用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠的制作方法

本公开的实施方案属于可再生能源领域，并且具体地讲，涉及制造太阳能电池的方法以及所得的太阳能电池。

背景技术：

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。所述电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施方案允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施方案允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率

附图说明

图1a示出了具有单个半导体层发射极区域的太阳能电池的剖视图。

图1b示出了具有用于发射极区域的两个半导体层堆叠的太阳能电池的剖视图。

图1c示出了根据本公开的实施方案具有用于发射极区域的三个半导体层堆叠的太阳能电池的剖视图。

图2为根据本公开的实施方案的流程图，该流程图列出制造太阳能电池的一种方法中的操作。

图3a-3g和图3g'示出了根据本公开的实施方案的太阳能电池制造中的不同阶段的剖视图，这些阶段对应于图2的流程图。

图4示出了根据本公开的实施方案具有结构上区分开的半导体区域的背接触太阳能电池的一部分的剖视图。

图5a-5c示出了根据本公开的实施方案制造太阳能电池的方法中的各种处理操作的剖视图。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施方案或此类实施方案的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施方式未必理解为相比其它实施方式是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、

技术实现要素：
或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施方案”或“某个实施方案”。短语“在一个实施方案中”或“在某个实施方案中”的出现不一定是指同一实施方案。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其它结构或步骤。

“配置为”。各个单元或部件可被描述或声明成“配置为”执行一项或多项任务。在此类语境下，“配置为”用于通过指示所述单元/部件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，可以说是将所述单元/部件配置成即使当指定的单元/部件目前不在操作(例如，未开启/激活)时也可执行任务。详述某一单元/电路/部件“配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35u.s.c.§112第六段。

“第一”、“第二”等。如本文所用，这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”太阳能电池并不一定暗示该太阳能电池是某一序列中的第一个太阳能电池；相反，术语“第一”用于区分该太阳能电池与另一太阳能电池(例如，“第二”太阳能电池)。

“耦接”—以下描述是指元件或节点或结构特征被“耦接”在一起。如本文所用，除非另外明确指明，否则“耦接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械连接。

此外，以下描述中还仅为了参考的目的使用了某些术语，因此这些术语并非意图进行限制。例如，诸如“上部”、“下部”、“上方”和“下方”之类的术语是指附图中提供参考的方向。诸如“正面”、“背面”、“后面”、“侧面”、“外侧”和“内侧”之类的术语描述部件的某些部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置，通过参考描述所讨论的部件的文字和相关的附图可以清楚地了解所述取向和/或位置。这样的术语可包括上面具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似意义的词语。

“阻止”—如本文所用，“阻止”用于描述减小影响或使影响降至最低。当组件或特征被描述为阻止行为、运动或条件时，它完全可以彻底地防止某种结果或后果或未来的状态。另外，“阻止”还可以指减少或减小可能会发生的某种后果、性能和/或效应。因此，当部件、元件或特征被称为阻止结果或状态时，它不一定完全防止或消除该结果或状态。

本发明描述了用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠以及所得到的太阳能电池。在下面的描述中，阐述了诸如具体的工艺流程操作的许多具体细节，以便提供对本公开实施方案的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下实施本公开的实施方案。在其它实例中，没有详细地描述熟知的制造技术，诸如平版印刷和图案化技术，以避免不必要地使本公开的实施方案难以理解。此外，应当理解在图中示出的多种实施方案是示例性的展示并且未必按比例绘制。

本发明公开了太阳能电池。在一个实施方案中，太阳能电池包括基板。半导体结构设置于基板上方。半导体结构包括直接设置于第一半导体层上的p型半导体层。第三半导体层直接设置于p型半导体层上。第三半导体层的最外侧边缘自第一半导体层的最外侧边缘横向凹入一定宽度。p型半导体层的最外侧边缘自第一半导体层的最外侧边缘倾斜至第三半导体层的最外侧边缘。导电触点结构电连接至半导体结构。

