本公开总体上涉及计算的技术领域，并且更具体而言，涉及与计算或电子部件封装相关联的电连接结构。
背景技术：
文中提供的背景描述是用于概括性地介绍本公开的语境的目的。本节描述的内容对于本申请的权利要求而言并非现有技术，并且该内容不应因被包括在本节中而被认为是现有技术或现有技术的暗示，除非文中另行指出。
计算或电子部件封装可以包括诸如焊接或引脚结构之类的多个表面安装结构，以将封装机械和电连接至印刷电路板(PCB)、基板等。多个表面安装结构的尺寸和形状可以是标准化的。然而，可能存在这样的情况，即，可能需要多个表面安装结构中的一个或多个表面安装结构有不同构造。还可能存在这样的情况，即，对计算/电子部件封装进行制造和/或组装的实体可能不同于将封装与PCB、基板等组装到一起的实体。可以包括表面安装结构的其它计算/电子装置可以类似地具有与现有装置中的构造需求不同的构造需求。
附图说明
通过下面的具体实施方式并结合附图将容易地理解实施例。在附图中通过示例的方式而非限制的方式对文中描述的原理进行例示。为了图示的简单和清楚起见，图中所示元件未必是按比例绘制的。在认为适当的地方，以类似的附图标记表示对应的或者类似的元件。
图1描绘了根据一些实施例的并入了本公开的各方面的与计算或电子部件相关联的多个表面安装结构的示例性截面图。
图2A-2E描绘了根据一些实施例的表面安装结构的各种实施例的示例性图示。
图3描绘了根据一些实施例的用于形成表面安装结构的示例性过程。
图4描绘了根据一些实施例的与根据图3的过程形成表面安装结构相关联的示例性图像。
图5-7描绘了根据一些实施例的根据图3的过程形成表面安装结构的各个阶段的示例性视图。
图8描绘了根据一些实施例的根据图3的过程形成与QFN封装相关联的表面安装结构的各个阶段的示例性视图。
图9描绘了根据一些实施例的根据图3的过程形成与LCC封装相关联的表面安装结构的各个阶段的示例性视图。
图10示出了根据一些实施例的适用于实践本公开的各方面的示例性计算机装置。
具体实施方式
描述了与计算部件封装的表面结构有关的设备和方法的实施例。在实施例中，一种设备可以包括在计算部件封装的表面上提供的多个结构，其中，所述多个结构用于将所述计算部件封装附接并电耦合至另一装置，并且其中，所述多个结构中的结构包括第一和第二部分，所述第二部分被设置为比所述第一部分距所述表面更远，并且所述第一部分包括不同于所述第二部分的材料。下文将更充分地描述本公开的这些和其它方面。
尽管本公开的构思可接受各种修改和替代形式，但在附图中已经通过示例的方式示出了本公开的具体实施例，并将在文中详细描述本公开的具体实施例。然而，应当理解，并不打算将本公开的原理限制于所公开的特定形式，相反，旨在涵盖与本公开及所附权利要求一致的所有修改、等价方案和替代方案。
在说明书中提到“一个实施例”、“实施例”、“例示性实施例”等指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每一个实施例可以或可以不包括该特定特征、结构或特性。此外，这种短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应当认为结合明确或未明确描述的其它实施例影响这种特征、结构或特性是在本领域技术人员的知识范围内的。此外，应当领会，包括在具有“至少一个A、B和C”的形式的列表中的项目可以表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(B和C)、(A和C)或者(A、B和C)。类似地，通过“A、B或C的至少其中之一”的形式所列举的项目可以表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(B和C)、(A和C)或者(A、B和C)。
在一些情况下，所公开的实施例可以被实施成硬件、固件、软件以及它们的任何组合。所公开的实施例也可以被实施为由一种或多种暂态或非暂态机器可读(例如，计算机可读)存储介质携带的或者存储于其上的指令，所述指令可以被一个或多个处理器读取并执行。可以将机器可读存储介质体现为用于存储或发送具有可由机器读取的形式的信息的任何存储装置、机构或其它物理结构(例如，易失性或非易失性存储器、媒体碟片或者其它媒体装置)。
