用于制造光电子半导体芯片的方法与流程

技术领域

本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。

背景技术：

尤其在该方法中，转换层电泳地沉积在半导体本体上。例如在文献C.R.Belton等、J.Phys.D.:Appl.Phys.41，094006(2008)中描述了用于施加转换层的方法。

技术实现要素：

当前应当提出一种方法，借助所述方法可行的是：将转换层施加到相对小的子像素区域上来产生不同的颜色。

该目的通过具有根据本发明的实施例的方法来实现。该方法的有利的改进形式和实施方案是本发明的实施例的主题。

在用于制造半导体芯片的方法中提供一种具有像素区域的半导体本体。像素区域具有至少两个不同的子像素区域。优选地，子像素区域构成为彼此电绝缘的。每个子像素区域优选具有有源层，所述有源层适合于在半导体本体运行中发射出第一波长范围的电磁辐射。尤其优选第一波长范围具有蓝色光或由蓝色光形成。

子像素区域例如具有最高150微米的边长。子像素区域例如能够通过沟槽相互分开。例如子像素区域相互间以一定间距设置。例如在两个直接相邻的子像素区域之间的间距具有不大于10微米的值。

此外，将导电层施加到至少一个子像素区域的辐射出射面上。导电层适合于与质子反应参与物至少部分地构成盐。

尤其优选地，导电层具有金属、金属合金、半金属或半导体材料或由金属、半金属或半导体材料形成。例如导电层具有下列材料中的一种或由下列材料中的一种形成：锂、钠、钾、铷、铯、铍、钙、镁、锶、钡、钪、钛、铝、硅、镓、锡、锆、氧化锌、硫化锌、硒化锌、碲化锌、氧化锡。

导电层尤其优选具有20纳米和20微米之间的厚度，其中包括边界值。例如，导电层具有20纳米和300纳米之间的厚度，其中包括边界值。尤其优选地，导电层具有20纳米和100纳米之间的厚度，其中包括边界值。

优选地，导电层具有至少1西门子/米(Siemens/Meter)的电导率。导电层的电导率也能够通过掺杂提高。这种电导率有利地也在相对薄的导电层中实现充足的电荷传输，所述薄的导电层大致具有20纳米和300纳米之间的或20纳米和100纳米之间的厚度，其中包括边界值。

导电层能够例如通过热蒸镀或溅射沉积。

在导电层上通过电泳工艺沉积转换层。转换层适合于将第一波长范围的电磁辐射转换为第二波长范围的辐射。换言之，转换层以波长转换的方式构成。

当前，术语“波长转换”尤其指的是：特定的波长范围的射入的电磁辐射转换成其他的、优选长波的波长范围的电磁辐射。通常，波长转换的元件吸收射入的波长范围的电磁辐射，所述射入的波长范围的电磁辐射通过在原子层面和/或分子层面上的电子过程转换为其他波长范围的电磁辐射并且再次射出转换后的电磁辐射。

转换层通常包括发光材料的颗粒，所述颗粒赋予转换层波长转换的特性。

例如下列材料中的一种适合用于发光材料颗粒：稀土掺杂的石榴石、稀土掺杂的碱土金属硫化物、稀土掺杂的硫代镓酸盐、稀土掺杂的铝酸盐、稀土掺杂的硅酸盐、稀土掺杂的原硅酸盐、稀土掺杂硅的氯硅酸盐、稀土掺杂的碱土金属氮化硅、稀土掺杂的氮氧化物、稀土掺杂的氮氧化铝、稀土掺杂的氮化硅、稀土掺杂的塞隆(Sialone，硅铝氧氮聚合材料)。

在本方法中，尤其优选应用相对小的发光材料颗粒，以便对相对小的子像素区域覆层。尤其优选地，发光材料颗粒的直径不超过5微米的值。

在电泳工艺中，待施加的颗粒、例如发光材料的待施加的颗粒，借助电场加速，使得在所提供的表面上沉积所述颗粒的层。通常待覆层的表面在电泳槽中提供，所述电泳槽包含下述颗粒，所述颗粒设置用于形成转换层。在电泳工艺中，颗粒仅沉积在构成为导电的表面的一部分上。根据所述区域的电导率通常发生不同的颗粒沉积。

