LED灯板及LED灯具的制作方法

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种LED灯板及LED灯具。

背景技术：

LED(Lightemittingdiode,发光二极管)显示屏作为新型的显示技术，以其节能、环保、高亮等优点逐渐被市场接受，从而被广泛应用于都市传媒、城市交通等领域。现有的LED显示屏，不同于LED背光液晶显示屏，其通常是由多个LED灯板拼接而成，而每个LED灯板通过对应的驱动电路进行驱动显示。

目前，市面上常见的LED灯板，必须单独采购LED灯珠和PCB板，再将LED灯珠通过SMT工艺焊接至PCB板上，这种工艺人工成本和物料成本高的问题一直困扰着灯具厂商。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种LED灯板及LED灯具。

本发明实施例提供了一种LED灯板，包括：

基板；

焊盘，设置于所述基板上；

倒装全彩LED芯片，固定于所述焊盘上；

透明硅胶，设置于所述倒装全彩LED芯片上。

在本发明的一种实施方式中，所述焊盘均匀且呈矩阵形式排布于所述基板上。

在本发明的一种实施方式中，所述透明硅胶的圆弧面角度为135度。在本发明的一种实施方式中，所述基板为铝基板，所述铝基板包括底基板、绝缘层及导电层，所述绝缘层及所述导电层依次层叠于所述底基板上。

在本发明的一种实施方式中，还包括正电极和负电极，所述正电极与所述负电极设置于所述底基板表面两侧位置处且焊接于所述导电层。

在本发明的一种实施方式中，所述绝缘层为类金刚石镀膜材料，所述导电层为铜材料。

在本发明的一种实施方式中，，所述倒装全彩LED芯片包括RGBW垂直结构LED器件。

在本发明的一种实施方式中，所述RGBW垂直结构LED器件包括：第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，

所述公共正电极组件设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件及所述白光发光组件上，所述第一蓝光发光组件负电极、所述第一红光发光组件负电极、所述第一绿光发光组件负电极分别设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件上，所述白光发光组件负极设置于所述白光发光组上。

本发明还提供一种LED灯具，包括以上任一种实施方式中的所述LED灯板。

本发明实施例，通过采用倒装全彩LED芯片焊接于铝基板上免去了后续的SMT封装工艺，便于生产、成本低廉，产品性能更好。其次，通过采用类金刚石镀膜材料(DLC)取代传统金属电路板的绝缘层-环氧树脂，提升基板的热传导率，解决LED灯板的散热与热阻问题。另外，采用RGBW垂直结构LED器件作为LED灯芯，在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少，集成度高。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种LED灯板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种铝基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种LED灯板的截面示意图；

图4为本发明提供的一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片结构示意图；

图5为本发明提供的另一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片结构示意图；

图6为在所述衬底上制备蓝光发光组件的流程示意图；

图7为本发明提供的一种第一InGaN/GaN多量子阱有源层结构示意图；

图8为本发明提供的第一SiO₂隔离壁的位置示意图；

图9为本发明提供的在所述红光灯芯槽中制备红光发光组件的流程示意图；

图10为本发明提供的一种GalnP/A1GaInP多量子阱有源层结构示意图；

图11为本发明提供的为本发明提供的第二SiO₂隔离壁的位置示意图；

图12为本发明提供的在所述绿光灯芯槽中制备绿光发光组件的流程示意图；

图13为本发明提供的通过刻蚀蓝光发光组件、红光发光组件及绿光发光组件而形成的白光发光组件结构示意图；

图14为本发明提供的一种LED芯片结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种LED灯板的结构示意图。该LED灯板可以应用于LED显示屏、LED灯具等多种设备中。具体地，该LED灯板可以包括基板911、焊盘12、倒装全彩LED芯片13及透明硅胶14。其中，焊盘12设置于基板911上，倒装全彩LED芯片13固定于所述焊盘上，透明硅胶14设置于倒装全彩LED芯片上。