在图中，一些结构或方法特征可以是按照具体的布置和/或顺序示出的。然而，应当领会，可能不要求这种具体布置和/或顺序。更确切地说，在一些实施例中，这种特征可以按照不同于例示性附图中所示的方式和/或顺序来布置。此外，在特定的附图中包括结构或方法特征并不意味着暗示在所有实施例中都需要这种特征，并且在一些实施例中，可能不包括这种特征，或者可以将其与其它特征组合。
图1描绘了根据一些实施例的并入了本公开的各方面的与计算或电子部件相关联的多个表面安装结构的示例性截面图。设备100可以包括(在不加限制的情况下)基底或基板102以及设置在所述基底102上的多个表面安装结构104。在一些实施例中，基底102可以包括计算或电子部件、计算或电子部件的部分、和/或与计算或电子部件相关联的部件。计算或电子部件(又称为计算部件)的示例可以包括(在不加限制的情况下)处理器、中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、存储器、控制器、接口、电路、集成电路芯片、印刷电路板(PCB)、母板、芯片组以及无线装置等。设备100还可以被称为计算或电子部件封装、部件封装或封装。
多个表面安装结构104可以包括设置在基底102的表面或侧面的特定位置处的多个导电结构或金属结构。多个表面安装结构104可以被配置到基底102上，以便机械附接并且电耦合到(例如)PCB、母板或装置上的相应的安装/电耦合结构。在与PCB、母板等进行了这种连接时，与表面安装结构104相关联的计算部件还可以经由表面安装结构104建立与PCB、母板等的电耦合。例如，表面安装结构104可以是按照基底102上的阵列图案布置的，可以是沿基底102的周界布置的，可以被布置在基底102的中间，可以是沿基底102的一个或多个边缘布置的，或者可以是按照任何其它图案布置的，以对应于与PCB、母板等相关联的安装结构。
在一些实施例中，多个表面安装结构104中的表面安装结构可以至少包括第一部分106和第二部分108，其中，第一部分106可以设置在第二部分108和基底102之间。第一部分106和第二部分108可以物理附接并电耦合到彼此。在一些实施例中，表面安装结构104的高度可以大于其宽度或直径，或者具体而言可以大于第一部分106的宽度或直径；构成第一部分106的材料可以不同于构成第二部分108的材料；和/或第一部分106的形状可以不同于第二部分108的形状。
在一些实施例中，第一部分106和第二部分108可以具有不同于彼此的冶金成分。例如，第一部分106可以包括锡-银-铜(SnAgCu)(SAC)合金，并且第二部分108可以包括具有锡-铜-铋(SnCuBi)金属间化合物的SAC合金。SnCuBi金属间化合物(又称为SnCuBi金属间化合接头或焊接接头)可以位于第一部分106和第二部分108之间的界面处或附近。作为另一个示例，第一部分106可以包括锡铜(SnCu)合金，并且第二部分108可以包括具有SnCuBi金属间化合物的SnCu合金。在又一其它示例中，第一部分106可以包括SAC合金，并且第二部分108可以包括具有不同于SnCu合金的金属间化合物的SnCu合金。在又一其它示例中，第一部分106可以包括SnCu合金，并且第二部分108可以包括具有不同于SAC合金的金属间化合物的SAC合金。在其它示例中，第一部分106可以包括无铅焊接材料，并且第二部分108可以包括无铅焊接材料，并且第二部分108的一区域包括不同于无铅焊接材料的材料。
在一些实施例中，第一部分106和第二部分108可以具有高于大约175摄氏度的熔化温度、高于大约200摄氏度的熔化温度或者大约245摄氏度的熔化温度。在一些实施例中，第二部分108的一部分(例如，上文提及的金属间化合物部分)可以具有与第一部分106和/或第二部分108的其余部分不同的熔化温度(例如，更低的熔化温度)。
