技术总结
本申请公开了快恢复二极管。所述快恢复二极管包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；阴极；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所述漂移区的至少一个沟槽；位于所述至少一个沟槽侧壁上的栅介质层；以及填充所述至少一个沟槽的栅导体层。该快恢复二极管采用缓冲层和从阳极经由缓冲层延伸至阴极的沟槽结构改善EMI兼容特性。
技术研发人员：顾悦吉;黄示;韩健;陈琛
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
文档号码：201720094981
技术研发日：2017.01.24
技术公布日：2017.08.18