技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于光电子制造技术领域。在衬底上生长外延层之前，对衬底进行真空高温烘烤，以去除衬底上的杂质分子。并且在对衬底进行真空高温烘烤之后，进一步对衬底进行等离子体预处理，通过等离子体轰击衬底表面以在衬底表面铺上一层气体原子，衬底表面所铺上的一层气体原子改变了衬底表面的极性，使得后续在衬底表面沉积吸附的外延层的晶体原子排列较为整齐，从而减少了外延层中的晶体缺陷，进而减小LED芯片的反向漏电电流，增大LED芯片的抗静电击穿能力。
技术研发人员：林智远;吴志浩;陆香花;董彬忠;王江波
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.03.09
技术公布日：2018.09.14