在一些实施例中，第一部分106可以包括与被配置作为球栅阵列(BGA)封装、方形扁平无引脚(QFN)封装或者无引脚芯片载体(LCC)封装等的设备100相关联的凸点、引脚、球、焊盘或焊料。第二部分108可以包括为了修改设备100而添加的补充凸点、引脚、球、焊盘或焊料，如下文将详细描述的。在一些实施例中，没有第二部分108的设备100可以包括能够附接至一些PCB或母板的初始计算/电子部件封装。然而，可以通过包括第二部分108来对这种结构进行增强或修改。因而，第一部分106和第二部分108一起可以包括具有与被单独提供作为设备100的表面安装结构的第一部分106不同的几何结构、形状、高度、宽度和/或构造的所得到的表面安装结构104。表面安装结构104又可以被称为经修改的表面安装结构、经修改的表面安装以及电连接结构等等。
例如，在设备100包括BGA封装时，第一部分106可以具有球形或者半球形形状，如图1所示。在设备100包括QFN或LCC封装时，第一部分106可以包括扁平引脚，其中，引脚的距基底102最远的一侧可以与基底102的最接近表面安装结构104的一侧平齐或者共线，如图8-9所示。
图2A-2E描绘了根据一些实施例的表面安装结构104的各种实施例的示例性图示。图2A描绘了根据实施例的被配置作为具有雪人几何结构或轮廓的表面安装结构204的表面安装结构104。表面安装结构204可以包括第一部分206和第二部分208，其中，第一部分206设置在第二部分208和基底102之间。第一部分206可以与第一部分106相似。第二部分208可以具有球形或者半球形形状。在第一部分206具有球状、球形或半球形形状时(例如，在BGA封装中)，第一部分206和第二部分208的组合可以类似于雪人形状。
图2B描绘了根据另一实施例的可以被配置作为具有替代的雪人几何结构或轮廓的表面安装结构214的表面安装结构104。表面安装结构214可以包括第一部分216和第二部分218，其中，第一部分216设置在第二部分218和基底102之间。第一部分216可以与第一部分206相似。第二部分218可以包括球形部分210和圆柱形/柱形部分212。圆柱形部分212可以设置在球形部分210和第一部分216之间。圆柱形部分212可以包括在第二部分218中包括的金属间化合物的示例。球形部分210可以与第二部分208相似，并且圆柱形部分212可以具有小于第一部分216和/或球形部分210的宽度的宽度(或直径)。圆柱形部分212又可以被称为表面安装结构214的雪人几何结构的领子、领圈或脖颈部分。
图2C描绘了根据又一实施例的被配置作为具有柱形几何结构或轮廓的表面安装结构224的表面安装结构104。表面安装结构224可以包括第一部分226和第二部分236，其中，第一部分226可以设置在第二部分228和基底102之间。第一部分226可以与第一部分206相似。第二部分228可以包括圆柱形、柱形或者其它形状，从而沿垂直于基底102的方向为表面安装结构224提供高度。在一些实施例中，表面安装结构224可以比表面安装结构204和/或214高。
图2D描绘了根据又一实施例的被配置作为具有多边形几何结构或轮廓的表面安装结构234的表面安装结构104。表面安装结构234可以包括第一部分236和第二部分238，其中，第一部分236可以设置在第二部分238和基底102之间。第一部分236可以与第一部分206相似。第二部分238可以具有三维多边形、基于三角形的形状、基于正方形的形状、基于矩形的形状、基于八边形的形状、矩形棱柱、立方体、四面体、三棱柱、八角棱柱、正方棱锥、基于非球形的形状、基于非椭圆形的形状等。在一些实施例中，使用非球形形状可以允许可以改善电路板电迹线中断(breakout)和/或间距的密度(即，更高间距)的表面安装结构阵列图案。