在另一个实施方案中，太阳能电池包括基板。半导体结构设置于基板上方。半导体结构包括直接设置于第一半导体层上的第二半导体层。第三半导体层直接设置于第二半导体层上。第三半导体层的最外侧边缘具有非内凹轮廓。第二半导体层的最外侧边缘具有延伸超过第三半导体层的最外侧边缘一定宽度的非内凹轮廓。第一半导体层的最外侧边缘具有非内凹轮廓且未底切第二半导体层。第一半导体层和第三半导体层的非内凹轮廓比第二半导体层的非内凹轮廓更陡。导电触点结构电连接至半导体结构。

本发明还公开了制造太阳能电池的方法。在一个实施方案中，制造太阳能电池的方法包括在基板上方形成第一半导体层。该方法还包括在第一半导体层上直接形成p型半导体层。该方法还包括在p型半导体层上直接形成第三半导体层。该方法还包括在第三半导体层上直接形成掩模层。该方法还包括图案化掩模层。该方法还包括蚀刻第三半导体层、p型半导体层和第一半导体层以提供半导体结构，该半导体结构具有自第一半导体层的最外侧边缘横向凹入一定宽度的第三半导体层的最外侧边缘。p型半导体层的最外侧边缘自第一半导体层的最外侧边缘倾斜至第三半导体层的最外侧边缘。

根据本文所述的一个或多个实施方案，在太阳能电池制造中实施三层半导体膜堆叠以避免与选择性蚀刻工艺相关联的悬伸部。

之前的方法包括用于太阳能电池的发射极区域的单个半导体层。例如，图1a示出了具有单个半导体层发射极区域的太阳能电池的剖视图。参见图1a，太阳能电池的一部分包括基板102。单个半导体层104设置于基板102上，例如设置于形成在基板102上的薄介电层106上。掩模层108设置于单个半导体层106上。在图案化和湿式蚀刻工艺加工之后，单个半导体层104底切掩模108，并且非常可能在基板102上方形成悬伸部区域110。此类悬伸部区域110可能在后续加工操作中带来问题。

在另一种之前的方法中，利用两层区域保持掺杂剂远离隧穿介电层。例如，图1b示出了具有用于发射极区域的两个半导体层堆叠的太阳能电池的剖视图。参见图1b，太阳能电池的一部分包括基板122。两个半导体层124和125设置于基板122上，例如设置于形成在基板122上的薄介电层126上。下层124可以不掺杂或轻掺杂以防止掺杂剂破坏薄介电层126。掩模层128设置于上部半导体层125上。在图案化和湿式蚀刻工艺加工之后，半导体层124和125底切掩模128，并且非常可能形成悬伸部区域130。此外，下部半导体层124底切上部半导体层125。此类悬伸部区域130和下层底切可能在后续加工操作中带来问题。

与图1a和图1b相比，图1c示出了根据本公开的实施方案具有用于发射极区域的三个半导体层堆叠的太阳能电池的剖视图。参见图1c，太阳能电池的一部分包括基板142。堆叠144包括三个半导体层144a、144b和144c，这三个半导体层144a、144b和144c设置于基板142上，例如设置于形成在基板142上的薄介电层146上。最下层144a可以不掺杂或轻掺杂以防止掺杂剂破坏薄介电层146。最上层144c可以不掺杂或轻掺杂以防止与后续的激光烧蚀工艺产生不利的相互作用。中间层144b为掺杂的p型，为堆叠144提供p型导电。掩模层148设置于最上层半导体层144c上。在图案化和湿式蚀刻工艺加工之后，堆叠144底切掩模，并且非常可能不在堆叠144内形成悬伸部区域。此外，最下层半导体层144a不底切中间半导体层1448，并且中间半导体层144b不底切最上层半导体层144c。

图2为根据本公开的实施方案的流程图，该流程图列出制造太阳能电池的一种方法中的操作。图3a-3g和图3g'示出了根据本公开的实施方案的太阳能电池制造中的不同阶段的剖视图，这些阶段对应于图2的流程图。

参见流程图200的操作202及对应的图3a，制造太阳能电池的方法包括在基板302上形成第一半导体层304。在一个实施方案中，在形成于基板302上的薄介电层(未示出)上形成第一半导体层304，而在其它实施方案中，在基板302上直接形成第一半导体层304。

