一种发光二极管芯片及其制作方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术：

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛地应用在显示屏和指示灯上。

芯片是LED的核心组件，现有的芯片包括外延片、电极和钝化层，电极设置在外延片上，钝化层设置在外延片上除电极所在区域以外的区域上、以及电极的上表面的边缘区域和侧面的所有区域上(电极的上表面为电极上与电极设置在外延片上的表面相反的表面，电极的侧面为电极上除电极的上表面和电极设置在外延片上的表面之外的表面)，以防止外延片和电极被空气氧化和腐蚀。其中，钝化层为二氧化硅层，电极包括粘附层、反光层、保护层和打线层，粘附层、反光层、保护层和打线层依次层叠在外延片上。具体地，粘附层为Cr膜，用于将电极粘附在外延片上；反光层为Al膜，用于对射向电极的光线进行反射，避免光线被电极吸收，提高出光效率；保护层为Ni膜，用于对粘附层和反光层进行保护；打线层为Au膜或者Al膜，用于与焊线结合实现打线。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

在外延片上形成电极之后，会先在外延片和电极上铺设钝化材料，然后利用光刻技术和刻蚀技术去除电极的上表面的中间区域的钝化材料，形成钝化层，再对钝化材料去除之后露出的电极的上表面的中间区域进行打线(英文：Wire Bonding)。打线也称为压焊、绑定、键合、丝焊，是指使用金属丝(如金线、铝线等)，利用热压或者超声能源，完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接。由于钝化层覆盖在电极的上表面的边缘区域上，因此打线时的热压或者超声能源会作用在钝化层上，而现有钝化层采用的二氧化硅层是脆性的，在热压或者超声能源的作用下会裂开，从而导致覆盖在电极的上表面的边缘区域上的钝化层上出现裂缝，裂缝会延伸到电极的侧面，空气或有害溶液通过裂缝即可进入钝化层内腐蚀电极：粘附层被腐蚀后造成电极从外延片上脱落，芯片无法继续使用；反光层被腐蚀后无法进行光线的反射，降低芯片的出光效率。

技术实现要素：

为了解决现有技术钝化层无法有效保护电极、影响芯片使用的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括外延片和电极，所述电极包括粘附层、反光层、第一保护层和打线层，所述粘附层、所述反光层、所述第一保护层和所述打线层依次层叠在所述外延片上；所述电极还包括第二保护层，所述第二保护层从所述反光层的上表面的边缘区域，经过所述反光层和所述粘附层的侧面，延伸到所述外延片的表面；所述反光层的上表面为所述反光层设置所述第一保护层的表面，所述反光层的侧面为所述反光层中除所述反光层的上表面和所述反光层设置在所述粘附层上的表面之外的表面，所述粘附层的侧面为所述粘附层中除所述粘附层设置所述反光层的表面和所述粘附层设置在所述外延片上的表面之外的表面。

可选地，所述第二保护层的材料为二氧化硅、氮化硅或者三氧化二铝。

可选地，所述第二保护层的厚度为50nm～1500nm。

可选地，设置在所述反光层的上表面的第二保护层的边缘与所述反光层的上表面的中心之间的距离为2μm～5μm。

可选地，所述粘附层为Cr膜、Ni膜或者Ti膜；当所述粘附层为Cr膜时，所述粘附层的厚度为1nm～5nm；当所述粘附层为Ni膜或者Ti膜时，所述粘附层的厚度为50nm～150nm。

可选地，所述反光层的厚度为50nm～150nm。

可选地，所述电极还包括第一隔离层，所述第一隔离层设置在所述反光层和所述第一保护层之间。

可选地，所述电极还包括第二隔离层，所述第二隔离层设置在所述第一保护层和所述打线层之间。

另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法，所述制作方法包括：

提供一外延片；

在所述外延片上形成电极；

其中，所述电极包括粘附层、反光层、第一保护层、打线层和第二保护层，所述粘附层、所述反光层、所述第一保护层和所述打线层依次层叠在所述外延片上，所述第二保护层从所述反光层的上表面的边缘区域，经过所述反光层和所述粘附层的侧面，延伸到所述外延片的表面；所述反光层的上表面为所述反光层设置所述第一保护层的表面，所述反光层的侧面为所述反光层中除所述反光层的上表面和所述反光层设置在所述粘附层上的表面之外的表面，所述粘附层的侧面为所述粘附层中除所述粘附层设置所述反光层的表面和所述粘附层设置在所述外延片上的表面之外的表面。

