1.一种电子装置，其特征在于，包括：
半导体晶粒，其包括接合垫；以及
金属柱，其是在所述接合垫上，所述金属柱包括：
经镀覆的金属，其包括面向所述接合垫的底部侧、远离所述接合垫的顶部侧、外部侧表面以及内部侧表面；
内部空腔，其被所述经镀覆的金属的所述内部侧表面所围绕；以及
底切，其是在所述经镀覆的金属的所述底部侧处的所述经镀覆的金属的外部侧表面中。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括在所述经镀覆的金属和所述接合垫之间的多个金属层。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括在所述经镀覆的金属和所述接合垫之间的至少一金属层，其中所述至少一金属层仅覆盖所述接合垫的顶表面的一部分。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述金属柱的所述内部空腔从所述经镀覆的金属的所述顶部侧垂直延伸而朝向所述经镀覆的金属的所述底部侧并且穿过所述金属柱的至少一半高度。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述金属柱包括柱宽度，并且所述内部空腔包括空腔宽度，所述空腔宽度不超过所述柱宽度的一半。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述金属柱包括柱宽度以及柱高度，所述柱高度大于所述柱宽度。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述金属柱的所述内部空腔是至少部分地由介电材料所填充。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，进一步包括介电材料层，其至少部分地填充所述空腔并且侧向地围绕所述金属柱。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述介电材料层完全地填充所述空腔并且侧向地围绕所述经镀覆的金属的所述外部侧表面的全部。
10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述介电材料层的顶表面与所述经镀覆的金属的所述顶表面共平面。
11.一种电子装置，其特征在于，包括：
半导体晶粒，其包括接合垫；
柱芯，其是在所述接合垫上并且包括面向所述接合垫的底部芯侧、远离所述接合垫的顶部芯侧以及外部侧芯表面；以及
金属柱，其是在所述接合垫上并且包括在所述外部侧芯表面上的经镀覆的金属，
其中所述经镀覆的金属包括面向所述接合垫的底部侧、远离所述接合垫的顶部侧、外部侧表面以及面向所述柱芯的内部侧表面。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，包括在所述柱芯和所述接合垫之间的金属层。
13.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，包括在所述柱芯和所述接合垫之间以及在所述经镀覆的金属和所述接合垫之间的金属层。
14.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，包括在所述经镀覆的金属和所述接合垫之间但是不在所述柱芯和所述接合垫之间的金属层。
15.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，所述柱芯在垂直方向上的长度是大于所述经镀覆的金属。
16.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，所述柱芯包括芯介电材料。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其特征在于，包括介电层，所述介电层侧向地围绕所述经镀覆的金属的所述外部侧表面并且包括不同于所述芯介电材料的介电材料。
18.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，包括介电层，所述介电层侧向围绕所述经镀覆的金属的所述外部侧表面并且包括顶部介电层表面，所述介电层表面与所述经镀覆的金属的所述顶部侧共平面，并且与所述顶部芯侧共平面。
19.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，所述金属柱包括柱宽度，并且所述柱芯包括柱芯宽度，所述柱芯宽度是不超过所述柱宽度的一半。
20.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，所述金属柱包括柱宽度以及柱高度，所述柱高度大于所述柱宽度。