技术特征：
技术总结
本发明属于半导体功率器件领域，涉及横向耐压区，具体提供一种具有纵向变掺杂剂量的深槽型横向耐压区，应用于半导体功率器件的结边缘终端或者横向半导体功率器件包括L DMOS(Lateral Double‑Diffused MOSFET)、LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transis tor)。本发明通过调整P型漂移区和/或N型漂移区的纵向剂量分布，主动为深槽电容提供恰当的沿纵向非均匀分布的感应电荷，从而使得完全耗尽时的P型漂移区以及N型漂移区为深槽电容提供相应电荷之后，剩余电荷的分布是电荷平衡的；基于此，本发明能够在不影响其它参数的同时，提高深槽型横向耐压区的击穿电压，进而提高器件的击穿电压。
技术研发人员：程骏骥;李平;陈为真
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.02.02
技术公布日：2018.08.10