技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻标记及其可靠性验证方法。所述套刻标记，包括第一测量标记，形成在第一层中，包括多个直线型图形；第二测量标记，形成在第二层中，包括块状图形；所述第二层形成在所述第一层之后；所述块状图形在所述第一测量标记所在平面内的投影位于经过所述多个直线型图形的直线围成的封闭区域内。本发明提高了厚光阻套刻精度量测的准确性，使得厚光阻套刻量测的问题得到有效解决；同时，使得光刻工艺师能够根据套刻参数量测结果判断层与层之间的套刻精度是否符合要求以及套刻补偿值的可靠性。
技术研发人员：袁文旭;方超;唐呈前;李思晢;高志虎;冯耀斌
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.03.19
技术公布日：2018.08.17