其中，请参见图2，图2为本发明实施例提供的一种铝基板的结构示意图。该铝基板911优选可以包括底基板9111、绝缘层112及导电层113。该绝缘层112及导电层113依次层叠于底基板9111上。

优选地，绝缘层112为类金刚石镀膜材料(DLC涂层)，由其取代传统金属电路板的绝缘层-环氧树脂，可使金属电路板绝缘层的热传导率提升，解决LED照明产品的散热与热阻问题，加快灯具的导热、散热速度，提高散热效果，有效提升LED产品的寿命、可靠性、与光输出。

另外，该导电层113可以为铜材料。采用铜材料可以加快导电层113的散热速度。

进一步地，底基板9111例如为1mm～4mm、绝缘层112例如为1um～4um、导电层113例如为2um～4um。

请参见图3，图3为本发明实施例提供的一种LED灯板的截面示意图。该焊盘112可以依据基板的形状进行排列，例如，若基板为矩形，该焊盘112可以均匀且呈矩阵形式排布于基板9111上。另外，该透明硅胶114包覆在倒装全彩LED芯片113上形成球缺体，该透明硅胶114的圆弧面的圆心角为120～140度，优选为135度，其发光效率为最高。

进一步地，该LED灯板还包括正电极15和负电极16，正电极15与负电极16设置于底基板9111表面两侧位置处且焊接于导电层113。

需要重点强调的是，倒装全彩LED芯片113采用RGBW垂直结构LED器件。该器件包括：第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，公共正电极组件设置于第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件及白光发光组件上，第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极分别设置于第一蓝光发光组件、第一红光发光组件及第一绿光发光组件上，白光发光组件负极设置于白光发光组上。

本实施例，通过采用倒装全彩LED芯片焊接于铝基板上免去了后续的SMT封装工艺，便于生产、成本低廉，产品性能更好。其次，通过采用类金刚石镀膜材料(DLC)取代传统金属电路板的绝缘层-环氧树脂，提升基板的热传导率，解决LED灯板的散热与热阻问题。另外，采用RGBW垂直结构LED器件作为LED灯芯，在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少，集成度高。

实施例二

请参见图4，图4为本发明提供的一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片结构示意图。本实施例在上述实施例的基础上，重点对本发明实施例的RGBW垂直结构LED器件的结构和工艺进行详细描述。该芯片包括：

第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，

所述公共正电极组件设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件及所述白光发光组件上，所述第一蓝光发光组件负电极、所述第一红光发光组件负电极、所述第一绿光发光组件负电极分别设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件上，所述白光发光组件负极设置于所述白光发光组上。

进一步地，在上述实施方式的基础上，本发明提供的芯片还包括：

第一SiO₂隔离壁，设置于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件之间；

第二SiO₂隔离壁，设置于隔离所述红光发光组件与所述绿光发光组件之间；

白光隔离壁，设置于隔离所述绿光发光组件与所述白光发光组件之间。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述白光发光组件包括第二蓝光发光组件、第二红光发光组件、第二绿光发光组件，所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及第二绿光发光组件用于在驱动电压的控制下合成白光。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述公共正电极组件包括：

第一金属接触层，设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件上表面；

反光金属层，设置于所述第一金属接触层上；

第二金属接触层，设置于所述反光金属层上；

导电衬底层，设置于所述第二金属接触层上。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述白光发光组件负极包括：

第二蓝光发光组件负电极，设置于所述第二蓝光发光组件上；

第二红光发光组件负电极，设置于所述第二红光发光组件上；

第二绿光发光组件负电极，设置于所述第二绿光发光组件上。

具体地，请参见图5，图5为本发明提供的另一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片结构示意图。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述蓝光发光组件依次包括：

第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一n型GaN层、第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)及第一p型GaN层(106)。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述红光发光组件依次包括：

第二GaN缓冲层、n型GaAs缓冲层、n型GaAs稳定层、GalnP/A1GaInP多量子阱有源层、p型A1GaInP阻挡层及p型GaAs接触层。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述绿光发光组件依次包括：