图2E描绘了根据一些实施例的被配置作为具有彼此不同的高度的表面安装结构244、254、264、274的表面安装结构104。表面安装结构244、254、264、274可以包括相应的第一部分246、256、266、276和第二部分248、258、268、278，其中，第一部分246、256、266、276可以设置在第二部分248、258、268、278和基底102之间。表面安装结构244、254、264、274的至少其中之一可以具有不同于表面安装结构244、254、264、274中的其它表面安装结构的高度。例如，表面安装结构244、274可以比表面安装结构254、264高。封装的不同表面安装结构高度可以适应将封装耦合到高度变化的PCB或母板，例如具有空腔的PCB或母板。替代地，表面安装结构244、254、264、274中的一者或多者可以在形状/几何结构/轮廓上彼此有所不同。例如，表面安装结构244可以包括如图2A所示的雪人几何结构，表面安装结构254可以包括图2C所示的柱形/圆柱形几何结构，并且表面安装结构264可以包括图2D所示的三维多边形几何结构。
在替代的实施例中，一个或多个相邻表面安装结构104可以连接到彼此(例如，联动或桥式焊接)，以改进电连接。例如，第一表面安装结构的第二部分108和第二表面安装结构的第二部分108可以机械和/或电耦合到彼此，以便跨越与第一和第二表面安装结构相关联的第一部分106。
图3描绘了根据一些实施例的用于形成表面安装结构104的示例性过程300。在块302，包括第一部分106(又称为现有或初始表面安装结构)但是不包括第二部分108的设备100可以被放置到底板夹持机构中，与底板夹持机构对准，或者坐落在底板夹持机构中。底板夹持机构可以包括设备100的托架或支持架。设备100的第一部分106可以面朝上或者距底板夹持机构最远。作为示例，图4中的图像402示出了多个计算/电子部件封装420，其中的任何封装可以包括与底板夹持机构422对准的包括第一部分106但不包括第二部分108的设备100。
接下来在块304，可以在第一部分106之上涂覆低温焊膏。在一些实施例中，低温焊膏可以包括具有低于大约200摄氏度的熔化温度的焊膏。例如，低温焊膏可以包括具有大约138摄氏度的熔化温度的锡-铋(SnBi)(Sn42Bi58)合金。所涂覆的低温焊膏层的厚度可以在大约100微米的范围内。可以使用印刷技术或者喷涂技术等涂覆低温焊膏。继续该示例，图4中的图像404示出了在涂覆低温焊膏之后图像402中所示的结构。
在块306，可以在所涂覆的低温焊膏之上放置中间板(例如，图4的图像406中所示的中间板422)。中间板可以包括多个切割区域或孔，每个切割区域对应于多个计算/电子部件封装420中的相应计算/电子部件封装。中间板可以促进将在块308中被放置到所涂覆的低温焊膏的选定区域之上的预成型件的对准。
在一些实施例中，在块308，可以将预成型件(例如，图4的图像408中所示的预成型件424)放置在中间板的每个切割区域中。预成型件可以包括具有多个切割区域或孔的板，每个切割区域用于与位于下面的计算/电子部件封装420的相应表面安装结构(例如，第一部分106)的位置对准。预成型件424的两个相对侧面可以如图像408中所示。可以根据第二部分108的预期形状和大小来选择预成型件切割区域的形状和尺寸。例如，在表面安装结构104将包括雪人几何结构时，预成型件切割区域中的每者可以包括具有特定直径的圆形形状。作为另一个示例，在表面安装结构104将包括基于三角形的形状(例如，四面体、正方棱锥)时，那么预成型件切割区域可以包括三角形形状。
第一预成型件的第一切割区域的形状和/或大小可以或可以不与第一预成型件的第二切割区域相同。类似地，第一预成型件的切割区域的形状和/或大小可以或可以不与第二预成型件的切割区域相同。
接下来，在块310，可以将具有超过大约175摄氏度或者200摄氏度的熔化温度的金属焊料(例如，SAC合金、无铅材料、SnCu合金等)涂覆或者放置在块308中提供的预成型件的切割区域中。所涂覆的金属焊料可以被设置在块304中所涂覆的低温焊膏上方(并与之接触)。
