100KW短波发射机新型穿芯电容的制作方法

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种100KW短波发射机新型穿芯电容。

背景技术：

大功率短波发射机中穿芯电容目前已广泛应用，其运行的稳定性与可靠性直接影响发射机的工作稳定性。大功率短波发射机中多个单元都用到了穿心电容，安装位置主要集中在电子管各极直流高压馈电的线路上，起馈通滤波作用，由于工作电压普遍较高，故外形都是饼形瓷基，其中接地引出线方式为铜镀银环面接地，馈芯引出线方式为铜柱两端套内丝拧螺杆形式，自谐振频率较高，约1GHz，耐压3.5KVDC至15KVDC之间，容量约1500PF。

现有产品缺点有：

①饼形穿芯电容在金属板上安装时，其地线端接地电阻大小取决于两边饼形瓷基压板的压力，压力稍大，瓷基板容易碎裂，压力过小，达不到接地阻抗要求；还有，地线端被压在瓷基板与金属板之间，平时维护看不到，易积灰引起爬电；另外瓷基上细小的裂纹不易发现，但电气性能衰减巨大，易引起发射机在工作中过流保护，造成故障判断困难。

②饼形穿芯电容瓷基材料为低频瓷，在大功率短波发射机中瞬间高频振荡能量巨大，使得该电容在正常工作时温升异常，电容变化率过大，导致损耗加剧而热击穿，故障率高。

③饼形穿芯电容连接的两个封闭金属箱体之间温差较大，造成电容两个瓷基板散热性能不一致，易在轻度负荷中出现膨胀不一致导致瓷基碎裂故障，过负荷能力不强。

④饼形穿芯电容两个瓷基板虽然表面都进行了封釉，但爬电距离设计过短，在表面灰尘较大时容易爬电造成发射机过流保护动作。

技术实现要素：

本实用新型的目的：提供一种100KW短波发射机新型穿芯电容，能解决现有技术穿芯电容的缺点，大幅提高穿芯电容的运行稳定性与可靠性，并且显著增强了穿芯电容的过负荷能力，使之在中、重度过荷情况下也不会出现瓷体碎裂的情况。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是：

一种100KW短波发射机新型穿芯电容，包括外伸铜镀银环、多个通风孔道、多个安装孔、馈芯引出套外丝铜柱及穿芯电容主体；所述的穿芯电容主体包括第一陶瓷瓷基、第二陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基，所述的第一陶瓷瓷基、第二陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基由上至下同轴套接，形成筒形瓷基套；所述的外伸铜镀银环为圆环形结构并同轴套接在所述的第二陶瓷瓷基上，第一陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基的外径大于所述的第二陶瓷瓷基的外径，且小于所述的外伸铜镀银环的外径；所述的馈芯引出套外丝铜柱同轴设置在所述的穿芯电容主体的中心，并在所述的馈芯引出套外丝铜柱与所述的穿芯电容主体之间形成所述的多个通风孔道；所述的多个安装孔分别间隔设置在所述的外伸铜镀银环上，所述的多个安装孔周向环绕在所述的穿芯电容主体的外侧。

上述的100KW短波发射机新型穿芯电容，其中，所述的第一陶瓷瓷基、第二陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基的表面封釉，所述的第一陶瓷瓷基、第二陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基由高频瓷介质材质制成。

上述的100KW短波发射机新型穿芯电容，其中，所述的第一陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基的外端端部分别为波浪式斜面端头，使所述的第一陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基的外端直径小于所述的第一陶瓷瓷基及第三陶瓷瓷基的内端直径。