本发明的思想是：将导电层施加到待覆层的表面上进而总是为电泳沉积提供相同的表面。

例如在文献DE 102012105691.9中描述用于沉积电泳层的方法，其公开内容在此通过参考并入本文。

在该方法的一个尤其优选的实施方式中，导电层基本上相对于电泳槽的有机溶剂是化学惰性的。在此用术语“化学惰性”表示：导电层不与有机溶剂进行显著的化学反应，其中实际上通常不能够完全排除两种材料之间的微小的化学反应。

例如，电泳槽包含下列材料中的一种作为有机溶剂：乙醇、丙酮、芳烃、乙醛。

根据该方法的一个实施方式，借助电泳产生的转换层的发光材料颗粒在电泳方法之后通过粘合剂固定。粘合剂例如能够是硅酮或环氧树脂或所述材料的混合物。其他适合的材料或覆层也能够用作为粘合剂。

根据一个实施方式，每个子像素区域都具有辐射出射面，所述辐射出射面构成为是导电的。例如在此，每个子像素区域的辐射出射面通过透明导电层形成。透明导电层尤其优选通过TCO材料形成(“TCO”表示透明导电氧化物)或具有TCO材料。

透明导电氧化物通常是金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除二元金属氧化物、例如ZnO、SnO2或In2O3之外，三元金属氧化物、例如Zn2SnO4、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外TCO非强制性地对应于化学计量的组分并且此外也能够是p-掺杂的以及n-掺杂的。

现在，将导电层施加到至少一个子像素区域的辐射出射面上，其中其他的子像素区域的辐射出射面没有导电层。

根据该方法的一个实施方式，在转换层的电泳沉积中，独立于其他子像素区域对上面施加有转换层的子像素区域通电。以该方式和方法，转换层能够仅局部地施加在正在通电的的子像素区域上，而其余的没有加载电流的子像素区域保持没有转换层。

如果子像素区域在转换层沉积的时间点可单独地通电并且其辐射出射面构成为是导电的，那么半导体本体能够尤其简单地设有转换层并且尤其不同的子像素区域能够尤其简单地设有不同的转换层。

如果每个子像素区的辐射出射面构成为是导电的并且子像素区域单独地加载电流是不可行的或仅非常困难的，那么根据该方法的其他的实施方式，导电层整面施加到半导体本体的前侧上。随后，在导电层上，将光刻胶层施加在至少一个子像素区域中，而导电层在另一另一子像素区域中是能自由接近的。紧接着，实施电泳工艺并且通常整面沉积转换层。为此优选分别侧向电接触导电层。因为光刻胶层具有电绝缘的表面，所以发光材料颗粒在电泳工艺时仅仅沉积在导电层的能自由接近的区域上。在电泳工艺结束之后，再次移除光刻胶层。

紧接着，重新施加光刻胶层并且在此露出其他的子像素区域的导电层是可行的。然后在紧接着的电泳工艺中，将另一转换层沉积在能自由接近的电层上。在此，另一转换层优选适合于将第一波长范围的电磁辐射转换为不同于第一波长范围和第二波长范围的第三波长范围的电磁辐射。

此外，半导体本体的子像素区域的表面首先通过钝化层形成也是可行的。钝化层例如构成为是电绝缘的并且设置用于保护半导体本体免受外部影响。例如钝化层由氧化物或氮化物形成或具有所述材料中的一种。通常，钝化层整面施加到半导体本体的前侧上。在此，半导体本体的前侧包括子像素区域的辐射出射面。

根据该方法的一个实施方式，通过移除施加在子像素区域上的钝化层产生导电的辐射出射面。

此外，钝化层留在半导体本体的前侧上进而留在子像素区域的辐射出射面上也是可行的。在该方法的所述实施方式中，导电层整面施加到半导体本体的前侧上。在下一步骤中，光刻胶层在至少一个子像素区域中施加到导电层上，而导电层在其他子像素区域中是能自由接近的。

尤其优选地，在电泳工艺期间侧向地电接触整面施加的导电层。

如果提供其中每个子像素区域的辐射出射面都通过钝化层形成的半导体本体，那么钝化层也能够从子像素区域的辐射出射面移除，使得辐射出射面构成为是导电的，而钝化层保留在至少一个子像素区域的辐射出射面上。然后，将导电层施加到导电的辐射出射面上，而子像素区域的通过钝化部形成的辐射出射面保持没有导电层。然后借助电泳工艺将转换层施加到导电层上。

