1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
第一基板保持单元，一边将基板保持为水平姿势，一边使基板围绕通过基板的中心部的铅垂的旋转轴线旋转；
处理液供给单元，通过向由所述第一基板保持单元保持且旋转的基板的上表面供给处理液，形成覆盖基板的整个上表面的处理液的液膜；
第二基板保持单元，在与所述第一基板保持单元之间交接基板，在基板的整个上表面由处理液的液膜覆盖的状态下，通过一边将基板保持为水平姿势，一边以处理液的沸点以上的温度对基板进行加热来使处理液蒸发，以在处理液的液膜和基板的上表面之间形成气相；
气体喷出单元，在处理液的液膜和基板的上表面之间形成有气相的状态下，向由所述第二基板保持单元保持且静止的基板的上表面喷出气体，由此在基板的上表面的一部分的区域形成处理液被排除的干燥区域，并且在处理液的液膜形成向基板的周缘部流动的向外的液流，处理液的液膜不会分裂，保持液块的状态从基板排除。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述气体喷出单元向基板供给的气体的供给开始位置是基板的上表面中央部。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述气体喷出单元向基板供给的气体的供给开始位置是基板的上表面周缘部。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从所述气体喷出单元喷出的气体的温度在处理液的沸点以上。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
由所述处理液供给单元向基板供给的处理液是表面张力比水小且沸点比水低的液体。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二基板保持单元具有：
支撑板，将基板支撑为水平姿势；
板升降单元，使所述支撑板沿铅垂方向在上位置和下位置之间升降，所述上位置是所述支撑板对基板的支撑位置位于所述第一基板保持单元对基板的保持位置的上方的位置，所述下位置是所述支撑板对基板的支撑位置位于所述第一基板保持单元对基板的保持位置的下方的位置；
基板加热单元，在基板的整个上表面由处理液的液膜覆盖的状态下，通过以处理液的沸点以上的温度对被所述支撑板支撑的基板进行加热来使处理液蒸发，以在处理液的液膜和基板的上表面之间形成气相。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置具有：
内腔室，容纳所述第一基板保持单元和所述第二基板保持单元，并能够开闭；
外腔室，容纳所述内腔室。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有向所述内腔室的内部供给非活性气体的非活性气体供给单元。