上述的100KW短波发射机新型穿芯电容，其中，所述的馈芯引出套外丝铜柱上同轴旋接有螺母，位于所述的筒形瓷基套的中部上、下方。

上述的100KW短波发射机新型穿芯电容，其中，所述的多个通风孔道为四个。

本实用新型将饼形瓷基形式改为筒形同轴瓷基形式，使得穿芯电容的自谐振频率上升至10GHz，稳定性大幅加强；穿芯电容接地端引出线采用同轴外伸铜镀银环形引出线方式，与金属板连接采用不锈钢螺杆，连接可靠，不易积灰，在维护中也容易观察；馈芯端引出线采用加长铜柱套外丝拧螺母形式，连接可靠性也增强了；将穿芯电容陶瓷材料由低频瓷介质更换为高频瓷介质，介质损耗大幅降低，工作中温升异常现象得到有效遏制；穿芯电容筒形瓷基套与馈芯铜柱之间留4个通风孔道，使得穿芯电容通体均匀强制风冷，避免了局部冷却不均，显著增加了过负荷能力；筒形瓷基套两端头波浪化设计，增加爬电距离，同时表面封釉，有效减轻表面积灰。

附图说明

图1是本实用新型100KW短波发射机新型穿芯电容的俯视角的结构示意图。

图2是本实用新型100KW短波发射机新型穿芯电容的侧视角的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图进一步说明本实用新型的实施例。

请参见附图1及附图2所示，一种100KW短波发射机新型穿芯电容，包括外伸铜镀银环1、多个通风孔道2、多个安装孔3、馈芯引出套外丝铜柱4及穿芯电容主体；所述的穿芯电容主体包括第一陶瓷瓷基5、第二陶瓷瓷基6及第三陶瓷瓷基7，所述的第一陶瓷瓷基5、第二陶瓷瓷基6及第三陶瓷瓷基7由上至下同轴套接，形成筒形瓷基套；所述的外伸铜镀银环1为圆环形结构并同轴套接在所述的第二陶瓷瓷基6上，第一陶瓷瓷基5及第三陶瓷瓷基7的外径大于所述的第二陶瓷瓷基6的外径，且小于所述的外伸铜镀银环1的外径；所述的馈芯引出套外丝铜柱4同轴设置在所述的穿芯电容主体的中心，并在所述的馈芯引出套外丝铜柱4与所述的穿芯电容主体之间形成所述的多个通风孔道2；所述的多个安装孔3分别间隔设置在所述的外伸铜镀银环1上，所述的多个安装孔3周向环绕在所述的穿芯电容主体的外侧。

所述的第一陶瓷瓷基5、第二陶瓷瓷基6及第三陶瓷瓷基7的表面封釉，所述的第一陶瓷瓷基5、第二陶瓷瓷基6及第三陶瓷瓷基7由高频瓷介质材质制成。

所述的第一陶瓷瓷基5及第三陶瓷瓷基7的外端端部分别为波浪式斜面端头，使所述的第一陶瓷瓷基5及第三陶瓷瓷基7的外端直径小于所述的第一陶瓷瓷基5及第三陶瓷瓷基7的内端直径。

所述的馈芯引出套外丝铜柱4上同轴旋接有螺母8，位于所述的筒形瓷基套的中部上、下方。

所述的多个通风孔道2为四个。

本实用新型将传统的饼形瓷基形式改为筒形同轴瓷基形式，其中接地端引出线采用同轴外伸铜镀银环形引出线方式，馈芯端引出线采用加长铜柱套外丝拧螺母形式。将陶瓷材料由低频瓷介质更换为高频瓷介质，筒形瓷基套与馈芯铜柱之间留4个通风孔道；筒形瓷基套两端头波浪化设计，表面封釉。

综上所述，本实用新型将饼形瓷基形式改为筒形同轴瓷基形式，使得穿芯电容的自谐振频率上升至10GHz，稳定性大幅加强；穿芯电容接地端引出线采用外伸铜镀银环1引出线方式，与金属板连接采用不锈钢螺杆，连接可靠，不易积灰，在维护中也容易观察；馈芯引出套外丝铜柱4采用加长铜柱套外丝拧螺母8形式，连接可靠性也增强了；将穿芯电容陶瓷材料由低频瓷介质更换为高频瓷介质，介质损耗大幅降低，工作中温升异常现象得到有效遏制；筒形瓷基套与馈芯引出套外丝铜柱4之间留4个通风孔道，使得穿芯电容通体均匀强制风冷，避免了局部冷却不均，显著增加了过负荷能力；筒形瓷基套两端头波浪化设计，增加爬电距离，同时表面封釉，有效减轻表面积灰。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用附属在其他相关产品的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。