可选地，所述在所述外延片上形成电极，包括：

采用光刻技术在所述外延片上形成第一图形的光刻胶；

采用磁控溅射技术在所述第一图形的光刻胶和所述外延片上依次铺设粘附层的材料和反光层的材料；

去除所述第一图形的光刻胶，所述外延片上的粘附层的材料形成粘附层，所述外延片上的反光层的材料形成反光层；

在所述反光层和所述外延片上铺设第二保护层的材料；

采用光刻技术在所述第二保护层的材料上形成第二图形的光刻胶；

湿法腐蚀所述第二保护层的材料，所述第二图形的光刻胶的覆盖的第二保护层的材料形成第二保护层；

去除所述第二图形的光刻胶；

采用光刻技术在所述外延片上形成第三图形的光刻胶；

采用磁控溅射技术在所述第三图形的光刻胶、所述第二保护层和所述反光层上依次铺设第一保护层的材料和打线层的材料；

去除所述第三图形的光刻胶，所述第二保护层和所述反光层上的第一保护层的材料形成第一保护层，所述第二保护层和所述反光层上的打线层的材料形成打线层。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过设置从反光层的上表面的边缘区域、经过反光层和粘附层的侧面、延伸到外延片的表面的第二保护层，第二保护层和设置在反光层上的第一保护层、以及粘附层所设置的外延片一起，形成一个将反光层和粘附层密封在里面的空间，从而将反光层和粘附层与空气隔绝，进而有效避免粘附层被腐蚀后造成电极从外延片上脱落、以及反光层被腐蚀后无法进行光线的反射，确保芯片的正常使用，提高芯片的使用寿命。而且反光层是从反光层的上表面的边缘区域向外延片延伸，没有设置在打线层的表面上，因此不会受到打线的影响，可以有效实现对粘附层和反光层的保护。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管芯片的结构示意图；

图2是本发明实施例一提供的图1中A-A向的示意图；

图3是本发明实施例一提供的同侧电极芯片的示意图；

图4是本发明实施例二提供的一种发光二极管芯片的制作方法的流程图；

图5a-图5d是本发明实施例二提供的制作方法制作过程中芯片的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

实施例一

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，图1为发光二极管芯片的结构示意图，参见图1，该发光二极管芯片包括外延片10和电极20，电极20包括粘附层21、反光层22、第一保护层23和打线层24，粘附层21、反光层22、第一保护层23和打线层24依次层叠在外延片10上。

在本实施例中，电极20还包括第二保护层25，第二保护层25从反光层22的上表面的边缘区域，经过反光层22和粘附层21的侧面，延伸到外延片10的表面。其中，反光层22的上表面为反光层22设置第一保护层23的表面，反光层22的侧面为反光层22中除反光层22的上表面和反光层22设置在粘附层21上的表面之外的表面，粘附层21的侧面为粘附层21中除粘附层21设置反光层22的表面和粘附层21设置在外延片10上的表面之外的表面。

本发明实施例通过设置从反光层的上表面的边缘区域、经过反光层和粘附层的侧面、延伸到外延片的表面的第二保护层，第二保护层和设置在反光层上的第一保护层、以及粘附层所设置的外延片一起，形成一个将反光层和粘附层密封在里面的空间，从而将反光层和粘附层与空气隔绝，进而有效避免粘附层被腐蚀后造成电极从外延片上脱落、以及反光层被腐蚀后无法进行光线的反射，确保芯片的正常使用，提高芯片的使用寿命。而且反光层是从反光层的上表面的边缘区域向外延片延伸，没有设置在打线层的表面上，因此不会受到打线的影响，可以有效实现对粘附层和反光层的保护。

