金属触点之一可以安置在太阳能电池的正面或前侧面上(通常称为前触点)，而另一金属触点位于单体电池的背面上(通常称为背触点)。替代地也已知如下太阳能电池：对于这种太阳能电池，各金属触点仅仅例如以梳式叉指结构的形式位于太阳能电池背面上。在这种仅仅背面接触的太阳能电池中，可以减小遮暗效应。铝是一种非常良好地适合于太阳能电池、特别是结晶的硅-太阳能电池的背面金属化的金属。它的特点是，导电率高、价格低和光反射度高。由于这些原因，大多数工业制造的硅-太阳能电池具有铝制的电的背触点，该背触点往往通过丝网印刷予以覆设。该背触点在温度超过800℃时被烧结，以便保证由铝颗粒构成的基质良好地凝聚。同时，铝与硅晶圆熔成合金，并且靠近表面以相当大的浓度游离于其中，由此形成了适合于p型太阳能电池的、p+掺杂的背表面场(bsf)。然而，铝掺杂的bsf的电品质对于高效太阳能电池不够用。硼掺杂的bsf对于p型太阳能电池实现了较小的饱和电流密度。对于n型太阳能电池，根本就不需要n+掺杂。在这两种情况下，与丝印-铝的接触会由于不可避免的形成合金而导致bsf严重受损，或者甚至导致过度补偿。丝印-铝的另一缺点是，高的烧结温度不允许优化的介电的表面钝化，这同样妨碍实现峰值效率。因此，通过物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)在当今的高效太阳能电池上覆设al背面触点。这些al背面触点相比于丝印al具有改善光反射度的附加优点，因为它们是致密层。太阳能电池与pvd-al-背触点电串联成太阳能电池串，这种串联比如对于制造太阳能电池模块来说是必需的，然而却是一种挑战，因为能导电的电池小连接带(简称：连接器)由于很快在铝上形成的al2o3层而不能传统地钎焊到铝上。针对该技术问题，已知有多种解决方案。在一种方法中，首先把由锡构成的印制导线—所谓的汇流排—通过超声焊接覆设到铝上。随后，可以把cu连接器软钎焊到锡汇流排上。例如h.v.campe等人的第27届欧洲光伏太阳能会议纪要(2012年第1150页)以及p.schmitt等人的“adhesionofalmetallizationinultrasonicsolderingonthealrearsideofsolarcells”(energyprocedia杂志，2013年)描述了这一点。技术挑战是覆设锡汇流排的设备技术代价和因超声波影响所致的可能提高的断裂率(所谓的振动冲击)，这对于薄的太阳能电池会变得明显。在另一方法中，在沉积铝之后直接在同一设备中在不破坏真空的情况下通过热蒸镀或溅射覆设可钎焊的金属。层系统tin/ti/ag-、niv/ag-和nisi/ag已表现出大的连接附着力。j.kumm等人的“developmentoftemperature-stable,solderablepvdrearmetaüizationforindustrialsiliconsolarcells”(第28届欧洲光伏太阳能会议纪要，2013年)；v.jung等人的“al/ni:v/agmetalstacksasrearsidemetallizationforcrystallinesiliconsolarcells”(progressinphotovoltaics，2012年第876页)以及v.jung等人的“ni:siasbarriermaterialforsolderablepvdmetallizationofsiliconsolarcells”(energyprocedia，2013年第362页)描述了这一点。此外，对于铝，还有其它一些接合技术，比如焊接或硬钎焊。对于太阳能电池连接技术，这些接合技术由于所采用的>450℃的高温和介电的钝化层的与此相关联的降解而通常不适用。在另一种解决方案中，在太阳能电池上采用锌层作为起始层，用于电化学地沉积镍和铜。