材料的硬度。在一些实施例中，匹配基板接触材料的硬度至基板材料的硬度包括基于莫式矿物硬度值匹配硬度。在一些实施例中，匹配基板接触材料的硬度至基板材料的硬度为基于通过基板材料的莫氏硬度值决定的一范围的值。
在一些实施例中，基于上文关于顶表面122a及顶表面122b及侧面122c、及图1a至图1d论述的莫式硬度刻度值的范围，匹配基板接触材料的硬度至基板材料的硬度。
在操作430处，在一些实施例中，将具有与基板材料的硬度相匹配的硬度的基板接触材料添加至基板搬运装置。在一些实施例中，添加基板接触材料包括将多个接触结构附接至基板搬运装置。
在一些实施例中，基板搬运装置为机械叶片，及添加基板接触材料包括沿边缘或在表面上附接基板接触结构，此边缘经配置以接触基板的周边，此表面经配置以接触基板的背面。在一些实施例中，基板搬运装置为基板载体，及添加基板接触材料包括在经配置以接触基板的周边或背面的位置处附接基板接触结构。
在一些实施例中，基板搬运装置为基板搬运装置100，及添加基板接触材料包括添加多个接触结构120，如上文关于图1a至图1d论述。
在一些实施例中，基板搬运装置包括升举销，及添加基板接触材料包含将接触结构附接至升举销的顶表面。在一些实施例中，基板搬运装置为基板搬运装置200，及添加基板接触材料包括添加多个接触结构220，如上文关于图2a至图2b论述。
在操作440处，在一些实施例中，基于具有与基板材料的硬度相匹配的硬度的基板接触材料，自多个基板搬运装置选择基板搬运装置。在一些实施例中，基板搬运装置为机械叶片，及选择基板搬运装置包括基于基板接触材料的硬度自多个机械叶片中选择机械叶片，此基板接触材料被包含于在多个机械叶片的每个机械叶片上的多个接触结构中。
在一些实施例中，基板搬运装置为基板载体，及选择基板搬运装置包括基于基板接触材料的硬度自多个基板载体选择基板载体，此基板接触材料被包含于在多个基板载体的每个基板载体上的多个接触结构中。
在一些实施例中，选择基板搬运装置包括自多个基板搬运装置100中选择基板搬运装置100，如上文关于图1a至图1d论述。
在一些实施例中，基板搬运装置包括升举销，及选择基板搬运装置包括基于基板接触材料的硬度自多个基板搬运装置选择基板搬运装置，此基板接触材料被包含于在升举销上的接触结构中。在一些实施例中，选择基板搬运装置包括自多个基板搬运装置200中选择基板搬运装置200，如上文关于图2a至图2b论述。
在操作450处，在一些实施例中，改变基板接触材料的表面来增加基板搬运接触材料的表面的静摩擦系数。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括使用蚀刻制程。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括使用沉积制程。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括使用雷射纹理制程。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括使用电子束纹理制程。
在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括在基板接触材料的表面上形成图案。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括形成脊图案。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括形成接触材料表面图案300a，如上文关于图3论述。
在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括形成槽图案。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括形成接触材料表面图案300b，如上文关于图3论述。
在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括形成角锥图案。在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括形成接触材料表面图案300c，如上文关于图3论述。
在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括改变顶表面122a、顶表面122b或侧面122c的一或多个，如上文关于基板搬运装置100及图1a至图1d论述。
在一些实施例中，改变基板接触材料的表面包括改变顶表面222，如上文关于基板搬运装置200及图2a至图2b论述。
在操作460处，在一些实施例中，使用基板搬运装置控制基板的位置。基板搬运装置包括基板接触材料，及使用基板搬运装置控制基板的位置包括将基板材料与基板接触材料接触。
在一些实施例中，基板搬运装置为机械叶片，及使用基板搬运装置来控制基板的位置包括将基板材料与基板接触材料接触，此基板接触材料被包含于在机械叶片上的接触结构中。
