本发明涉及透明导电薄膜的技术领域，更具体地，涉及一种无刻蚀工艺的触控屏透明电极印刷法制备方法。
背景技术：
触摸屏（touchscreen）又称为“触控屏”、“触控面板”，是一种可接受触头等输入讯号的感应式显示装置，屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程式驱动各种连结装置，可用以取代机械式的按钮面板，并借由显示画面制造出生动的影音效果，广泛应用于工业、医疗、通信领域的控制、信息查询及其他方面，被称为“指尖上的革命”。近年来，随着智能手机等移动终端的发展和市场的不断扩大，触摸面板更是“风光无限”。未来触控技术必将引领移动终端和各种智能设备的发展方向。触控技术其核心为触摸感知传感单元，较为广泛使用的为电容式传感器，其通常的结构为一块复合玻璃屏，玻璃屏的内表面夹层各涂有一层透明导电薄膜，通常为ito（氧化铟锡），最外层是一层玻璃保护层。其中透明导电薄膜（transparentconductivelayer,tcl）是传感单元的重要组成部分。传统工艺中，tcl需要通过黄光工艺，经光刻、刻蚀得到所需要的图案，工艺复杂，成本高，ito的刻蚀需要强酸刻蚀液，环境不友好，因此急需开发一种成本低，环境友好的新工艺。随着柔性显示技术的发展，柔性触摸屏技术也是未来技术发展的方向，其技术尚不成熟。
技术实现要素：
本发明为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷，提供一种无刻蚀工艺的触控屏透明电极印刷法制备方法，采用印刷工艺，利用表面改性技术，实现无刻蚀自组装电极图形化。该技术具有工艺简单、成本低、可大规模生产、与柔性衬底兼容性好等优点。
本发明的技术方案是：一种无刻蚀工艺的触控屏透明电极印刷法制备方法，其中，包括以下步骤：通过对玻璃衬底或者柔性衬底的亲疏水性改善来形成电极图形，配制氧化物透明电极溶液前驱体，前驱体的印刷法涂布，后处理工艺，最后形成电容式触控屏透明电极层。
进一步的，所述的衬底是玻璃衬底也可以是pi、pet等柔性衬底；亲疏水性改善可以通过uv照射或者plasma处理，也可以采用有机涂层进行亲疏水性改善。
进一步的，所述的衬底的亲疏性改善需要进行图形化处理，借鉴光刻工艺，将无透明电极部分通过屏蔽罩进行遮挡，避免uv或者等离子体的处理，形成疏水表面，而需要覆盖透明电极的部分通过uv照射或者等离子体处理形成亲水表面。
进一步的，所述的衬底的亲疏水改善需要进行图形化处理，采用有机涂层进行亲疏水改善时，先印刷疏水有机涂层，后通过等离子体处理，去除透明电极图案对应的有机涂层，形成亲水表面，最后以有机涂层作为腌膜，印刷透明电极，形成触控屏所需电极图案。
本发明的透明导电薄膜，在玻璃或者pet等衬底上，采用印刷法制备，可以是ito，也可以是掺铝的氧化锌等；
本发明中透明氧化物半导体的前驱体配置，采用金属盐如金属的硝酸盐作为溶质，醇类或者去离子水作为溶剂，加入ph值调节剂或者稳定剂，选择性的加入氧化剂如乙酰丙酮等，通过搅拌、过滤、老化等工艺，形成稳定的前驱体。按照透明导电薄膜中金属元素的比例将前驱体混合；
对玻璃或者pet等基板进行选择性的表面处理，形成对应于电极图案的亲水区域；具体可以通过uv或者等离子体处理，或者通过有机涂层来实现；
具体表面改性方法，将掩膜覆盖在基板的表面，露出透明电极的图案部分，进行uv或者等离子体处理，图案部分形成亲水的表面，掩膜覆盖的地方形成疏水表面；或者在uv或者等离子体处理过程中，将掩膜未覆盖处的有机涂层去掉，形成亲水表面，有机涂层覆盖处为疏水表面；
将配置好的前驱体印刷在玻璃或者pet等衬底上，形成亲水图案所对应的薄膜，疏水表面处则无薄膜形成；
将薄膜进行热处理，处理温度150度-300度之间，形成透明氧化物半导体透明电极。
与现有技术相比，有益效果是：本发明采用印刷工艺，利用表面改性技术，实现无刻蚀自组装电极图形化。该技术具有工艺简单、成本低、可大规模生产、与柔性衬底兼容性好等优点。
附图说明
图1是本发明无刻蚀触控屏透明电极涂布法制备工艺示意图。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。
如图1所示，一种用于电容式触摸屏的电极结构，所述电极结构由下至上依次包括玻璃基板、ito电极；其中ito层为30nm；
所述电容式触摸屏的电极结构的制备方法：
参照文献和专利（201410809742.9）公开的方法配制氧化铟（in2o3）和氧化锡（sno2）的前驱体，具体为：a.氧化铟前驱体：将硝酸铟溶解于二甲氧基乙醇溶液，同时加入氨水作为ph值调节剂，乙酰丙酮作为燃烧剂，经搅拌、过滤、老化后形成浓度为0.2mol/l的氧化铟前驱体；b.氧化锡前驱体：称取摩尔比为1:1的氯化亚锡（sncl2）和硝酸铵（nh4no3），溶于二甲氧基乙醇溶剂中，室温搅拌至充分溶解，再加入乙酰丙酮和浓氨水，其中锡：乙酰丙酮：浓氨水的比例为1mol：200ml：114ml，充分搅拌，得到氧化锡的前驱体；
将上述in和sn的前驱体溶液以物质的量比：19:1-9:1混合，室温搅拌1小时以上，得到ito的前驱体溶液。
制作触摸屏电极图形化用的掩膜；
掩膜覆盖于玻璃基板上，其中透光部分为透明电极的图案部分，其他部分被掩膜遮住，紫外线无法穿过；
将覆盖掩膜的玻璃基板进行uv处理，在透光部分形成亲水表面；
去掉掩膜，旋涂ito前驱体，调节转速、时间等参数，使得薄膜厚度大概为8nm；
300度热板加热，促进前驱体反应；
重复上述步骤，通过增加涂布次数得到厚度为30nm左右的ito薄膜；
由于玻璃基板表面形成了亲水图案，因此无需刻蚀工艺即形成了透明电极图形；
所得ito透明电极的电导率为20s/cm。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。