kamp等人的“zincateprocessesforsiliconsolarcellmetallization”(solarenergymaterials&solarcells，第120期第332页，2014年)描述了这一点。在此，在锌酸盐酸洗过程中，在铝-背触点上沉积锌，其中，首先去除铝表面的原生氧化物，然后引起锌和铝的置换反应，从而在铝上产生薄的锌层。在该锌层上通过电镀沉积而沉积出ni/cu-金属层堆，随后在该金属层堆上钎焊小铜带。本发明的目的是，通过一种方法来连接太阳能电池，采用该方法可以尽可能简单且有效地将太阳能电池连接器固定在太阳能电池的金属触点上。另一目的是，提供连接的太阳能电池，其在太阳能电池的金属触点与太阳能电池连接器之间具有大的附着力。该目的通过一种用于连接太阳能电池的方法得以实现，其中，(a)通过物理气相沉积把铝或铝合金沉积在第一太阳能电池的半导体器件的背面上，并形成铝-背触点；(b)用含有zn2+的碱性、水状介质处理铝-背触点，从而在铝-背触点上沉积金属锌，并形成镀锌的铝-背触点；(c)通过金属连接器使得镀锌的铝-背触点与第二太阳能电池的金属触点连接，其中，该金属连接器通过钎焊或粘接固定在镀锌的铝-背触点上。在本发明的范畴内已发现，通过湿化学方法得到的镀锌的铝是一种用来固定金属连接器(比如小铜带)的很有效的衬底。可以实现连接器在太阳能电池的金属触点上的高的附着强度。省去在钎焊连接器之前把其它金属层(例如通过电镀)覆设在镀锌的铝上。确切地说，镀锌的铝已经形成用于钎焊或粘接连接器的合适的衬底。如上已述，太阳能电池公知地包含半导体器件，该半导体器件包括第一半导体材料、第二半导体材料和位于这两种半导体材料之间的过渡区域(例如也称为pn结)。可以对这些半导体材料中的一种予以掺杂，或者也可以对这些半导体材料中的每一种予以掺杂。通过与第一半导体材料电连接的第一金属触点和与第二半导体材料电连接的第二金属触点，可以量取所产生的电压。在本发明的范畴内，镀锌的铝-背触点形成这些金属触点之一。太阳能电池优选是硅-太阳能电池，例如单晶硅-太阳能电池、多晶硅-太阳能电池、或非晶硅-太阳能电池。但本发明的方法也适合于连接其它太阳能电池，例如ⅲ-ⅴ-半导体-太阳能电池、ⅱ-ⅵ-半导体-太阳能电池、ⅰ-ⅲ-ⅵ-半导体-太阳能电池或有机太阳能电池。如本领域技术人员普遍公知的是，在连接太阳能电池时，这些太阳能电池通过金属连接器相互接触。金属连接器在此分别固定在相邻太阳能电池的金属触点之一上。所述连接可以是串联连接，或者也可以是并联连接。也可以把太阳能电池的串联连接与并联连接组合起来。如上已述，在本发明的方法的步骤(a)中，通过物理气相沉积把铝或铝合金沉积在第一太阳能电池的半导体器件的背面上，并形成铝-背触点。本领域技术人员知道用于物理气相沉积金属铝或铝合金的合适的方法。对金属铝或铝合金的物理气相沉积例如通过蒸镀方法(比如热蒸镀、电子束蒸镀、激光束蒸镀、电弧蒸镀或分子束外延)、溅射(也称为阴极溅射方法)、离子电镀或icb沉积(“ionized-cluster-beam”(离子团束)-沉积)进行。通过热处理由铝或铝合金构成的靶，或者通过例如用离子、电子或激光束轰击该靶，靶材料被蒸镀并且沉积在太阳能电池的半导体器件上。半导体器件经过布置，从而铝或铝合金的沉积在其背面上进行。与本领域技术人员的通常理解相一致，半导体器件的背面是在太阳能电池的工作中与被照射的面(即正面)相对的侧面，该侧面因而形成背光的侧面。位于太阳能电池背面上的金属触点也称为背触点。根据太阳能电池的种类而定(例如单晶的或非晶的硅-太阳能电池)，本领域技术人员基本上知道必须如何设计半导体器件(即要采用的半导体材料的种类、掺杂等)。在本发明的范畴内可行的是，太阳能电池的半导体器件除了具有铝-背触点外，还在其正面上具有金属的前触点。该前触点可以按公知的方式设计。例如，前触点可以具有格栅结构。前触点可以例如由银或银合金制成。前触点可以当在步骤(a)中安置铝-背触点时就已经位于半导体器件上。替代地，前触点可以与铝-背触点同时地或者也可以在安置铝-背触点之后覆设到半导体器件上。