在一些实施例中，基板搬运装置为基板载体，及使用基板搬运装置来控制基板的位置包括将基板材料与基板接触材料接触，此基板接触材料被包含于在基板载体上的接触结构中。
在一些实施例中，使用基板搬运装置控制基板的位置包括使用基板搬运装置100来控制基板的位置，如上文关于图1a至图1d论述。
在一些实施例中，基板搬运装置包括升举销，及使用基板搬运装置来控制基板的位置包括将基板材料与基板接触材料接触，此基板接触材料被包含于在升举销的顶表面上的接触结构中。
在一些实施例中，使用基板搬运装置控制基板的位置包括使用基板搬运装置200来控制基板的位置，如上文关于图2a至图2b论述。
通过执行方法400的操作，使用一接触材料接触基板，此接触材料具有与正接触的基板材料的硬度相对应的硬度。由于硬度匹配，相比于其中硬度与正接触的基板材料的硬度不相对应的方法，对基板或者基板搬运装置的刮伤或其他损坏减少。执行方法400的操作，进而提供上文关于基板搬运装置100论述的优点。
在一些实施例中，通过执行操作450来增加静摩擦系数，方法400提供上文关于基板搬运装置100论述的额外优点。
在一些实施例中，基板搬运装置包括第一材料及通过边缘界定的基板接收区。基板接收区包括平坦表面及多个接触结构。多个接触结构的至少一个接触结构位于边缘处及多个接触结构的至少一个接触结构位于平坦表面上。多个接触结构的每个接触结构包含不同于第一材料的第二材料，第二材料具有与基板材料的硬度相对应的硬度。
在一些实施例中，基板搬运装置包括多个接触结构。该多个接触结构的至少一个接触结构包含脊图案、槽图案或角锥图案的一或多个。
在一些实施例中，于基板搬运装置中，位于平坦表面上的多个接触结构的至少一个接触结构包含在边缘附近的第一接触结构及远离边缘的第二接触结构。多个接触结构的每个接触结构包含不同于第一材料的第二材料，第二材料具有与基板材料的硬度相对应的硬度。
在一些实施例中，基板搬运装置的第二材料，其第二材料包含碳化硅。
在一些实施例中，基板搬运装置的第二材料，第二材料，其第二材料包含二氧化硅。
在一些实施例中，基板搬运装置中的边缘具有弧形轮廓，及位于边缘处的多个接触结构的至少一个接触结构沿弧形轮廓延伸。
在一些实施例中，基板搬运装置中的边缘具有弧形轮廓，及位于边缘处的多个接触结构的至少一个接触结构包含至少两个接触结构。
在一些实施例中，基板搬运装置为晶圆载体的多个基板搬运装置的一个基板搬运装置。
在一些实施例中，对准基板接触材料至基板材料的方法包括决定基板材料的硬度、匹配基板接触材料的硬度至基板材料的硬度，及将基板接触材料添加至基板搬运装置。
在一些实施例中，对准基板接触材料至基板材料的方法包含将基板接触材料的硬度与基板材料的硬度的匹配包含选择具有莫氏硬度刻度值的基板接触材料，莫式硬度刻度值在通过基板材料的莫氏硬度刻度值决定的范围内。
在一些实施例中，添加基板接触材料的步骤包含将多个接触结构附接至基板搬运装置。
一些实施例中，对准基板接触材料至基板材料的方法中，基板搬运装置为机械叶片，及添加基板接触材料的步骤包含沿边缘附接基板接触结构，边缘经配置以接触基板的周边。
一些实施例中，对准基板接触材料至基板材料的方法包括中，基板搬运装置包括升举销，及添加基板接触材料的步骤包含将接触结构附接至升举销的顶表面。
一些实施例中，对准基板接触材料至基板材料的方法中，基板搬运装置为基板载体。
一些实施例中，对准基板接触材料至基板材料的方法更进一步包含改变基板接触材料的表面以增加基板接触材料的表面的静摩擦系数。
一些实施例中，改变基板接触材料的表面的步骤包含形成脊图案、槽图案、或角锥图案的至少一个。
一些实施例中，对准基板接触材料至基板材料的方法更包含使用基板搬运装置控制基板的位置，其中基板包含基板材料，及使用基板搬运装置控制基板的位置的步骤包含将基板材料与基板接触材料接触。
在一些实施例中，基板搬运装置包括主体，在主体内可伸缩的多个升举销，及对应于多个升举销的多个接触结构。多个升举销由第一材料组成。
在一些实施例中，多个接触结构的每个接触结构包含不同于第一材料的第二材料，第二材料具有与基板材料的硬度相对应的硬度。
在一些实施例中，基板搬运装置中，多个接触结构的至少一个接触结构包含脊图案、槽图案或角锥图案的一或多个。
在一些实施例中，基板搬运装置中，第二材料包含碳化硅。
上文概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭示案的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭示案作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优势。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭示案的精神及范畴，且可在不脱离本揭示案的精神及范畴的情况下产生本文的各种变化、替代及更改。