技术特征：
技术总结
根据一个实施方式的半导体基材的制造方法包括以下步骤：用Fe、Cu和Ni中的至少一种金属对电阻率小于0.1Ω·cm的经掺杂的半导体基材的表面层和表面层之下的本体层中的至少一层进行污染；在950℃的温度下进行30分钟的干氧化以在半导体基材的表面上强制形成氧化物膜；以及通过采用光致发光评价法来对形成有氧化物膜的表面层和本体层中的至少一层中是否存在金属污染和所含金属污染程度中的至少一种信息进行评价。
技术研发人员：李京鲜;咸昊璨
受保护的技术使用者：爱思开矽得荣株式会社
技术研发日：2017.11.28
技术公布日：2019.07.19