在此，转换层仅施加到如下区域上，从所述区域中事先移除钝化部，残余的表面没有转换层，因为所述表面不构成是导电的。

优选地，在该方法的所述实施方式中，重复在上述段落中描述的、用于将另一转换层施加到另一子像素区域上的步骤。为此，在另一子像素区域的辐射出射面的区域中移除钝化层并且将导电层施加到该露出的区域上。然后借助另一电泳工艺将另一转换层施加到导电层上。在此，另一转换层适合于将第一波长范围的电磁辐射转换为不同于第一波长范围和第二波长范围的第三波长范围的电磁辐射。

优选地，每个像素区域具有刚好三个子像素区域。例如三个子像素区域的一个设置为发射绿色光，而另一子像素区域设置为产生红色光并且第三子像素区域应当放射蓝色光。如果例如第一波长范围具有蓝色光，那么在此一个子像素区域尤其优选没有转换层。另一子像素区域优选具有转换层，所述转换层适合于将第一蓝色波长范围的电磁辐射转换为第二波长范围的电磁辐射，其中第二波长范围优选具有绿色光或由绿色光组成。第三子像素区域优选具有另一转换层，所述另一转换层适合于将第一波长范围的蓝色辐射转换为第三波长范围的辐射，所述第三波长范围优选具有红色光或由红色光组成。

转换层尤其优选构成为，使得所述转换层将第一波长范围的辐射尽可能完全地转换为第二波长范围或第三波长范围的辐射。

根据该方法的一个实施方式，导电层在电泳工艺之后引入到质子的反应参与物中，使得导电层与质子的反应参与物至少部分地构成盐。这提供的优点是：至少部分地转换为盐的导电层比导电层本身对于可见光通常是可更好穿透的。如果导电层因此施加在辐射出射面上，那么在转换为盐之后，所述导电层仅稍微阻碍从辐射出射面的光耦合输出。此外，盐从制成的组件中尽可能完全地再次洗去也是可行的。

根据该方法的一个实施方式，盐至少部分地从半导体芯片洗出。在此盐尤其优选从半导体芯片的表面移除。

在此，导电层的材料M与通式ROH的质子的反应参与物通常如下反应：

M+ROH→M(OR)+H2

如果导电层例如具有铝，那么铝与作为质子的反应参与物的水如下构成盐：

2Al+6H2O→2Al(OH)3+2H2

水作为质子的反应参与物在此能够作为液体存在或气态地作为水蒸汽存在。

替选地，例如盐酸也能够作为质子的反应参与物用于含铝的导电层。那么盐形成例如将根据下式进行：

Al+HCl→AlCl3+H2

如果导电层例如具有钠，那么钠与作为质子的反应参与物的水通常如下构成盐：

2Na+4H2O→2Na(OH)2+2H2

如果导电层例如具有硅，那么硅与作为质子的反应参与物的盐酸通常如下构成盐：

Si+3HCl→HSiCl3+H2

在导电层的材料和质子的反应参与物之间的化学反应通常能够通过添加碱或碱溶液有利地加速。此外，在导电层的材料和质子的反应参与物之间的化学反应能够直接在质子的反应参与物中进行或者但是也能够在非质子传递的溶剂中进行，质子的反应参与物以相应的量添加给所述非质子传递的溶剂。

根据该方法的一个实施方式，质子的反应参与物包含在液体或气体中或作为液体或作为气体存在。

例如质子的反应参与物是水、乙醇、羧酸、矿酸、胺类、酰胺或至少两种这种材料的混合物。

电泳施加的转换层能够具有孔，气态或液体形式的质子的反应参与物还有溶剂也能够穿过所述孔到达导电层或所形成的盐以洗去盐。以该方式和方法，能够进行在质子的反应参与物和导电层之间的化学反应。此外，形成的盐也能够扩散进入到溶剂中以洗出。

附图说明

本发明的其他有利的实施方式和改进形式从以下结合附图描述的实施例中得出。

图1和图2分别示出根据相应的实施例的半导体本体的示意剖视图，如其能够在这里描述的方法中提供的那样。

根据图3至9的示意剖视图阐述根据第一实施例的方法。

根据图10和11的示意剖视图阐述根据第二实施例的方法。

根据图12至19的示意剖视图阐述根据第三实施例的方法。

相同的、同类的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互的比例关系不能够视为是按比例的。更确切地说，为了更好地描述和/或为了更好地理解能够夸张地示出个别元件、尤其层厚度。