第三GaN缓冲层、第二GaN稳定层、第二n型GaN层、第二InGaN/GaN多量子阱有源层、第二p型AlGaN阻挡层及第二p型GaN层。

本实施例提供的一个LED芯片，蓝、红、绿、白光发光材料上各自设有独立的电极，可以独立的连接外部电压驱动端可以分别独立地发出蓝、红、绿、白光，实现了发光方式的灵活可控。相对于一个LED芯片只能发出一种光而言，实现了波长可灵活调节的成本降低。

实施例三

本实施例在实施例一的基础上，对实施例一中的LED芯片的制备方法做详细说明。

本发明提供的一种基于GaN材料的RGBW四色光源的LED芯片的制备方法，该方法具体可以为：

选择衬底；

在所述衬底上制备蓝光发光组件，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料；

对所述蓝光发光组件进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽；

在所述红光灯芯槽中制备红光发光组件；

对所述蓝光发光组件进行选择性刻蚀以形成绿光灯芯槽；

在所述绿光灯芯槽中制备绿光发光组件；

刻蚀所述蓝光发光组件、所述红光发光组件及所述绿光发光组件以形成白光发光组件；

在所述蓝光发光组件、所述红光发光组件、所述绿光发光组件和所述白光发光组件上制备公共正电极；

在所述蓝光发光组件、所述红光发光组件、所述绿光发光组件及所述白光发光组件上制备蓝光负电极、红光负电极、绿光负电极及白光负电极，以实现基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图6，图6为在所述衬底上制备蓝光发光组件的流程示意图，具体方法可以为：

在所述衬底(11)上制备第一GaN缓冲层(101)；

在所述第一GaN缓冲层(101)上制备第一GaN稳定层(102)；

在所述第一GaN稳定层(102)上制备第一n型GaN层(103)；

在所述第一n型GaN层(103)上制备第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)，所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)包括多个GaN势垒层(104a)和多个InGaN量子阱层(104b)，其中，所述GaN势垒层(104a)和所述InGaN量子阱层(104b)交替排布，即，所述GaN势垒层(104a)和InGaN量子阱层(104b)呈周期排布。在一种实施方式中，所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层的周期为8～30。并且，每个所述InGaN量子阱层(104b)厚度为1.5～3.5纳米，In的含量为10～20％；每个所述GaN势垒层(104a)厚度为5～10纳米；优选地，InGaN量子阱(104b)的制备温度为650～750℃，GaN势垒(104a)的制备温度为750～850℃；In含量还可以依据光波长需求而确定，In含量越高，光波波长越长，典型地，所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层的周期为20。具体地，请参见图7，图7为本发明提供的一种第一InGaN/GaN多量子阱有源层结构示意图。

在所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)上制备第一p型AlGaN阻挡层(105)；

在所述第一p型AlGaN阻挡层(105)上制备第一p型GaN层(106)，以完成蓝光发光组件的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，对所述蓝光发光组件进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽，具体可以为：

采用PECVD工艺在所述第一p型GaN层(106)上淀积厚度为300～800纳米的第一SiO₂层；

采用湿法刻蚀工艺在所述第一SiO₂层上特定位置处刻蚀至少一个矩形窗口；所述矩形窗口长度或宽度均大于50微米且小于300微米；

在所述矩形窗口范围内沿着与所述衬底(11)垂直的方向采用干法刻蚀工艺持续刻蚀所述蓝光发光组件，直至刻蚀至所述衬底(11)的上表面处以形成第一凹槽；随后，去除所述第一SiO₂层；

在所述第一p型GaN层(106)上表面、所述衬底(11)的上表面及所述第一凹槽的侧壁沉淀厚度为20～100纳米的第二SiO₂层；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一p型GaN层(106)上表面及所述衬底(11)的上表面的第二SiO₂层以在所述第一凹槽的侧壁形成第一SiO₂隔离壁(12)，所述第一SiO₂隔离壁(12)用于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件。具体地，请参见图8，图8为本发明提供的第一SiO₂隔离壁的位置示意图。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图9，图9为本发明提供的在所述红光灯芯槽中制备红光发光组件的流程示意图，在所述红光灯芯槽中制备红光发光组件具体可以按照如下方式进行：

