一种无刷马达控制器，尤其是一种无刷马达控制器的MOSFET散热暨固定结构改良，具有优异的散热效率。
背景技术：
目前，许多无刷电动机控制器的金属氧化半导体场效电晶体(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)安装存在着装配复杂的问题，导致在装配过程中容易出现MOSFET元件和散热器短路，引起MOSFET元件损坏等问题。
现在的安装方式是使用两组或两组以上的锁接组合，每一组锁接组合包含螺丝组、弹簧垫圈、绝缘垫圈和绝缘布，装配时需要在散热器上准确的预定位置上开设出两个或两个以上的螺孔，电路板上也须钻设出与散热器的螺孔对应的安装孔。
装配时，必须把电路板的安装孔和散热器的孔位置相对齐，螺丝组的锁紧力度必须适当，否则，用力过度会损坏绝缘布和绝缘垫圈，而用力不足，又会导致散热器无法完全贴合设在电路板上的MOSFET元件，造成MOSFET元件的热能无法有效直接传导给散热器散热，致使散热效率变差。
此外，还有一种常见的MOSFET的散热手段是将MOSFET固定于以玻璃纤维做为绝缘基材的的印刷电路板，但是绝缘基材的导热性不佳，造成散热效率不彰，因此为了提高散热效率，在MOSFET与印刷电路板的间又必须额外设置一块金属散热板，却又造成成本增加及多出金属散热板的加工及组装工序。
技术实现要素：
像现有技术在MOSFET元件与散热装置加装绝缘布，将会因导热效果不佳的绝缘布而造成无法有效散热，且使用许多构件比如螺丝组、弹簧垫圈、绝缘垫圈和绝缘布，造成成本较高且组装耗时耗力的问题。
本实用新型的主要目的在于提供一种无刷马达控制器的MOSFET散热暨固定结构改良，其中由上至下依序配置金属电路基板、MOSFET元件与电路板，其中大部分是导电材质的是最上层与最下层的金属电路基板与电路板，金属电路基板与电路板之间设置有插入式封装的MOSFET元件，MOSFET元件系作为金属电路基板与电路板之间的间隔层，也就是本实用新型巧妙的利用MOSFET元件作为绝缘层。
此外，使在MOSFET元件容易蓄积热能的主体的一面与金属电路基板直接连接，藉此得以利用散热效果最为快速的直接传导散热方式来作为散热的手段，而有效提升散热效率。
为达上述目的，本实用新型的具体技术手段包含多个MOSFET元件，以单排的方式或多排的方式配置于一印刷电路板之上，其中所述MOSFET元件的延伸出接脚的一面以接脚焊接于该印刷电路板上，所述MOSFET元件相反于具有接脚的一面分别为一平面；一金属电路基板，该金属电路基板的一面同时接触于所述MOSFET元件的该平面且焊接成一体。
其中，该金属电路基板以铝的材质制成；或者，金属电路基板为金属核心印刷电路板(MCPCB)。
所述MOSFET元件也能以矩阵排列方式配置于该电路板上。
藉此，本实用新型确实提供一种具成本优势、容易组装且散热效率优异的无刷马达控制器的MOSFET散热暨固定结构改良。
附图说明
图1为本实用新型无刷马达控制器的MOSFET散热暨固定结构改良的示意图。
其中，附图标记说明如下：
100 无刷马达控制器的MOSFET散热暨固定结构改良
10 MOSFET元件
20 电路板
30 金属电路基板
具体实施方式
以下配合图示及附图标记对本实用新型的实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
参阅图1，图1为本实用新型无刷马达控制器的MOSFET散热暨固定结构改良的示意图。如图1所示，本实用新型的无刷马达控制器的MOSFET散热暨固定结构改良100主要包含多个MOSFET元件10及一金属电路基板30。
所述MOSFET元件10以单排的方式或多排的方式配置于一印刷电路板20之上，其中所述MOSFET元件10延伸出接脚的一面以接脚焊接于该印刷电路板20上，所述MOSFET元件10相反于具有接脚的一面分别为一平面。
该金属电路基板30的一面同时接触于所述MOSFET元件10的该平面且焊接成一体。
如图1所示，所述MOSFET元件10延伸出接脚的的一面为所述MOSFET元件10的底面，所述MOSFET元件10的相反于底面的一面即为顶面，因此所述MOSFET元件10的顶面与该金属电路基板30的底面相互焊接成一体。
其中，该金属电路基板以铝的材质制成；或者，金属电路基板为金属核心印刷电路板(MCPCB)。
所述MOSFET元件除了以单排的方式或多排的方式配置于一印刷电路板20之上，也能以矩阵排列方式配置于该电路板20上。
本实用新型与现有技术相比之下，本实用新型明显省略使用绝缘布，螺丝组件等构件，但是由于本实用新型采用焊接的固定手段将金属电路基板固定于MOSFET元件上，因此金属电路基板与MOSFET元件能完全且紧密的连接成一体，由于金属电路基板的导热效果优异，因此能以直接传导的散热方式将热能从金属电路基板逸散至外界，有效提高散热效率。
此外，本实用新型的创作概念是由上至下依序配置金属电路基板、MOSFET元件与电路板，其中大部分是导电材质的是最上层与最下层的金属电路基板与电路板，但是金属电路基板与电路板之间设置有插入式封装的MOSFET元件，MOSFET元件作为金属电路基板与电路板之间的间隔层，也就是本实用新型巧妙的利用MOSFET元件作为绝缘层。
此外，如果像现有技术在MOSFET元件与散热装置加装绝缘布，将会因导热效果不佳的绝缘布而造成无法有效散热，因此，使在MOSFET元件容易蓄积热能的主体的一面与金属电路基板直接连接，藉此得以利用散热效果最为快速的直接传导散热方式来作为散热的手段，而有效提升散热效率。
由于本实用新型的技术内并未见于已公开的刊物、期刊、杂志、媒体、展览场，因而具有新颖性，且能突破目前的技术瓶颈而具体实施，确实具有进步性。此外，本实用新型能解决现有技术的问题，改善整体使用效率，而能达到具产业利用性的价值。
以上所述仅为用以解释本实用新型的较佳实施例，并非企图据以对本实用新型做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的创作精神下所作有关本实用新型的任何修饰或变更，皆仍应包括在本实用新型意图保护的范畴。