为了减小遮暗效应，替代地也可行的是，仅仅在背侧接触太阳能电池，亦即仅仅在半导体器件的背面上存在金属的触点。这可以例如按如下方式来实现：铝或铝合金在沉积之后予以蚀刻处理，以便由此得到两个分开的铝-背触点(例如以梳式叉指结构的形式)。被沉积的金属铝的纯度可以沿较宽的范围变化，只要不会不利地影响导电性和/或机械特性。例如，铝含有在总量中占比小于1％(重量)、优选小于0.1％(重量)或小于0.01％(重量)的其它金属元素。如果采用铝合金作为太阳能电池的金属的背触点，则该铝合金优选具有至少80％(重量)、优选至少90％(重量)的铝含量。本领域技术人员知道可以与铝熔成合金的合适的金属元素。在步骤(a)中制得的铝-背触点的厚度可以沿较宽的范围变化。例如，铝-背触点具有0.3μm～7μm范围内、优选2μm～4.5μm范围内的厚度。在铝或铝合金沉积之后，可以在锌沉积步骤(b)之前可选地还对铝-背触点进行合适的预处理(例如去除表面上的可能的有机杂质)。然而这对于在步骤(b)中沉积的金属锡足够好地附着在铝-背触点的表面上来说并不需要。因此在步骤(a)之后可以立即执行步骤(b)。如上已述，在本发明的方法的步骤(b)中，用含有游离形式的zn2+(即氧化数为+ⅱ的锌)的碱性、水状介质处理铝-背触点，从而在铝-背触点上沉积金属锌，并形成镀锌的铝-背触点。优选地，用来处理铝-背触点的水状介质具有相当高的zn2+浓度。在一种优选的实施方式中，碱性、水状介质中的zn2+浓度为至少1.5％(重量)、优选至少2.0％(重量)、更优选至少3.0％(重量)，或者甚至至少4.0％(重量)。在一种优选的实施方式中，水状介质含有的zn2+浓度为1.5％(重量)～12.0％(重量)、优选2.0％(重量)～10.0％(重量)、更优选3.0％(重量)～8.0％(重量)，或者4.0％(重量)～8.0％(重量)。zn2+以游离的形式存在，其方式例如为，使得zn2+化合物在相对碱性的条件下(例如相对高的ph值)在水状介质中游离。zn2+可以在碱性的条件下例如作为锌酸盐(例如[zn(ⅱ)(oh)4]2-或类似的含有zn2+的形态)存在于水状介质中。这对于本领域技术人员来说基本上是已知的。碱性、水状介质的合适的ph值例如≥10，优选≥13。可选地，碱性水状介质还可以含有其它过渡金属阳离子，优选铁-阳离子、镍-阳离子或铜-阳离子或这些阳离子中的至少两种阳离子的组合。在一种优选的实施方式中，碱性、水状介质还含有浓度为至少0.0003％(重量)、优选至少0.001％(重量)、例如在0.0003～30％(重量)或0.0003～0.1％(重量)范围内的fe-阳离子。如果碱性、水状介质含有镍-阳离子，则这些镍-阳离子可以例如以0.1～5％(重量)、优选0.5～3％(重量)的浓度存在。如果碱性、水状介质含有铜-阳离子，则这些铜-阳离子可以例如以0.01～1％(重量)、优选0.05～0.5％(重量)的浓度存在。来自含有zn2+的水状介质的金属锌在铝-背触点上的沉积优选不通电地进行。不通电的金属沉积是一种在不使用外部电源的情况下实施的镀层方法。本领域技术人员自己知道，使用碱性zn2+溶液将金属锌不通电地沉积到铝-衬底上(例如为锌酸盐方法)。在该过程中，首先使得位于铝上的al2o3层解离。裸露的铝被氧化，并且作为铝酸盐进入到溶液中。zn2+(例如以锌酸盐的形式)被还原为沉积在仍存在的铝上的金属zn。太薄的锌层会造成钎焊的或粘接的连接器的附着性差。此外，对于太薄的锌层，在连接器与铝-背触点之间会存在大的接触过渡电阻。另一方面，太厚的锌层不能充分地附着在铝-背触点上。优选地，沉积在铝-背触点上的锌层具有在0.1μm～5μm范围内、优选0.3μm～2.5μm范围内的厚度。通常，铝-背触点的厚度在zn-沉积步骤(b)期间减小一个值，该值大致等于沉积的金属zn-层的厚度。在步骤(b)中用碱性、水状的含有zn2+的介质处理铝-背触点的时长例如为15s～250s。