具体实施方式

根据图1的实施例的半导体本体1具有带有三个子像素区域3的像素区域2。每个子像素区域3具有带有有源层5的半导体层序列4，所述有源层适合于产生第一波长范围的电磁辐射。当前，有源层5适合于产生可见的蓝色光。各两个直接相邻的子像素区域3通过沟槽6相互分开。在此，沟槽6分别完全切开有源层5。此外，当前，沟槽6也完全分开半导体层序列4。以该方式和方法，每个子像素区域3的半导体层序列4构成突出部。

此外，半导体本体1包括载体元件7，在所述载体元件上设置有像素区域2。在载体元件7和半导体层序列4之间设置反射层8。反射层8适合于将在有源层5中产生的电磁辐射相对于子像素区域3的辐射出射面9反射。此外，反射层8构成为是导电的，使得每个子像素区域3在后侧能够经由载体元件7电接触。载体元件7例如能够是显示器的有源基体元件。

在半导体层序列4的侧面上施加钝化层10。钝化层10当前完全覆盖半导体层序列4的侧面。此外，钝化层10也构成在相应相邻的子像素区域3之间的沟槽6中。钝化层10从辐射出射面9起在半导体层序列4的侧面上经由沟槽6和相邻的子像素区域3的侧面延伸直至其辐射出射面9。然而，每个子像素区域3的半导体层序列4的朝向辐射出射面9的前侧没有钝化层10。

在载体元件7的指向半导体层序列4的主面上设置构成为电绝缘的区域11。电绝缘的区域11沿着主面在两个直接相邻的子像素区域3之间延伸，而所述电绝缘的区域在子像素区域3的区域中分别具有留空部12，所述留空部用载体元件7的导电材料填充。载体元件7的电绝缘的区域11与子像素区域3的侧面上的和沟槽6中的钝化层10的共同作用，使得子像素区域3分别是相互电绝缘的。子像素区域3通过电绝缘的区域11之间的留空部12在后侧电接触。

此外，子像素区域3在其辐射出射面9上具有透明导电层13，经由所述透明导电层在前侧电接触子像素区域3。在此，透明导电层13整面施加在像素区域2的前侧之上，所述前侧包括子像素区域3的辐射出射面9。透明导电层13在本实施例中完全覆盖子像素区域3的辐射出射面9以及子像素区域3的侧面。

在透明导电层13上，在子像素区域3之间的沟槽6中分别又施加金属导电带14，所述金属导电带用于外部接触子像素区域3。

关于该点应指出的是：尽管在图中分别仅示例地示出具有三个子像素区域3的像素区域2，然而半导体本体1通常具有多个这种像素区域2。在此，像素区域2尤其优选全部同类地构成。

根据图2的实施例的半导体本体1同样地具有带有三个不同的子像素区域3的像素区域2。每个子像素区域3具有带有有源层5的半导体序列4，所述有源层适合于发射第一波长范围的电磁辐射、优选蓝色光。当前，子像素区域3又通过沟槽6相互分离，其中沟槽6完全穿过有源层5还有半导体层序列4。如上面已经描述，半导体本体1又包括载体元件7。例如，载体元件7构成为有源基体元件。这种有源基体元件例如具有硅或由硅形成。

在载体元件7和有源的半导体层序列4之间，如在图1的实施例中施加反射层8，所述反射层构成为是导电的。

然而，与根据图1的实施例的半导体本体1不同，在根据图2的实施例的半导体本体1的前侧上整面地构成钝化层10。在此，钝化层10通过电绝缘的材料形成，例如氧化物或氮化物。当前，钝化层10完全覆盖每个子像素区域3的辐射出射面9、每个子像素区域3的侧面以及子像素区域3之间的沟槽6的底部。

因为子像素区域3的辐射出射面9在根据图2的实施例的半导体本体1中通过钝化层10的电绝缘的材料形成，所以所述子像素区域3不能够经由其辐射出射面9电接触。由于该原因，在载体元件7和反射层8之间施加另一金属的导电层8’，所述导电层具有穿过有源层5的过孔15。过孔15用于在前侧电接触半导体层序列4。另一金属层8’和过孔15由反射层8、有源层5和半导体层序列4的朝向载体元件7的区域借助电绝缘的层16分开。

在根据图3至图9的第一实施例的方法中，提供半导体本体1，如所述半导体本体已经根据图1详细描述。将光刻胶层17整面地施加到半导体本体1的前侧上(图3)。通过光刻胶层17的光刻结构化，两个子像素区域3的辐射出射面9被露出，而第三子像素区域3的辐射出射面9完全由光刻胶层17覆盖。在两个露出的子像素区域3之间的沟槽6也用光刻胶层17填充(图4)。