参见流程图200的操作204及对应的图3b，制造太阳能电池的方法进一步包括在第一半导体层304上直接形成第二半导体层306。在一个实施方案中，第二半导体层为p型半导体层。

参见流程图200的操作206及对应的图3c，制造太阳能电池的方法进一步包括在第二(p型)半导体层306上直接形成第三半导体层308。

参见流程图200的操作208及对应的图3d，制造太阳能电池的方法进一步包括在第三半导体层308上直接形成掩模层310。在一个实施方案中，掩模层310为底部抗反射涂层(barc)，诸如氮化硅层。

参见流程图200的操作210及对应的图3e，制造太阳能电池的方法进一步包括图案化掩模层310以提供图案化的掩模层310'。在一个实施方案中，使用激光烧蚀工艺执行图案化。在另一个实施方案中，使用平板印刷和蚀刻工艺执行图案化。

参见流程图200的操作212及对应的图3f，制造太阳能电池的方法进一步包括蚀刻第三半导体层308、第二(p型)半导体层306和第一半导体层304以提供图案化的掩模层310'下方的半导体结构316。半导体结构316包括第一半导体结构层320、第二(p型)半导体结构层322和第三半导体结构层324。在一个实施方案中，如图3f所示，第三半导体结构层的最外侧边缘334自第一半导体结构层320的最外侧边缘330横向凹入(例如，沿方向340向内)一定宽度(w)。第二(p型)半导体结构层322的最外侧边缘332自第一半导体结构层324的最外侧边缘330倾斜至第三半导体结构层320的最外侧边缘334。

应当理解，如图3f所示，根据本公开的实施方案，上述凹入发生在蚀刻图3e的图案化的掩模层310'的两侧的过程中。在一个实施方案中，蚀刻第三半导体层308、第二(p型)半导体层306和第一半导体层304以提供半导体结构316包括执行湿式蚀刻工艺。在一个此类实施方案中，湿式蚀刻工艺涉及使用湿式蚀刻剂，该湿式蚀刻剂诸如但不限于tmah水溶液或koh水溶液。不受理论束缚，根据本发明的实施方案，第二(p型)半导体结构层322的最外侧边缘332的倾斜部分在蚀刻过程中有效形成凹入的移动三角形。该移动三角形阻止第一半导体层320的底切，并防止在三层堆叠320、322和324中形成悬伸部区域。在一个实施方案中，还在形成半导体结构316的过程中对基板302进行部分图案化。基板302的部分图案化在基板302中形成沟槽314，如图3f所示。

此外，在一个实施方案中，半导体结构316随后经受退火处理，该处理可晶化或进一步晶化半导体结构316的一层或多层。在一个实施方案中，在后续的导电触点形成之前执行退火处理。在另一个实施方案中，在导电触点形成过程中或形成之后执行退火处理。在其它实施方案中，半导体结构316随后不经受基本的退火条件。在任一种情况下，无论是否经受后续的退火条件，如全文所用，在下文所述的实施方案中均将半导体结构称为半导体结构316。

在一个实施方案中，参见图3g，对图案化的掩模层310'进行修剪以提供修剪的掩模350，从而减少或完全去除半导体结构316上方的悬伸部。修剪的掩模350可保留在最终太阳能电池的半导体结构316上，尽管修剪的掩模相比于原始掩模厚度可能变薄，如图3g所示。在一个此类实施方案中，随后例如通过激光烧蚀工艺在修剪的掩模350中形成开口，最终通过该开口形成导电触点。在一个具体的此类实施方案中，激光烧蚀穿入第三半导体结构层324的一部分，但不穿透第二(p型)半导体结构层322。在另一个实施方案中，参见图3g'，从半导体结构3l6中完全去除图案化的掩模层310'。

应当理解，半导体结构316可包括在太阳能电池结构中。在第一示例性实施方案中，参见图3g和图3g'，太阳能电池360或360'包括基板302。半导体结构316设置于基板302上方。半导体结构316包括直接设置于第一半导体层320上的p型半导体层322。第三半导体层324直接设置于p型半导体层322上。第三半导体层324的最外侧边缘334自第一半导体层320的最外侧边缘334横向凹入一定宽度(w)。p型半导体结构层322的最外侧边缘332自第一半导体层320的最外侧边缘330倾斜至第三半导体层324的最外侧边缘334。