锌沉积步骤(b)优选在5-60℃、优选5-45℃范围内的温度情况下进行。对铝-背触点的处理可以例如通过浸入到含有zn2+的介质中来进行，或者通过用含有zn2+的介质冲洗或喷溅来进行。为此，整个半导体器件可以与含有zn2+的介质接触(例如使得整个半导体器件完全浸入)。替代地可以优选的是，仅使得铝-背触点与含有zn2+的介质接触。在一种优选的实施方式中，在锌沉积步骤(b)期间，半导体器件的背面保持在基本水平的位置，其中，铝-背触点向下朝向，并与含有zn2+的水状介质接触。“基本水平”的意思是，与理想水平位置的偏差最大为20％，优选最大为10％。碱性、水状的含有zn2+的介质和水平布置的半导体器件的向下朝向的铝-背触点可以采用通常的方法比如浸渍、冲洗或喷溅而接触。例如，含有zn2+的介质位于在上面开口的容器中，并且，半导体器件移动到该容器上方(其方式例如为，把半导体器件支撑在辊上)，并使得含有zn2+的介质经由喷嘴朝向铝-背触点喷溅。在另一变型中，例如把支撑在辊上的半导体器件引导到含有zn2+的介质上方，其中，辊至少局部地浸入到含有zn2+的介质中，并通过其旋转而使得水状介质与铝-背触点接触。在步骤(b)期间，半导体器件水平地布置，并且铝-背触点向下朝向，这对沉积在铝-背触点上的金属锌层的微观结构有积极影响，并导致进一步改善铝-背触点与固定于其上的太阳能电池-连接器之间的附着力。替代地也可行的是，半导体器件在步骤(b)期间基本上竖直地布置。但原则上，在步骤(b)中半导体器件的任何其它布置(例如倾斜地朝向)也是可行的。在一种优选的实施方式中，铝-背触点在锌沉积步骤(b)期间相对于含有zn2+的介质移动。优选地，铝-背触点与水状的含有zn2+的介质之间的相对速度至少为0.1m/min、优选至少为0.2m/min。这种相对移动可以例如按如下方式来实现：使得铝-背触点移动经过静止的含有zn2+的介质，或者，使得流动的含有zn2+的介质流过静止的铝-背触点，或者把这两种方案组合起来。含有zn2+的介质的流速(进而相对于(移动的或静止的)铝-背触点的相对速度)可以例如通过泵功率来调节。通过在zn-沉积的步骤(b)期间在铝-背触点与水状的含有zn2+的介质之间的相对移动，可以实现进一步改善铝-背触点与固定于其上的太阳能电池-连接器之间的附着力。如下面还要进一步介绍，对于通过钎焊或粘接而固定在镀zn的铝-背触点上的金属连接器的附着强度来说，已表明特别有利的是，在步骤(b)中沉积的金属锌层作为致密的层存在，其中，在致密的锌层的表面上还存在锌-晶粒，这些晶粒的直径大于5.0μm，数量密度≥800/mm2、优选≥1000/mm2、更优选为1000-4000/mm2；和/或其中，致密的锌层的表面的至少1.5％、优选至少2.0％、更优选2.0-8.0％被直径大于5.0μm的锌-晶粒覆盖。除了含有相对大的zn-晶粒(即>5.0μm)外，金属的锌层优选还含有直径小于1.0μm的明显较小的锌-晶粒，其中优选地，致密的锌层的表面的大部分(例如多于50％或者甚至多于60％)用直径小于1.0μm的这些较小的锌-晶粒覆盖。优选地，直径大于5.0μm的锌-晶粒和直径小于1.0μm的锌-晶粒共同地覆盖致密的锌层的表面的至少90％、优选至少95％。在致密的锌层的表面上的锌-晶粒的颗粒大小分布可以例如是双峰式的。图1中示出了这种致密的金属锌层，其具有相对高的数量密度的较大的晶粒。zn-层表面上的相对大的zn-晶粒所在的区域分别被由明显较小的zn-颗粒形成的区域包围。借助步骤(b)的上述方法参数，可以有针对性地产生这种金属的锌层。如果金属连接器在锌层上的固定通过钎焊进行，则具有相对高密度的较大晶粒的这种特殊结构至少在未钎焊的区域中得以保持。如果所述固定通过粘接进行，则金属锌层的特殊结构也可以在粘接的区域中得到保持。优选地，在锌沉积步骤(b)期间，仅仅铝-背触点与含有zn2+的介质接触。由此避免太阳能电池的其它区域被水状介质化学地侵蚀。