在一些实施例中，在块412，可以将顶板(例如，图4的图像412中所示的顶板426)放置在所涂覆的金属焊料之上。顶板可以提供重量或压缩力，以促进金属焊料、低温焊膏和第一部分106的相互粘附和/或成形。之后，在块314，可以执行低温回流操作，其中，至少第一部分106、低温焊膏和金属焊料可以暴露至最高可达大约175摄氏度或者最高可达大约200摄氏度的温度下，以形成不只包括第一部分106的表面安装结构，例如，表面安装结构104、204、214、224、234、244、254、264和/或274等。
所施加的温度(例如，具有图4的图像414中所示的温度曲线)可以至少使得设置于第一部分106和金属焊料之间的低温焊膏(部分地)融化或回流，以将第一部分106连接至金属焊料。低温焊膏可以扩散到所涂覆的金属焊料中，以至少在第一部分106和金属焊料之间的界面处或附近形成金属间化合物。例如，在低温焊膏包括悬浮在水介质(或助熔剂)中的SnBi(Sn42Bi58)合金，并且所涂覆的金属焊料包括SAC合金时，回流操作可能使水介质散失(例如，蒸发)，并且低温焊膏中的Sn和Bi将扩散到SAC合金或者与之发生反应，从而形成Sn-Cu-Bi金属间化合物。作为另一个示例，在低温焊膏包括悬浮在水介质(或助熔剂)中的SnBi(Sn42Bi58)合金，并且所涂覆的金属焊料包括SnCu合金时，回流操作可能引起Sn-Cu-Bi金属间化合物的形成，但其铜浓度水平不同于在所涂覆的金属焊料包括SAC合金的情况下的铜浓度水平。所施加的温度还可以促进或者引起金属焊料形成为第二部分108的特定形状和/或大小。在一些实施例中，可以对回流条件加以选择，以避免改变第一部分106或者使对第一部分106的改变最小化。相应地，回流操作可以将低温焊膏(或其部分)和所涂覆的金属焊接材料转化为第二部分108。
最后，在块316，可以执行一项或多项回流后操作，例如，去除在制造过程期间使用的聚合物带(例如，如图4的图像416中所示)，从而完成现有计算/电子部件封装的经修改/增强的表面安装结构的形成。
图5-7描绘了根据一些实施例的根据过程300形成表面安装结构204、224、234的各个阶段的示例性视图。在图5中，可以在第一部分206的距基底102最远的一侧上提供低温焊膏502的层。可以在低温焊膏502的距第一部分206最远的一侧上提供SAC焊料504。在块314的回流操作之后，可以形成包括球形形状第二部分208并且具有总体雪人几何结构或形状的表面安装结构204。图6和图7分别类似地示出了分别用于形成表面安装结构224和234的处于第一部分226和SAC焊料604之间的低温焊膏602的层以及处于第一部分236和SAC焊料704之间的低温焊膏702的层。
图8描绘了根据一些实施例的根据过程300形成与QFN封装800相关联的表面安装结构804的各个阶段的示例性视图。QFN封装800可以包括基底802以及多个第一部分806，所述多个第一部分806可以包括QFN封装的与基底802的顶表面平齐的扁平引脚或电连接区域。可以将低温焊膏810涂覆至第一部分806，并且SAC焊料812可以位于低温焊膏810的距基底802最远的一侧上(例如，位于低温焊膏810上方)。在低温焊膏810和SAC焊料812就位的情况下，可以发生低温回流操作，以形成表面安装结构804。表面安装结构804的每者可以包括基于SAC焊料812和第一部分806的第二部分808。表面安装结构804在基底802的顶表面上方的高度可以是由第二部分808的高度限定的。表面安装结构804在基底802的顶表面上方的形状也可以是由第二部分808的形状(例如，诸如正方形的多边形形状)限定的。
图9描绘了根据一些实施例的根据图3的过程300形成与LCC封装900相关联的表面安装结构804的各个阶段的示例性视图。LCC封装900可以包括基底902以及多个第一部分906，所述多个第一部分906可以包括LCC封装的与基底902的顶表面平齐的扁平引脚或电连接区域。可以将低温焊膏910涂覆至第一部分906，并且SAC焊料912可以位于低温焊膏910的距基底902最远的一侧上(例如，位于低温焊膏910上方)。在低温焊膏910和SAC焊料912就位的情况下，可以发生低温回流操作，以形成表面安装结构904。表面安装结构904的每者可以包括基于SAC焊料912和第一部分906的第二部分908。表面安装结构904在基底902的顶表面上方的高度可以是由第二部分908的高度限定的。表面安装结构904在基底902的顶表面上方的形状也可以是由第二部分908的形状(例如，诸如正方形的多边形形状)限定的。
