技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触孔的刻蚀方法，包括：步骤S1，于抗反射层的上表面制备具有刻蚀图案的光阻层；步骤S2，于光阻层形成有刻蚀图案的侧壁的表面形成一保护层；步骤S3，采用一第一刻蚀工艺刻蚀刻蚀图案暴露的抗反射层且穿透第二介质层，并停止刻蚀于第二刻蚀停止层，形成一级接触孔；步骤S4，采用一第二刻蚀工艺继续刻蚀一级接触孔以穿透第二刻蚀停止层，形成二级接触孔；步骤S5，采用一第三刻蚀工艺继续刻蚀二级接触孔以穿透第一介质层，形成完整接触孔；步骤S6，去除光阻层；能够改善接触孔的条纹缺陷问题，优化了采用该接触孔的刻蚀方法的半导体器件的性能。
技术研发人员：孟凡顺;陈娟
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.03.02
技术公布日：2018.08.17