在一种优选的实施方式中，在步骤(b)中得到的镀zn的铝-背触点在步骤(c)之前用冲洗液冲洗至少一次。至少为了在步骤(c)之前对镀zn的铝-背触点的第一次冲洗，且可选地也为了后续冲洗，优选地采用ph>8.5、优选ph>13的水状冲洗液。优选地，在步骤(c)之前例如通过合适的热处理对镀zn的铝-背触点予以干燥。必要时，在步骤(c)执行之前，步骤(b)可以重复至少一次。但考虑到过程效率，优选步骤(b)仅执行一次。如下面还要进一步介绍，在步骤(c)中，特别是通过钎焊把金属连接器固定在镀zn的铝-背触点上。因此，在一种可选的实施方式中，在步骤(c)之前就已经可以将钎焊材料覆设到在步骤(b)中沉积的金属的zn层上。优选地，至少在要固定金属连接器的所在区域中将钎焊材料覆设到zn层上。合适的钎焊材料对于本领域技术人员来说是已知的，并将在下面还要进一步介绍。如上已述，在本发明的方法的步骤(c)中，镀zn的铝-背触点通过金属连接器与第二太阳能电池的金属触点连接，其中，该金属连接器通过钎焊或粘接固定在第一太阳能电池的镀zn的铝-背触点上。本领域技术人员普遍地知道用于连接太阳能电池的金属连接器。合适的金属连接器可在商业上得到，或者可以采用通常的方法制得。金属连接器优选为带状或线状，但其它形状在原则上也是可行的。金属连接器优选为带状。如果金属连接器通过钎焊固定在镀zn的铝-背触点上，则可以用钎焊材料例如锡或锡-合金对金属连接器镀层。由此省去了单独地供应钎焊材料。适合作为钎焊材料的锡-合金是普遍公知的。锡-合金例如含有铅、银和/或铋作为合金元素。钎焊材料(优选锡合金)优选具有180℃～245℃范围内的熔点温度。在一种优选的实施方式中，金属连接器是铜带，优选是用锡或锡-合金镀层的铜带。这种“镀锡的”铜带可在商业上得到。钎焊优选在低于450℃的温度下进行。这通常也称为软钎焊。钎焊温度优选处于175℃～400℃或者175℃～300℃的范围内。在钎焊过程中，采用通常的优选非腐蚀性的(“免清洗”)焊剂。焊剂可以覆设到用钎焊材料镀层的金属连接器(例如镀锡的小铜带)上，和/或覆设到在方法步骤(b)中沉积的锌层上。如果金属连接器在镀zn的铝-背触点上的固定通过粘接进行，则优选采用导电的粘接剂。这种粘接剂对于本领域技术人员是已知的，且可在商业上得到。与第一太阳能电池连接的第二太阳能电池优选同样是如下的太阳能电池：在该太阳能电池上已按照上述方法安置了镀zn的铝-背触点。关于该第二太阳能电池的金属触点(例如背触点和前触点，或者替代地仅仅背触点)，因而可以参见以上说明。本发明还涉及一种太阳能电池串，其包括至少两个通过金属连接器而连接的太阳能电池，其中，至少一个太阳能电池具有利用金属锌镀层的铝-背触点，并且，金属连接器直接钎焊到或粘接到镀zn的铝-背触点上。优选至少两个太阳能电池，更优选地每个太阳能电池，具有利用金属锌镀层的铝-背触点，并且，在每个所述镀zn的铝-背触点上都分别直接钎焊或粘接金属连接器。优选地，太阳能电池串可按照上述方法得到。因而优选地，在太阳能电池串内相互连接的太阳能电池中的至少一个太阳能电池具有已按照上述方法制得的镀zn的铝-背触点。优选地，全部在太阳能电池串内连接的太阳能电池都具有如此制得的镀zn的铝-背触点。优选地，太阳能电池的镀zn的铝-背触点具有一个或多个区域，在这些区域中存在由金属锌构成的致密层，在致密的锌层的表面上还有锌-晶粒，这些晶粒的直径大于5.0μm，数量密度≥800/mm2、优选≥1000/mm2、更优选为1000-4000/mm2；和/或其中，致密的锌层的表面的至少1.5％、优选至少2.0％、更优选2.0-8.0％被直径大于5.0μm的锌-晶粒覆盖。除了含有相对大的zn-晶粒(即>5.0μm)外，金属的锌层优选还含有直径小于1.0μm的明显较小的锌-晶粒，其中优选地，致密的锌层的表面的大部分(例如多于50％或者甚至多于60％)用直径小于1.0μm的这些较小的锌-晶粒覆盖。