可选地，第二保护层25的材料可以为二氧化硅、氮化硅或者三氧化二铝。二氧化硅、氮化硅和三氧化二铝都不会与空气发生反应，稳定性较好，可以有效将空气与反光层、粘附层隔绝；其中，二氧化硅是最常用的保护层材料，生产成本低。

可选地，第二保护层25的厚度可以为50nm～1500nm。若第二保护层25的厚度小于50nm，则可能由于厚度太薄，而无法起到隔绝空气的作用；若第二保护层25的厚度大于1500nm，则可能由于厚度太厚，而影响后续材料的沉积；而且会造成材料的浪费，增加生长成本。

可选地，参见图2，设置在反光层22的上表面的第二保护层25的边缘与反光层22的上表面的边缘之间的距离d可以为2μm～5μm。若设置在反光层22的上表面的第二保护层25的边缘与反光层22的上表面的边缘之间的距离d小于2μm，则可能会造成反光层的边缘没有受到有效保护而被空气腐蚀，导致射向电极的光线被吸收，芯片的出光效率降低；若设置在反光层22的上表面的第二保护层25的边缘与反光层22的上表面的边缘之间的距离d大于5μm，则可能会造成第一保护层设置在反光层上的区域面积太小，影响芯片的导电，进而影响芯片的发光效率。

具体地，粘附层21可以为Cr膜、Ni膜或者Ti膜。Cr膜、Ni膜和Ti膜的粘附力都较佳，可以将电极固定在外延片上；其中，Cr膜的粘附力最佳，是最常用的粘附层，实现成本低。

可选地，当粘附层21为Cr膜时，粘附层21的厚度可以为1nm～5nm。由于Cr膜的粘附力最佳，因此Cr膜的厚度很小即可将电极固定在外延片上，同时在满足粘附力足够的前提下尽量薄，有利于第二保护层对粘附层充分覆盖以形成保护，有效避免粘附层与外界接触。

优选地，粘附层21的厚度可以为3nm。

可选地，当粘附层21为Ni膜或者Ti膜时，粘附层21的厚度可以为50nm～150nm。由于Ni膜和Ti膜的粘附力没有Cr膜，因此Ni膜和Ti膜的厚度会大于Cr膜，同时在满足粘附力足够的前提下尽量薄，有利于第二保护层对粘附层充分覆盖以形成保护，有效避免粘附层与外界接触。

优选地，粘附层21的厚度可以为100nm。

具体地，反光层22可以为Al膜。Al的反射率很高，可以实现大部分光线的反射。

可选地，反光层22的厚度可以为50nm～150nm。在满足反射效果的前提下尽量薄，有利于第二保护层对反光层充分覆盖以形成保护，有效避免反光层与外界接触。

优选地，反光层22的厚度可以为150nm。

可选地，第一保护层23的厚度可以为50nm～1500nm。若第一保护层23的厚度小于50nm，则可能由于厚度太薄，而无法起到隔绝空气的作用；若第一保护层23的厚度大于1500nm，则会造成材料的浪费，增加生长成本。

具体地，第一保护层23的材料可以为镍(Ni)、铂(Pt)、钛(Ti)、金(Au)或者钛钨合金(TiW)。镍、铂、钛、金或者钛钨合金的性能都比较稳定，不容易与空气发生反应，可以有效隔绝空气，可以有效将空气与反光层、粘附层隔绝；其中，镍除了起到隔绝空气的作用以外，还可以平衡多个金属膜之间的应力匹配，保证电极整体的质量，提高电极的可靠性。

在本实施例的一种实现方式中，当第一保护层23的材料为镍时，电极20还可以包括第一隔离层26，第一隔离层26设置在反光层22和第一保护层23之间。通过在作为反光层的Al膜和作为第一保护层的Ni膜之间设置第一隔离层，可以抑制Ni膜的团聚现象，避免Ni膜团聚性产生大颗的电极黑点，造成外观异常；并且能够隔离Al膜，防止Al膜在团聚的Ni金属颗粒中进行岛状生长。