在下一步骤中，将导电层18整面地施加到半导体本体1的前侧之上(图5)。导电层18适合于与质子的反应参与物来至少部分地构成盐。

在下一步骤中，移除结构化的光刻胶层17，所述步骤在图6中示意地示出。现在，在子像素区域3的能自由接近的辐射出射面9上存在导电层18。而已经用光刻胶层17覆盖的子像素区域3的辐射出射面9是能自由接近的。半导体层序列4的侧面和子像素区域3之间的沟槽6也没有导电层18。换言之，两个子像素区域3的辐射出射面9仅用导电层18覆盖，而像素区域2的剩余的前侧没有导电层18。

在下一步骤中，借助电泳工艺，转换层19沉积在子像素区域3的导电层18上(图7)。在此转换层19适合于将第一波长范围的电磁辐射转换为第二波长范围的电磁辐射。在此第二波长范围由绿色光形成。转换层19构成为，使得所述转换层将从子像素区域3的辐射出射面9射出的电磁辐射尽可能完全地转换为绿色光。

在转换层19电泳沉积时，在此仅仅用电流加载上面应施加转换层19的子像素区域3。由此，在电泳工艺中，发光材料颗粒仅仅积聚在子像素区域3上。

然后在下一步骤中，将另一转换层19’施加到另一子像素区域3上，所述子像素区域的辐射出射面9用导电层18覆盖(图8)。另一转换层19’适合于将第一波长范围的电磁辐射转换为第三波长范围的电磁辐射，所述第三波长范围不同于第一波长范围和第二波长范围。尤其优选地，另一转换层19’适合于尽可能完全地将有源层中产生的蓝色光转换为红色光。

在下一步骤中，通过至少将导电层引入质子的反应参与物中以至于导电层至少部分地与质子的反应参与物构成盐的方式，剥离导电层的材料。在另一步骤中，形成的盐从半导体芯片洗出(图9)。尤其，盐通过冲洗从半导体芯片1的表面移除。

在根据图3至9的方法中，使用半导体本体1，其子像素区域3能够单独用电流加载。因此各个子像素区域3在电泳工艺中用电流来加载进而仅在用电流加载的子像素区域3上沉积转换层19、19’是可行的。如果子像素区域3单独用电流来加载是不可行的或不期望的，那么在电泳沉积转换层19、19’之前半导体本体1的前侧的不应设有转换层19、19’的区域分别用光刻胶层17覆盖。在电泳工艺期间，仅仅半导体本体1的前侧的待覆层的区域保持能自由接近的。

在根据图10和11的方法中，在第一步骤中提供半导体本体1，如所述半导体本体已经根据图2详细描述(图10)。在下一步骤中，钝化层10借助光刻法从子像素区域3的辐射出射面9移除。以该方式和方法，子像素区域3的辐射出射面9构成为是导电的(图11)。如果子像素区域3可单独通电，那么现在如根据图3至9已经详细描述的那样，两个不同的转换层19、19’施加到第二子像素区域3的导电的辐射出射面9上，而子像素区域3的辐射出射面9没有转换层19、19’(未示出)。

如果子像素区域3单独用电流加载是不可行的，那么依次仅选择性地露出待覆层的子像素区域并且对应于根据图3至9的方法分别设有转换层19、19’(未示出)。

在根据图12至19的方法中，同样地提供半导体本体1，如所述半导体本体已经根据图2详细描述(见图12)。当然，在所述半导体本体1中，与根据图10和11的方法相反，转换层10应当完全地保留在半导体本体1上。

在第一步骤中，整面地将导电层18施加到半导体本体1的包括子像素区域3的辐射出射面9的前侧上，所述导电层适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐(图13)。