通过这种方式，可以在计算/电子部件封装中实现不同于与所述封装相关联的初始或现有表面安装结构的各种各样的表面安装结构几何结构，从而对封装性能、可靠性、组件和/或测试有所帮助。可以为表面安装结构实现各种非球形几何结构。
图10示出了根据各种实施例的适用于实践本公开的各方面的示例性计算机装置1000。在一些实施例中，表面安装结构104、204、214、224、234、244、254、264、274、804和/或904可以被包括在计算机装置1000或其部分中。例如，处理器1002可以包括处理器封装，处理器封装包括表面安装结构104。如所示，计算机装置1000可以包括一个或多个处理器1002和系统存储器1004。处理器1002可以包括任何类型的处理器。处理器1002可以被实施为具有单核或多核的集成电路，例如，多核微处理器。计算机装置1000可以包括大容量存储装置1006(例如，软盘、硬盘驱动器、易失性存储器(例如，DRAM)、压缩磁盘只读存储器(CD-ROM)、数字通用盘(DVD)、闪速存储器以及固态存储器等)。总的来说，系统存储器1004和/或大容量存储装置1006可以是任何类型的暂时和/或永久储存器，其包括但不限于易失性和非易失性存储器、光、磁和/或固态大容量储存器等。易失性存储器可以包括但不限于静态和/或动态随机存取存储器。非易失性存储器可以包括但不限于电可擦可编程只读存储器、相变存储器和电阻存储器等。
计算机装置1000还可以包括输入/输出(I/O)装置1008(例如，麦克风、传感器、显示器、键盘、光标控制装置、遥控装置、游戏控制器和图像拍摄装置等)和通信接口1010(例如，网络接口卡、调制调解器、红外接收器、无线电接收器(例如，蓝牙))和天线等。
通信接口1010可以包括通信芯片(未示出)，所述通信芯片可以被配置为根据全球移动通信系统(GSM)、通用分组无线电业务(GPRS)、通用移动电信系统(UMTS)、高速分组接入(HSPA)、演进的HSPA(E-HSPA)或LTE网络而操作装置1000。通信芯片还可以被配置为根据增强型数据速率GSM演进技术(EDGE)、GSM EDGE无线电接入网(GERAN)、通用陆地无线电接入网(UTRAN)或演进的UTRAN(E-UTRAN)而进行操作。通信芯片可以被配置为根据码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、演进数据优化(EV-DO)、它们的衍生物以及被标示为3G、4G、5G以及更高代的任何其它无线协议而进行操作。在其它实施例中，通信接口1010可以根据其它无线协议而进行操作。
上文描述的计算机装置1000的元件可以经由系统总线1012相互耦合，系统总线1012可以表示一条或多条总线。在多条总线的情况下，可以通过一个或多个总线桥(未示出)对它们进行桥接。这些元件中的每者可以执行其在本领域中已知的常规功能。计算逻辑1022可以由通过处理器1002予以支持的汇编指令来实施或者可以由可以被编译成这种指令的高级语言来实施。可以例如通过诸如压缩磁盘(CD)之类的分布式介质(未示出)、或者通过通信接口1010(从分布式服务器(未示出))将可编程指令的永久性副本放置到制造厂或现场中的大容量存储装置1006中。
尽管文中已经出于说明的目的对某些实施例进行了例示和描述，但是为实现相同目的而计算的各种各样的替代的和/或等价的实施例或实施方式可以替代所示出和描述的实施例，而不脱离本公开的范围。本申请旨在涵盖文中讨论的实施例的任何调整或变化。因此，明显旨在使文中描述的实施例仅由权利要求来限定。
下文提供在文中公开的各种实施例的装置、系统和方法的例示性示例。装置、系统和方法的实施例可以包括下文描述的示例中的任何一者或多者以及它们的任何组合。