具体地，第一隔离层26可以为Ti膜或者Cr膜。由于Ti膜的性质比Cr膜稳定，不容易与空气发生反应，在实现对反光层和保护层的有效隔离的同时，也可以对作为反光层的Al膜进行有效保护。

优选地，第一隔离层26的厚度可以为5nm～500nm。若第一隔离层26的厚度小于5nm，则可能由于厚度太薄，无法有效将反光层和保护层隔离；若第一隔离层26的厚度大于500nm，则可能造成材料的浪费，增加生产成本。

更优选地，第一隔离层26的厚度可以为80nm。

在本实施例的另一种实现方式中，当第一保护层23的材料为镍时，电极20还可以包括第二隔离层27，第二隔离层27设置在第一保护层23和打线层24之间。第二隔离层的作用与第一隔离层类似，一方面可以对Ni膜的团聚现象进行抑制，另一方面还可以将Al膜和Ni膜隔离，防止Al膜在团聚的Ni金属颗粒中进行岛状生长。

具体地，第二隔离层27可以为Ti膜或者Cr膜。由于Ti膜的性质比Cr膜稳定，不容易与空气发生反应，可以有效起到隔离的作用。

优选地，第二隔离层27的厚度可以为5nm～500nm。若第二隔离层27的厚度小于5nm，则可能由于厚度太薄，无法有效将反光层和保护层隔离；若第二隔离层27的厚度大于500nm，则可能造成材料的浪费，增加生产成本。

更优选地，第二隔离层27的厚度可以为120nm。

具体地，打线层24可以为Al膜或者Au膜。Au的性质较为稳定，不容易与其它物质发生反应，采用Au膜作为电极最顶端的打线层，电极的稳定性较好；而Al的成本远低于Au，采用Al膜替换Au膜作为打线层，可以大幅度降低芯片的生产成本；而且Al对光线的反射率较高，采用Al膜替换Au膜作为打线层，还可以提高芯片的出光效率。

可选地，当打线层24为Au膜时，打线层24的厚度可以为0.5μm～5μm。由于Au的性质较为稳定，因此Au膜的厚度范围较广，对实现要求较低。

优选地，打线层24的厚度可以为2μm。

可选地，当打线层24为Al膜时，打线层24的厚度可以为1μm～3μm。由于Al的性质较为活泼，很容易与空气中的氧气发生反应，因此Al膜的厚度需要考虑到由于与空气中的氧气发生反应而消耗掉Al，同时Al的材质比较软，当Al膜层的厚度增加至3μm时，Al膜层的底部会受到挤压较大而向周围扩散，造成芯片的外观不良，甚至引起芯片漏电，因此Al膜的厚度范围较窄。

优选地，打线层24的厚度可以为1.1μm。

在具体实现中，可以采用第二保护层代替钝化层实现对外延片的保护。也就是说，第二保护层还设置在外延片的上表面和侧面上。其中，外延片的上表面为外延片设置粘附层的表面，第二保护层具体设置在外延片的上表面上除设置粘附层的区域之外的其它区域上，外延片的侧面为外延片上除上表面和与上表面相反的表面之外的其它表面。

在实际应用中，外延片主要包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴在电流的驱动下注入发光层进行复合发光。因此，N型半导体层和P型半导体层都会设置电极，设置在N型半导体层上的电极称为N型电极，设置在P型半导体层上的电极称为P型电极。N型电极和P型电极的结构可以一样，也可以不一样。本发明中的电极可以为N型电极，也可以为P型电极。

进一步地，N型电极和P型电极可以分别设置在外延片的两侧，此时形成的芯片可以称为异侧电极芯片；N型电极和P型电极也可以设置在外延片的同一侧，此时形成的芯片可以称为同侧电极芯片。另外，由于P型半导体层提供的空穴不容易移动，而P型电极通常都设置在P型半导体层的部分区域上，为了使P型电极注入的电流扩展到P型半导体层的整个区域上，一般会在P型半导体层上设置一层透明导电薄膜，以扩展电流。