然后，结构化的光刻胶层17’施加到导电层18上。光刻胶层17’覆盖两个子像素区域3，而导电层18在另一子像素区域3中是能自由接近的(图14)。

然后借助电泳工艺在能自由接近导电层18的区域中沉积转换层19(图15)。对于电泳工艺，分别在半导体本体1的侧面电接触导电层18(未示出)。

在下一步骤中，再次移除光刻胶层17’(图16)。现在，在子像素区域3中的一个的辐射出射面9上设置转换层19，而另一子像素区域3没有转换层19(图16)。

现在，又施加光刻胶层17’，所述光刻胶层遮盖已经施加的转换层19以及直接相邻的子像素区域3中的一个。仅一个子像素区域3是能自由接近的(图16)。

然后重新实施电泳工艺，以便在能自由接近的子像素区域3的辐射出射面9之上的导电层18上沉积另一转换层19’(图18)。

在另一步骤中，首先移除光刻胶层17’并且接着将半导体本体1引入在质子的反应参与物中，使得导电层18也转换为盐并且紧接着洗出(图19)。

本专利申请要求德国专利申请DE 20 2013 109 031.1的优先权，其内容就此通过参考并入本文。

本发明不通过根据实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或者该组合本身未详细地在权利要求中或者实施例中说明时也是如此。

根据上述描述可知，本发明的实施例涵盖但不限于以下技术方案：

方案1.一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供具有像素区域的半导体本体，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域，

-将导电层施加到至少一个子像素区域的辐射出射面上，其中所述导电层适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，

-通过电泳工艺在所述导电层上沉积转换层。

方案2.根据上一项方案所述的方法，

其中所述子像素区域构成为彼此电绝缘的并且每个子像素区域具有有源层，所述有源层适合于发射第一波长范围的电磁辐射。

方案3.根据上述方案中任一项所述的方法，

其中

-每个子像素区域的辐射出射面都构成为是导电的，并且

-上面施加有所述转换层的所述子像素区域在所述电泳工艺中独立于其他的所述子像素区域通电。

方案4.根据方案1至2中任一项所述的方法，

其中

-每个子像素区域的辐射出射面都构成为是导电的，

-所述导电层整面地施加到所述半导体本体的前侧上，

-将光刻胶层在至少一个子像素区域中施加到所述导电层上，而所述导电层在另一子像素区域中是能自由接近的。

方案5.根据方案3至4中任一项所述的方法，

其中所述子像素区域的导电的辐射出射面通过透明导电层形成，所述透明导电层具有TCO材料。

方案6.根据方案3至4中任一项所述的方法，

其中所述导电的辐射出射面通过移除钝化层产生，所述钝化层施加在所述子像素区域上。

方案7.根据方案1至2中任一项所述的方法，

其中

-每个子像素区域的辐射出射面通过钝化层形成，

-所述导电层整面地施加到所述半导体本体的前侧上，

-将光刻胶层在至少一个子像素区域中施加到所述导电层上，而所述导电层在另一子像素区域中是能自由接近的。

方案8.根据方案4至7中任一项所述的方法，

其中在电泳工艺期间侧向地电接触所述导电层。

方案9.根据方案1至2中任一项所述的方法，

其中

-每个子像素区域的辐射出射面通过钝化层形成，

-其中在至少一个子像素区域的所述辐射出射面的区域中移除所述钝化层，使得所述子像素区域的所述辐射出射面构成为是导电的，而在至少一个子像素区域中保留所述钝化层。

方案10.根据上一项方案所述的方法，

其中

-在另一子像素区域中移除所述钝化层，使得所述子像素区域的所述辐射出射面构成为是导电的，

-将所述导电层施加到该子像素区域的所述辐射出射面上，

-将另一转换层通过电泳工艺沉积在所述导电层上。

方案11.根据上述方案中任一项所述的方法，

其中像素区域分别具有刚好三个子像素区域，其中

-第一子像素区域保持没有转换层，

-第二子像素区域设有所述转换层，所述转换层适合于将第一波长范围的辐射转换为第二波长范围的辐射，并且

-第三子像素区域设有另一转换层，所述另一转换层适合于将所述第一波长范围的辐射转换为不同于所述第一波长范围和所述第二波长范围的第三波长范围的辐射。

方案12.根据上述方案中任一项所述的方法，

其中所述第一波长范围具有蓝色光，所述第二波长范围具有绿色光，所述第三波长范围具有红色光。

方案13.根据上述方案中任一项所述的方法，

其中至少所述导电层引入所述质子的反应参与物中，使得所述导电层与所述质子的反应参与物至少部分地构成盐。

方案14.根据上一项方案所述的方法，

其中将所述盐至少部分地从所述半导体芯片中洗出。

方案15.根据上述方案中任一项所述的方法，

其中所述导电层具有下列材料中的一种：锂、钠、钾、铷、铯、铍、钙、镁、锶、钡、钪、钛、铝、硅、镓、锡、锆、氧化锌、硫化锌、硒化锌、碲化锌、氧化锡。