示例1是一种设备，其包括在计算部件封装的表面上提供的多个结构，其中，所述多个结构用于将所述计算部件封装附接并电耦合至另一装置，并且其中，所述多个结构中的结构包括第一部分和第二部分，所述第二部分被设置得比第一部分距所述表面更远，并且所述第一部分包括与所述第二部分不同的材料。
示例2可以包括示例1的主题，并且还可以包括，其中，所述计算部件封装包括球栅阵列(BGA)封装、方形扁平无引脚(QFN)封装或者无引脚芯片载体(LCC)封装。
示例3可以包括示例1-2中的任何一者的主题，并且还可以包括，其中，第一部分包括锡-银-铜(SnAgCu)(SAC)合金，并且第二部分的至少一部分包括锡-铜-铋(SnCuBi)金属间化合物。
示例4可以包括示例1-3中的任何一者的主题，并且还可以包括，其中，第一部分包括锡-铜(SnCu)合金，并且第二部分的至少一部分包括锡-铜-铋(SnCuBi)金属间化合物。
示例5可以包括示例1-4中的任何一者的主题，并且还可以包括，其中，所述多个结构中的结构的高度大于所述结构的宽度。
示例6可以包括示例1-5中的任何一者的主题，并且还可以包括，其中，所述多个结构中的第一结构与所述多个结构中的第二结构相邻，并且其中，所述第一结构具有不同于第二结构的高度。
示例7可以包括示例1-6中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述多个结构中的第一结构与所述多个结构中的第二结构相邻，并且其中，所述第一结构电耦合至所述第二结构。
示例8可以包括示例1-7中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，第一部分的形状不同于第二部分的形状。
示例9可以包括示例1-8中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，第一部分具有球形、半球形或者扁平引脚形状。
示例10可以包括示例1-9中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，第二部分具有球形、柱形、圆柱形、多边形、矩形、正方形或者八边形形状。
示例11是一种方法，其包括：在计算部件封装的表面上的多个第一部分结构之上涂覆低温焊膏；在低温焊膏之上涂覆焊接材料；以及至少对所述低温焊膏、焊接材料和所述多个第一部分结构执行低温回流。
示例12可以包括示例11的主题，并且还可以包括，其中，执行低温回流包括将低温焊膏和焊接材料转换成分别设置在所述多个第一部分结构上方的多个第二部分结构。
示例13可以包括示例11-12中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述低温焊膏具有比所述多个第一部分结构或者所述焊接材料或两者更低的熔化温度。
示例14可以包括示例11-13中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述多个第一部分结构中的第一部分结构的形状不同于所述多个第二部分结构中的第二部分结构的形状。
示例15可以包括示例11-14中的任何一项所述的主题，并且还可以包括，其中，所述多个第一部分结构中的第一部分结构具有球形、半球形或者扁平引脚形状。
示例16可以包括示例11-15中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述多个第二部分结构中的第二部分结构具有球形、柱形、圆柱形、多边形、矩形、正方形或八边形形状。
示例17可以包括示例11-16中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，执行低温回流包括将所述多个第一部分结构附接至相应的多个第二部分结构，并且其中，附接至相应的多个第二部分结构的多个第一部分结构包括所述计算部件封装的多个表面安装和电耦合结构。
示例18可以包括示例11-17中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述多个第二部分结构中的第二部分结构的至少一部分包括锡-铜-铋(Sn-Cu-Bi)金属间化合物。
