1.一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：包括圆筒状的壳体及其外侧的磁吸座；所述壳体内部一端安装有半导体激光器，另一端设有光束整形透镜，且在壳体上靠近设有光束整形透镜的一端设有过光管，半导体激光器发出的光束通过光束整形透镜后，经过光管上设置的输出窗口射出。
2.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：所述过光管呈锥状结构，其连接所述壳体的一端的内径大于其自由端的内径。
3.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：所述光束整形透镜采用球形整形透镜。
4.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：所述输出窗口由光学玻璃制成，其两侧均涂敷有高透膜。
5.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：在所述过光管的自由端可拆卸的设有用于防护输出窗口的磁力保护罩。
6.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：所述磁吸座包括座体，座体上部设有与所述壳体配合的弧状凹槽，座体下部内嵌设置的数块磁铁。
7.根据权利要求1所述的一种磁吸式半导体激光定位装置，其特征在于：所述过光管内部涂敷有黑色无尘漆。