在所述红光灯芯槽中制备厚度为2000～3000纳米的第二GaN缓冲层(401)；

在所述第二GaN缓冲层(401)上制备厚度为1000～2000纳米、掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3的n型GaAs缓冲层(402)；

在所述GaAs缓冲层(402)上制备厚度为500～1000纳米、掺杂浓度为1×10¹⁸～5×10¹⁹cm^-3的n型GaAs稳定层(403)；

在所述GaAs稳定层(403)上制备GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)；

所述GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)包括多个GalnP势垒层(404a)和多个A1GaInP势垒层(404b)，其中，所述GalnP势垒层(404a)和所述A1GaInP势垒层(404b)交替排布，即，所述多个GalnP势垒层(404a)和所述多个A1GaInP势垒层(404b)呈周期性排布，并且，每个所述A1GaInP势垒层(404b)厚度为5～10纳米，Al的含量为10～40％；每个所述GalnP势垒层(404a)厚度为5～10纳米；具体地，请参见图10，图10为本发明提供的一种GalnP/A1GaInP多量子阱有源层结构示意图。

在所述GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)上制备p型A1GaInP阻挡层(405)；

在所述p型A1GaInP阻挡层(405)上制备厚度为100～500纳米、掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁹cm^-3的p型GaAs接触层(406)，以完成红光发光组件的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，对所述蓝光发光组件进行选择性刻蚀以形成绿光灯芯槽，具体可以为：

采用PECVD工艺在所述第一p型GaN层(106)上淀积厚度为300～800纳米的第三SiO₂层；

采用湿法刻蚀工艺在所述第三SiO₂层上特定位置处蚀处至少一个第二矩形窗口；所述第二矩形窗口的长度或宽度均大于50微米且小于300微米；

在所述第二矩形窗口范围内沿着与所述衬底(11)垂直的方向采用干法刻蚀工艺持续刻蚀所述蓝光发光组件，直至刻蚀至所述衬底(11)的上表面处以形成第二凹槽；随后，去除所述第三SiO₂层；

在所述第一p型GaN层(106)上表面、所述衬底(11)的上表面及所述第二凹槽的侧壁沉淀厚度为20～100纳米的第四SiO₂层；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一p型GaN层(106)上表面及所述衬底(11)的上表面的第四SiO₂层以在所述第二凹槽的侧壁形成第二SiO₂隔离壁(22)，所述第二SiO2隔离壁(22)用于隔离所述红光发光组件与所述绿光发光组件。具体地，请参见图11，图11为本发明提供的为本发明提供的第二SiO₂隔离壁的位置示意图。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图12，图12为本发明提供的在所述绿光灯芯槽中制备绿光发光组件的流程示意图，在所述绿光灯芯槽中制备绿光发光组件具体可以为：

在所述绿光灯芯槽中制备厚度为3000～5000纳米的第三GaN缓冲层(201)；

在所述第三GaN缓冲层(201)上制备厚度为500～1500纳米的第二GaN稳定层(202)；

在所述第二GaN稳定层(202)上制备厚度为200～1000纳米、掺杂浓度为1×10¹⁸～5×10¹⁹cm^-3的第二n型GaN层(203)；

在所述第二n型GaN层(203)上制备第二InGaN/GaN多量子阱有源层(204)；

在所述第二InGaN/GaN多量子阱有源层(204)上制备第二p型AlGaN阻挡层(205)；所述第二p型AlGaN阻挡层(205)包括多个GaN势垒层(204a)和多个InGaN量子阱层(204b)，其中，所述GaN势垒层(204a)和所述InGaN量子阱层(204b)交替排布，并且，每个所述InGaN量子阱层(204b)厚度为1.5～3.5纳米，In的含量为30～40％；每个所述GaN势垒层(204a)厚度为5～10纳米；