优选地，直径大于5.0μm的锌-晶粒和直径小于1.0μm的锌-晶粒共同地覆盖致密的锌层的表面的至少90％、优选至少95％。在致密的锌层的表面上的锌-晶粒的颗粒大小分布可以例如是双峰式的。晶粒直径、在zn-层表面上的直径大于5.0μm或者小于1.0μm的zn-晶粒的数量密度和被这些zn-晶粒覆盖的相应的相对表面覆盖度，通过zn-层的(俯视的)扫描电子显微照片(rem-照片)以及通过用合适的图像分析软件分析照片予以确定。晶粒的直径就是如下圆的直径，该圆的面积等于晶粒在rem-照片中的投影面积。如果锌层表面的例如大约5％被直径大于5.0μm的锌-晶粒覆盖，则这意味着，zn-层的在俯视的rem-照片中体现出来的表面的大约5％被直径大于5.0μm的这种锌-晶粒覆盖。例如，镀zn的铝-背触点的表面的至少90％、优选至少97％可以具有这种结构，即由金属锌构成的致密层，其中，在锌层的表面上有一些锌-晶粒，这些晶粒的直径大于5.0μm，数量密度≥800/mm2、优选≥1000/mm2、更优选为1000-4000/mm2；和/或其中，锌层的表面的至少1.5％、优选至少2.0％、更优选2.0-8.0％被直径大于5.0μm的锌-晶粒覆盖。如果金属连接器已通过钎焊固定在镀zn的铝-背触点上，则在未固定金属连接器之处，存在这些带有较高数量密度的较大锌-晶粒的区域。如果例如采用sn-合金作为焊料，则在金属连接器已钎焊到镀zn的铝-背触点上的所在区域中，在连接器的金属(例如cu)与铝或铝合金之间存在一个具有sn-基质的层，该基质带有在其中扩散的zn-颗粒。如果金属连接器已通过粘接固定在镀zn的铝-背触点上，则在金属连接器已固定之处，也附加地存在这些带有较高数量密度的较大锌-晶粒的区域。本发明将通过下面的例子进一步予以介绍。例子在180μm厚、p掺杂的硅晶圆(下面称为太阳能电池的半导体器件)的背面上，大面积地热蒸镀3μm的纯度>95％的铝。由此得到铝-背触点。在铝层与太阳能电池之间，存在一个由al2o3和sixny构成的介电的层堆。该层堆在多个点局部地用激光开孔，以便使得蒸镀的铝与半导体器件的硅产生电接触。在太阳能电池的半导体器件的正面上，有一个用磷热扩散的n+掺杂的发射极。在该发射极上有薄的sixny-防反射层和丝印的、含银的金属网格，该金属网格用作半导体器件的前触点。在室温情况下用水状溶液对铝-背触点处理90s，该溶液含有4％(重量)的锌-离子、15％(重量)的naoh和0.001％(重量)的铁-离子。在此，太阳能电池的半导体器件水平地布置，其中，铝-背触点向下朝向，并且，化学溶液以0.3m/min的速度从下面流过铝-背触点。在这种情况下，沉积出1μm的锌，并且溶解大约1μm的铝。然后，仍水平地布置的半导体器件从下面用1％的氢氧化钠溶液予以冲洗，随后从下面用脱矿的水予以冲洗。在锌沉积步骤中，仅仅铝-背触点与湿化学的溶液接触。图1示出了镀zn的铝-背触点的表面的rem-照片。该照片示出了致密的金属锌-层，该层具有相对高份额的大的锌-晶粒，这些晶粒的直径至少为5μm。直径大于5μm的锌-晶粒以1736/mm2的数量密度存在。金属锌-层的表面的3.5％用直径至少为5μm的锌-晶粒覆盖。在太阳能电池干燥之后，在245℃情况下通过电阻加热式的接触钎焊机构把镀锡的小铜带钎焊到镀锌的铝-背触点上长达5s，该小铜带具有130μm的铜厚度和15μm的两侧的sn/pb/ag-镀层。镀锡的小铜带事先已用kester公司的商标为952s的免清洗焊剂予以助焊处理。对于固定在镀zn的铝-背触点上的小铜带，已确定了拔出力。参照连接器的宽度，适当的连接器-拔出力平均超过1.5n/mm。由此可以实现金属连接器的在太阳能电池的铝-背触点上的高的附着强度。连接器的突伸的端部在后续的钎焊步骤中以公知的方式钎焊到另一太阳能电池的正面上。得到了一个太阳能电池串，在该太阳能电池串中，各太阳能电池串联地连接。各太阳能电池串用玻璃、乙烯-聚乙烯醋酸盐和聚合物-背面膜被层压为模块。当前第1页12当前第1页12