在一个实施方案中，导电触点结构电连接至半导体结构316，其示例如下文结合图4和图5a-5c所示。在一个此类实施方案中，导电触点结构设置于抗反射涂层的开口中，该抗反射涂层设置于半导体结构316上方。

根据权利要求1所述的太阳能电池，第一半导体层320的厚度约等于p型半导体层322的厚度，并且约等于第三半导体层324的厚度。在一个实施方案中，p型半导体层322的厚度大于半导体结构316总厚度的约10％但小于半导体结构316总厚度的约90％。在一个实施方案中，第一半导体层320、p型半导体层322和第三半导体层324的厚度均不小于半导体结构316总厚度的约10％。在一个实施方案中，第一半导体层320为第一本征硅层，p型半导体层322为硼掺杂硅层，并且第三半导体层324为第二本征硅层。在一个此类实施方案中，第一本征硅层320、p型半导体层322和第二本征硅层324为非晶层。在另一个此类实施方案中，第一本征硅层320、p型半导体层322和第二本征硅层324为多晶层。在另一个此类实施方案中，第一本征硅层320和第二本征硅层324各自具有小于约1e18原子/cm³或小于约1el7原子/cm³或小于约1e16原子/cm³的总掺杂剂浓度，并且p型硅层322具有大于约2e19原子/cm³或大于约5el9原子/cm³的总硼浓度

在一个实施方案中，半导体结构316设置在设置于基板上的隧穿介电层上，其示例如下文结合图4和图5a-5c所述。在一个实施方案中，半导体结构316为太阳能电池360或360'的p型发射极区域。

在第二示例性实施方案中，再次参见图3g和图3g'，太阳能电池360或360'包括基板302。半导体结构316设置于基板302上方。半导体结构316包括直接设置于第一半导体层320上的第二半导体层322。第三半导体层324直接设置于第二半导体层322上。第三半导体层324的最外侧边缘334具有非内凹轮廓。第二半导体层322的最外侧边缘332具有延伸超过第三半导体层324的最外侧边缘334一定宽度(w)的非内凹轮廓。第一半导体层320的最外侧边缘330具有非内凹轮廓且未底切第二半导体层322。第一半导体层320和第三半导体层325的非内凹轮廓330和334分别陡于第二半导体层322的非内凹轮廓332。

在一个实施方案中，导电触点结构电连接至半导体结构316，其示例如下文结合图4和图5a-5c所示。在一个实施方案中，第二半导体层322为p型硅层。第一半导体层320和第三半导体层324各自具有小于约1e18原子/cm³的总掺杂剂浓度，并且p型硅层具有大于约2e19原子/cm³的总硼浓度

在另一方面，太阳能电池具有区分开的p型和n型架构。图4示出了根据本公开的实施方案具有结构上区分开的半导体区域的背接触太阳能电池的一部分的剖视图。

参见图4，背接触太阳能电池400的一部分包括具有光接收表面404和背表面406的基板402。在一个实施方案中，基板402为n型单晶硅基板。p型发射极区域408设置于第一薄介电层410上，该第一薄介电层410设置于基板402的背表面406上。p型发射极区域包括结合图3g和图3g'所述的半导体结构316。n型多晶硅发射极区域412设置于第二薄介电层414上，该第二薄介电层414设置于基板102的背表面406上。第三薄介电层416直接横向设置于p型多晶硅发射极区域408和n型多晶硅发射极区域412之间。第一导电触点结构418设置于p型发射极区域408上。第二导电触点结构420设置于n型多晶硅发射极区域412上。

再次参见图4，在一个实施方案中，太阳能电池400进一步包括设置于p型发射极区域408上的绝缘层422。第一导电触点结构418设置为穿过绝缘层422。另外，n型多晶硅发射极区412的一部分与绝缘层422重叠但与第一导电触点结构418分开。在一个实施方案中，另外的n型多晶硅层424设置于绝缘层422上，第一导电触点结构418设置为穿过n型多晶硅层424并且穿过绝缘层422，如图4所示。在一个此类实施方案中，另外的n型多晶硅层424和n型多晶硅发射极区域412由相同层形成，该层毯覆式沉积并且随后加以刻划以在其中提供划线426。