示例19可以包括示例11-18中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，涂覆焊接材料包括在所述低温焊膏之上涂覆锡-银-铜(SnAgCu)(SAC)合金、锡-铜(SnCu)合金或者无铅焊接材料。
示例20可以包括示例11-19中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，执行低温回流包括以低于或者等于大约200摄氏度的温度执行低温回流。
示例21可以包括示例11-20中的任何一项所述的主题，并且还可以包括，其中，所述多个第一部分结构具有高于175摄氏度的熔化温度。
示例22可以包括示例11-21中的任何一项所述的主题，并且还可以包括，其中，所述低温焊膏具有低于大约200摄氏度的熔化温度。
示例23可以包括示例11-22中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，涂覆低温焊膏包括以大约100微米的厚度涂覆低温焊膏。
示例24可以包括示例11-23中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述低温焊膏包括悬浮于水介质中的锡-铋(SnBi)(Sn42Bi58)合金。
示例25可以包括示例11-24中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述计算部件封装包括球栅阵列(BGA)封装、方形扁平无引脚(QFN)封装或者无引脚芯片载体(LCC)封装。
示例26是一种设备，其包括：计算部件；以及在所述计算部件的表面上提供的多个结构，其中，所述多个结构用于将所述计算部件附接并电耦合至另一装置，并且其中，所述多个结构中的结构包括第一和第二部分，所述第二部分被设置为比所述第一部分距所述表面更远，并且所述第一部分包括不同于所述第二部分的冶金成分。
示例27可以包括示例26所述的主题，并且还可以包括，其中，所述计算部件包括处理器、中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、存储器、控制器、接口、电路、集成电路芯片、印刷电路板(PCB)、母板、芯片组或者无线装置。
示例28可以包括示例26-27中的任何一者所述的主题，并且还可以包括用于所述计算部件的封装，其中，所述封装包括球栅阵列(BGA)封装、方形扁平无引脚(QFN)封装或者无引脚芯片载体(LCC)封装。
示例29可以包括示例26-28中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，第一部分包括锡-银-铜(SnAgCu)(SAC)合金，并且第二部分的至少一部分包括锡-铜-铋(SnCuBi)金属间化合物。
示例30可以包括示例26-29中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，第一部分包括锡-铜(SnCu)合金，并且第二部分的至少一部分包括锡-铜-铋(SnCuBi)金属间化合物。
示例31可以包括示例26-30中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，第一部分的形状不同于第二部分的形状。
示例32可以包括示例26-31中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，所述第一部分具有球形、半球形或者扁平引脚形状。
示例33可以包括示例26-32中的任何一者所述的主题，并且还可以包括，其中，第二部分具有球形、柱形、圆柱形、多边形、矩形、正方形或者八边形形状。
尽管文中已经出于说明的目的对某些实施例进行了例示和描述，但是为实现相同目的而计算的各种各样的替代的和/或等价的实施例或实施方式可以替代所示出和描述的实施例，而不脱离本公开的范围。本申请旨在涵盖文中讨论的实施例的任何调整或变化。因此，明显旨在使文中描述的实施例仅由权利要求来限定。