以同侧电极芯片为例，图3为同侧电极芯片的结构示意图，参见图3，芯片包括外延片10、N型电极20a、P型电极20b和透明导电薄膜30。其中，外延片包括衬底11、N型半导体层12、发光层13和P型半导体层14，N型半导体层12、发光层13和P型半导体层14依次层叠在衬底11上，P型半导体层14上设有延伸至N型半导体层12的凹槽40，N型电极20a设置在凹槽40内的N型半导体层12上。透明导电薄膜30设置在P型半导体层14上，P型电极20b设置在透明导电薄膜30上。N型电极20a和P型电极20b中的至少一个的结构与电极20的结构相同，电极中的第二保护层延伸到芯片上除N型电极20a和P型电极20b之外的其它区域上。

具体地，衬底11可以为蓝宝石衬底，N型半导体层12可以为N型氮化镓层，P型半导体层14可以为P型氮化镓层；发光层13可以包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置，量子阱为铟镓氮层，量子垒为氮化镓层；透明导电薄膜30的材料可以采用氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxides，简称：ITO)、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃(AZO)、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃(GZO)、铟镓锌氧化物(英文：Indium Gallium Zinc Oxide，简称：IGZO)、ZnO中的一种。

进一步地，蓝宝石衬底和氮化镓材料之间存在较大的晶格失配，为了缓解晶格失配，一般会在衬底11和N型半导体层12之间设置缓冲层。具体地，缓冲层可以为氮化铝层，也可以为氮化镓层。

实施例二

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法，适用于制作实施例一提供的发光二极管芯片。图4为制作方法的流程图，参见图4，该制作方法包括：

步骤201：提供一外延片。

步骤202：在外延片上形成电极。

在本实施例中，电极包括粘附层、反光层、第一保护层、打线层和第二保护层，粘附层、反光层、第一保护层和打线层依次层叠在外延片上，第二保护层从反光层的上表面的边缘区域，经过反光层和粘附层的侧面，延伸到外延片的表面；反光层的上表面为反光层设置第一保护层的表面，反光层的侧面为反光层中除反光层的上表面和反光层设置在粘附层上的表面之外的表面，粘附层的侧面为粘附层中除粘附层设置反光层的表面和粘附层设置在外延片上的表面之外的表面。

具体地，该步骤202可以包括：

第一步，采用光刻技术在外延片上形成第一图形的光刻胶；

第二步，采用磁控溅射技术在第一图形的光刻胶和外延片上依次铺设粘附层的材料和反光层的材料；

第三步，去除第一图形的光刻胶，外延片上的粘附层的材料形成粘附层，外延片上的反光层的材料形成反光层；

第四步，在反光层和外延片上铺设第二保护层的材料；

第五步，采用光刻技术在第二保护层的材料上形成第二图形的光刻胶；

第六步，湿法腐蚀第二保护层的材料，第二图形的光刻胶的覆盖的第二保护层的材料形成第二保护层；

第七步，去除第二图形的光刻胶；

第八步，采用光刻技术在外延片上形成第三图形的光刻胶；

第九步，采用磁控溅射技术在第三图形的光刻胶、第二保护层和反光层上依次铺设第一保护层的材料和打线层的材料；

第十步，去除第三图形的光刻胶，第二保护层和反光层上的第一保护层的材料形成第一保护层，第二保护层和反光层上的打线层的材料形成打线层。

其中，第一图形的光刻胶覆盖在外延片上除粘附层所在位置之外的区域，以便在后续去除第一图形的光刻胶时，同时去除第一图形的光刻胶上的粘附层的材料和反光层的材料，形成粘附层和反光层。第二图形的光刻胶覆盖在第二保护层的材料上第二保护层所在的区域上，以便去除没有光刻胶覆盖的第二保护层的材料，形成第二保护层。第三图形的光刻胶覆盖在外延片上，以便在后续去除第三图形的光刻胶时，去除第三图形的光刻胶上的第一保护层的材料和打线层的材料，形成第一保护层和打线层。

