技术总结
本实用新型提供了一种薄膜天线，将纳米天线与金属互连线相互整合，实现了纳米天线层的薄膜态。进一步的，利用纳米天线尺寸小和空间集成度高的特点，可以实现多个纳米天线共用的一层纳米天线层；利用恒定图案天线和变换图案天线的变换和排列，实现不同频段天线的集成于一层；进一步的，对纳米天线底部的金属接触线的设置，使得薄膜天线整体结构的纵向高度减小；此外，封闭空腔的设置，提高了纳米天线层的信号利用率；介质梁配合封闭空腔的设置，不仅提高封闭空腔的体积，还提高有利于更多频段天线的集成。本实用新型的薄膜天线及其制备方法，均可以与现有的CMOS工艺相兼容，无需额外增加成本，有利于大规模生产。
技术研发人员：汪际军
受保护的技术使用者：全普光电科技（上海）有限公司
文档号码：201720947288
技术研发日：2017.08.01
技术公布日：2018.02.06