再次参见图4，在一个实施方案中，太阳能电池400进一步包括设置于基板402的背表面406上的凹陷部428。n型多晶硅发射极区412和第二薄介电层414设置于凹陷部428中。在一个此类实施方案中，凹陷部428具有纹理化表面，并且n型多晶硅发射极区412和第二薄介电层414与纹理化表面共形，如图4所示。在一个实施方案中，随后，p型多晶硅发射极区408和第一薄介电层410设置于基板402的背表面406的平坦部分上，并且n型多晶硅发射极区412和第二薄介电层414设置于基板的背表面406的纹理化部分上，如图4所示。然而，应当理解，其它实施方案可能不包括纹理化表面，或者完全可能不包括凹陷部。

再次参见图4，在一个实施方案中，太阳能电池400进一步包括设置于基板402的光接收表面404上的第四薄介电层430。n型多晶硅层432设置于第四薄介电层432上。抗反射涂层(arc)434，诸如氮化硅层，设置于多晶硅层432上。在一个此类实施方案中，如下文更详细地描述，通过用于形成第二薄介电层414的基本上相同工艺来形成第四薄介电层432，并且通过用于形成n型多晶硅发射极区域412的基本上相同工艺来形成n型多晶硅层432。

在一个实施方案中，第一薄介电层410、第二薄介电层414和第三薄介电层416包含二氧化硅。然而，在另一个实施方案中，第一薄介电层410和第二薄介电层414包含二氧化硅，而第三薄介电层416包含氮化硅。在一个实施方案中，绝缘层422包含二氧化硅。

在一个实施方案中，第一导电触点结构418和第二导电触点结构420各自包括铝基金属晶种层，该金属晶种层分别设置于p型发射极区域408和n型发射极区域412上。在一个实施方案中，第一导电触点结构418和第二导电触点结构420中的每一者还包括设置于铝基金属晶种层上的金属层，诸如铜层。

在另一方面，太阳能电池具有未区分开的p型和n型架构。图5a-5c示出了根据本公开的实施方案制造太阳能电池的方法中的各种处理操作的剖视图。应当理解，尽管图3g'的结构有效地用于图5a-5c中，但是相反地可包括图3g的结构，因为残留的掩模材料350可保留在半导体结构316上。

参见图5a，形成背接触太阳能电池的触点的方法包括在基板500上形成薄介电层502。

在一个实施方案中，薄介电层502由二氧化硅构成并具有大约在5-50埃范围内的厚度。在一个实施方案中，薄介电层502最终用作功能太阳能电池中的隧穿氧化物层。在示例中，介电层502可为非晶介电层。非晶介电层可通过硅基板的氧化(例如，通过pecvd)而形成。硅层的氧化可包括例如等离子体氧化和/或自由基氧化。在一个实施方案中，基板500为块体单晶基板，如n型掺杂的单晶硅基板。然而，在一个另选的实施方案中，基板500包括设置在整个太阳能电池基板上的多晶硅层。

再次参见图5a，沟槽516形成在n型掺杂多晶硅区域520与p型半导体区域522之间。p型半导体区域522基于半导体结构316，如结合图3g和图3g'所述。沟槽516的部分可纹理化以具有纹理化特征518，同样如图5a所示。

再次参见图5a，绝缘层524形成在多个n型掺杂多晶硅区520、多个p型半导体区域522以及基板500被沟槽516暴露的部分上方。在一个实施方案中，绝缘层524的下表面与多个n型掺杂多晶硅区520、多个p型半导体区域522以及基板500的暴露部分共形形成，而绝缘层524的上表面为基本上平坦的，如图5a所示。

参见图5b，多个接触开口526形成于绝缘层524中。多个接触开口526使得多个n型掺杂多晶硅区520和多个p型半导体区域522暴露。在一个实施方案中，多个接触开口526通过激光烧蚀形成。在一个实施方案中，n型掺杂多晶硅区520的接触开口526具有与p型半导体区域522的接触开口基本上相同的高度，如图5b所示。