在实际应用中，形成某种图形的光刻胶时，如第一图形的光刻胶，可以先铺设一层光刻胶，再在掩膜版的遮挡下对光刻胶进行曝光，最后将曝光后的光刻胶浸泡在显影液中，部分光刻胶溶解在显影液中，留下所需图形的光刻胶。

采用磁控溅射技术铺设某种电极材料时，如粘附层的材料，会先将外延片放入磁控溅射腔，对磁控溅射腔进行抽真空；再向磁控溅射腔内通入氮气；然后在氮气气氛下，对相应的靶材进行溅射(如粘附层时是Cr靶)，形成电极。

进一步地，当至少两层电极材料的铺设之间没有其它过程，如粘附层的材料和反光层的材料，则可以在对一种靶材进行溅射形成一层之后，直接对另一种靶材进行溅射，形成另一层。

以第二步中采用磁控溅射技术在第一图形的光刻胶和外延片上依次铺设粘附层的材料和反光层的材料为例，具体实现时，先将外延片放入磁控溅射腔，对磁控溅射腔进行抽真空；再向磁控溅射腔内通入氮气；然后在氮气气氛下，对Cr靶进行溅射，在外延片和第一图形的光刻胶上形成粘附层；接着在氮气气氛下，对Al靶进行溅射，在粘附层上形成反光层。而第九步中采用磁控溅射技术在第三图形的光刻胶、第二保护层和反光层上依次铺设第一保护层的材料和打线层的材料，与上述过程类似，在此不再详述。而第二保护层的材料的铺设过程可以与钝化层类似，此为现有技术，在此也不再详述。

另外，在本实施例中，外延片包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层。

具体地，该步骤201可以包括：

采用金属有机化合物化学气相沉淀技术(英文：Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD)在衬底上依次生长N型半导体层、发光层、P型半导体层。

图5a为步骤201执行之后芯片的结构示意图。其中，11为衬底，12为N型半导体层，13为发光层，14为P型半导体层。如图5a所示，N型半导体层12、发光层13、P型半导体层14依次层叠在衬底11上。

还是以同侧电极芯片为例，在步骤201之后，会形成凹槽，具体形成过程可以包括：

第一步，采用光刻技术在P型半导体层上形成第四图形的光刻胶；

第二步，在第四图形的光刻胶的保护下，对P型半导体层和发光层进行干法刻蚀，形成从P型半导体层延伸至N型半导体层的凹槽；

第三步，去除第四图形的光刻胶。

其中，第四图形的光刻胶覆盖在P型半导体层上除凹槽所在位置之外的区域，以便干法刻蚀没有光刻胶覆盖的P型半导体层和发光层形成凹槽。

图5b为凹槽形成之后中芯片的结构示意图，其中，40为凹槽。如图5b所示，凹槽40从P型半导体层14延伸至N型半导体层12。

进一步地，该芯片还可以包括透明导电薄膜，具体形成过程可以包括：

第一步，在P型半导体层和凹槽内的N型半导体层上铺设透明导电材料；

第二步，采用光刻技术在铺设的透明导电材料上形成第五图形的光刻胶；

第三步，在第五图形的光刻胶的保护下，对铺设的透明导电材料进行湿法腐蚀，形成透明导电薄膜；

第四步，去除第五图形的光刻胶。

其中，第五图形的光刻胶覆盖在P型半导体层上透明导电薄膜所在的位置，以便去除其它区域的透明导电材料，形成所需形状的透明导电薄膜。

图5c为透明导电薄膜形成之后芯片的结构示意图。其中，30为透明导电薄膜。如图5c所示，透明导电薄膜30设置在P型半导体层14上。

透明导电薄膜形成之后，会执行步骤202，形成电极。图5d为步骤202执行之后芯片的结构示意图。其中，20a为N型电极，20b为P型电极。如图5d所示，N型电极20a设置在N型半导体层12上，P型电极20b设置在P型半导体层14上，电极中的第二保护层会延伸到芯片上除N型电极20a和P型电极20b之外的其它区域上。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。