技术总结
实施例的方法包括在目标层上方形成图案化的蚀刻掩模并使用图案化的蚀刻掩模作为掩模来图案化目标层以形成图案化的目标层。该方法还包括在图案化的蚀刻掩模和图案化的目标层上执行第一清洁工艺，第一清洁工艺包括第一溶液。该方法附加地包括执行第二清洁工艺以去除图案化的蚀刻掩模并形成暴露的图案化的目标层，第二清洁工艺包括第二溶液。该方法还包括在暴露的图案化的目标层上执行第三清洁工艺，并且在暴露的图案化的目标层上执行第四清洁工艺，第四清洁工艺包括第一溶液。本发明实施例涉及去除蚀刻掩模的方法。
技术研发人员：朱君瀚;陈乃嘉;卓琮闵;黄秉荣;施瑞明;严必明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.11.28
技术公布日：2018.06.12