参见图5c，形成背接触太阳能电池的触点的方法还包括在多个接触开口526中形成导电触点528，并使该导电触点耦接至多个n型掺杂多晶硅区520和多个p型半导体区域522。在一个实施方案中，导电触点528形成于块体n型硅基板500的与块体n型硅基板500的光接收表面50相对的表面上或该表面上方。在一个具体实施方案中，导电触点形成在基板500表面上方的区域(522/520)上，如图5c所示。导电触点的制造可包括使用一个或多个溅镀、电镀或粘合的导电层。

在一个实施方案中，多个导电触点528通过形成金属晶种层然后执行电镀工艺来形成。在一个实施方案中，晶种层通过沉积、平板印刷和蚀刻方法形成。然后将金属层电镀到图案化的金属晶种层上。在另一个实施方案中，多个导电触点528通过印刷糊剂来形成。该糊剂由溶剂和铝/硅(al/si)合金颗粒组成。然后可执行后续的电镀和/或化学镀工艺。

在一个实施方案中，多个导电触点528通过首先形成金属晶种层然后形成金属箔层来形成。在一个实施方案中，金属晶种层包括具有厚度大约在0.05微米至20微米范围内的层，并且包括含量大于大约90原子百分比的铝。在一个实施方案中，金属晶种层沉积为覆盖层，随后进行图案化。在另一个实施方案中，金属晶种层沉积为图案化层。在一个此类实施方案中，通过印刷图案化的金属晶种层来沉积图案化的金属晶种层。

在一个实施方案中，金属箔为具有在约5-100微米范围内的厚度的铝(al)箔。在一个实施方案中，al箔为包含铝和第二元素(例如但不限于铜、锰、硅、镁、锌、锡、锂或它们的组合)的铝合金箔。在一个实施方案中，al箔为回火级(tempergrade)箔，例如但不限于f级(自由状态)、o级(全软)、h级(应变硬化)或t级(热处理)。在一个实施方案中，铝箔为阳极氧化铝箔。在另一个实施方案中，在金属晶种层上形成金属线。在一个此类实施方案中，金属线为铝(al)或铜(cu)线。在任一种情况下，金属箔或金属线均可焊接到金属晶种层。就金属箔层而言，随后可通过例如激光烧蚀工艺和/或蚀刻使金属箔图案化。此类图案化可将金属箔部分定位在与多个半导体区域520和522之间的位置对准的区域中。

虽然参考上述实施方案具体描述了某些材料，但是在此类实施方案中，可用其它材料来容易地取代其中的一些材料，这些实施方案仍然在本公开实施方案的精神和范围内。例如，在一个实施方案中，可使用不同材料的基板，诸如iii-v族材料的基板，来代替硅基板。此外，应当理解，在针对太阳能电池背表面上的发射极区具体描述n+型和随后p+型掺杂的顺序的情况下，设想的其它实施方案包括相反的导电类型顺序，分别为例如p+型和随后n+型掺杂。另外，虽然主要提及背接触太阳能电池布置，但应当理解，本文所述的方法也可应用于前接触电极太阳能电池。在其它实施方案中，上述方法可适用于太阳能电池以外的制造。例如，发光二极管(led)的制造可受益于本文所述的方法。

因此，本发明公开了用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠以及所得到的太阳能电池。

尽管上面已经描述了具体实施方案，但即使相对于特定的特征仅描述了单个实施方案，这些实施方案也并非旨在限制本公开的范围。除非另有说明，否则本公开中所提供的特征的示例旨在为例证性的而非限制性的。以上描述旨在涵盖将对本领域的技术人员显而易见的具有本公开的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。

本公开的范围包括本文(明示或暗示)所公开的任何特征或特征组合，或其任何概括，不管其是否减轻本文所解决的任何或全部问题。因此，可以在本申请(或要求其优先权的申请)的审查过程期间针对任何此类特征组合提出新的权利要求。具体地讲，参考所附权利要求书，来自从属权利要求的特征可与独立权利要求的那些特征相结合，来自相应的独立权利要求的特征可以按任何适当的方式组合，而并非只是以所附权利要求中枚举的特定形式组合。