LED封装支架及发光体的制作方法

本实用新型涉及LED封装领域，具体是涉及一种LED封装支架和发光体。

背景技术：

LED封装支架作为LED光源的重要载体，LED封装支架的优劣直接影响光源的光效和寿命。现有的LED封装支架的金属支架一般都是采用铜作为基底，在铜上镀镍，再在镍上镀银，以增加出光，而LED芯片则固晶在反射杯内，然后通过金线分别和正负电极相连。

在LED光源长时间的使用后，会由于电子迁移(电子迁移是指电子的流动所导致的金属原子的迁移现象)导致电极发黑的现象，其表现的现象是灯珠内部的正极表面先出现红色随后变成黑色，这是由于加在LED灯珠两端的电压和时间的推移，使得支架内部的铜离子发生迁移，迁移到银表层，铜离子与氧气发生氧化反应。这使得LED灯珠金属支架的镀银层被铜离子覆盖，出光效率大大降低。

另外，LED产品常用在外观为软材质的灯带中，在运输及加工生产过程容易将灯带折弯，由于LED灯珠正负金属电极之间为PPA、PCT等塑料材质较为脆弱，支架容易被折断造成灯珠不良。

技术实现要素：

本实用新型旨在提供一种LED封装支架及发光体，以解决现有的封装支架的电极容易发黑导致出光效率降低以及支架容易折断的问题。

具体方案如下：

一种LED封装支架，包括支架本体，所述支架本体上具有正电极和负电极，所述负电极呈“凹”字型，所述正电极的至少一部分区域位于负电极的凹口内。

优选的，所述正电极的全部区域都位于负电极的凹口内。

优选的，以负电极的凹口内凹的方向为长度方向，以长度方向垂直的方向为宽度方向，所述凹口内凹的深度不大于负电极长度的1/3。

优选的，所述凹口内凹的深度不大于负电极长度的1/5。

优选的，所述负电极的凹口的开口端的宽度不大于负电极宽度的1/2。

本实用新型还提供了一种发光体，包括LED芯片和LED封装支架，所述LED封装支架为上述任意一种LED封装支架，所述LED芯片固定在LED封装支架的负电极上。

本实用新型提供的LED封装支架及发光体与现有技术相比较具有以下优点：本实用新型提供的LED封装支架的负电极呈“凹”字型，正电极则位于负电极的凹口内，增加负电极面积，不仅提高灯珠的散热效率，而且还提高了光输出量；减少正极面积，减少了正极的“电子迁移”后不良面积，提高光效及稳定性。另外，由于负电极包裹着正电极，使得正、负电极之间不易折断，提高支架的抗折断性能。

附图说明

图1示出了LED封装支架的示意图。

图2示出了正电极和负电极的示意图。

图3示出了发光体的示意图。

具体实施方式

为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

实施例1

如图1和图2所示，本实用新型提供了一种LED封装支架，包括支架本体1，所述支架本体上具有正电极10和负电极12，所述负电极12呈“凹”字型，所述正电极10的至少一部分区域位于负电极12的凹口内。其中支架本体1由绝缘材料制成(例如PPA、PCT和EMC等材料)，还可以形成反射杯等形状，并且将正电极10和负电极12电绝缘开来。

参考图1和图2，进一步优选的，所述正电极的全部区域都位于负电极的凹口内，从而增加负电极的区域，减小正电极的区域，使得LED芯片固晶在负电极上时具有更多的散热面积和更大的分散面积，可以提高散热效率以及提高出光效率。由于负电极包裹着正电极，使得正、负电极之间不易折断，提高支架的抗折断性能。

参考图2，具体的，以负电极的凹口内凹的方向为长度方向，以长度方向垂直的方向为宽度方向，所述凹口内凹的深度H1不大于负电极长度L1的1/3。进一步优选的，所述凹口内凹的深度H1不大于负电极长度L1的1/5。

另外，所述负电极的凹口的开口端的宽度W2不大于负电极宽度W1的1/2。

实施例2

如图3所示，本实用新型还提供了一种发光体，包括LED芯片2和LED封装支架1，其中LED封装支架为实施例1中描述的LED封装支架，所述LED芯片2固定在LED封装支架的负电极上。LED芯片固晶在负电极上时具有更多的散热面积和更大的分散面积，可以提高散热效率以及提高出光效率。而且由于负电极包裹着正电极，使得正、负电极之间不易折断，提高支架的抗折断性能。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。