在所述第二p型AlGaN阻挡层(205)上制备厚度为100～300纳米的第二p型GaN层(206)，以完成绿光发光组件的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，刻蚀所述蓝光发光组件、所述红光发光组件及所述绿光发光组件以形成白光发光组件，具体可以为：

选择性刻蚀所述蓝光发光组件、所述红光发光组件及所述绿光发光组件以形成白光隔离壁，其中，

所述白光隔离壁将所述蓝光发光组件分隔为第一蓝光发光组件和第二蓝光发光组件，将所述红光发光组件分隔为第一红光发光组件和第二红光发光组件，将所述绿光发光组件分隔为第一绿光发光组件和第二绿光发光组件，其中，

所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件分布在所述白光隔离壁的第一侧，所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件分布在所述白光隔离壁的第二侧，其中，

所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件配合使用以形成所述白光发光组件。

具体地，请参见图13，图13为本发明提供的通过刻蚀蓝光发光组件、红光发光组件及绿光发光组件而形成的白光发光组件结构示意图，图中1A、2A和3A分别代表所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件，图中1B、2B和3B分别代表所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件。

进一步地，在上述实施方式的基础上，在所述蓝光发光组件、所述红光发光组件、所述绿光发光组件和所述白光发光组件上制备公共正电极，具体可以为：

在所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件上表面制备第一金属接触层；

在所述第一金属接触层上制备反光金属层；

选取导电衬底层，在所述导电衬底层表面制备第二金属接触层；

在设定温度下使所述第二金属接触层和所述反光金属层接触以在所述导电衬底层和所述反光金属层之间形成键合效应，以实现在所述蓝光发光组件、所述红光发光组件、所述绿光发光组件和所述白光发光组件上制备公共正电极。具体地，在一种实施方式中，所述第一金属接触层就可以作为所述公共正电极。

进一步地，在上述实施方式的基础上，在所述蓝光发光组件、所述红光发光组件、所述绿光发光组件及所述白光发光组件上制备蓝光负电极、红光负电极、绿光负电极及白光负电极，具体可以为：

使用激光器去除所述衬底(11)以暴露所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件下表面；

分别在所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件下表面淀积电极金属；

选择性刻蚀所述电极金属以分别在所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件下表面以形成第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极、第二蓝光发光组件负电极、第二红光发光组件负电极及第二绿光发光组件负电极。

具体地，通过公共正电极和各个负电极，可实现在外界驱动电压下所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件独立发光，所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件配合使用可形成白光，进而在单个芯片上实现RGBW四色一体化控制。

本发明还提供一种LED芯片，所述芯片采用以上任一种实施方式提及的方法制备而成。在一种实施方式中，请参见图14，图14为本发明提供的一种LED芯片结构示意图，该芯片采用以上任一种实施方式制备而成，例如，在图14中，第一蓝光发光组件包括1011层、1021层、1031层、1041层、1051层和1061层，第二蓝光发光组件包括1012层、1022层、1032层、1042、1052层和1062层；第一红光发光组件包括4011层、4021层、4031层、4041层、4051层和4061层，第二红光发光组件包括4012层、4022层、4032层、4042、4052层和4062层；第一绿光发光组件包括2011层、2021层、2031层、2041层、2051层和2061层，第二绿光发光组件包括2012层、2022层、2032层、2042、2052层和2062层；第二蓝光发光组件、第二红光发光组件及第二绿光发光组件被白光隔离壁隔离，用于合成白光。具体各层的材料和制备方法可参见以上任一实施例提及的材料和方法，例如，1011层及1012层的材料和制备工艺可参见第一GaN缓冲层(101)的材料和制备工艺，其余各层的材料和制备工艺本领域技术人员很容易依次类推，在此不做赘述。

与现有技术相比，本发明提供的基于GaN材料的RGBW四色光源的LED芯片及其制备方法具有以下有益效果：

1.在单芯片能产生多种颜色的光，可避免荧光粉的使用；

2.集成度提高，LED成本可以下降；

3.颜色调节更加灵活。

综上，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。