具有电阻分压电路的半导体装置的制作方法

文档序号:15740340发布日期:2018-10-23 22:11阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种具有电阻分压电路的半导体装置,其特征在于,该具有电阻分压电路的半导体装置具有:

多个电阻要素,它们串联连接,并且分别具有利用二进制法赋予权重得到的电阻值;以及

多个短接控制元件,它们分别与所述多个电阻要素对应地设置,分别对所述多个电阻要素的短接进行控制,

所述多个电阻要素分别是将N型多晶硅和P型多晶硅交替配置并串联或并联连接而构成的。

2.根据权利要求1所述的具有电阻分压电路的半导体装置,其中,

在所述多个电阻要素中,与利用所述二进制法赋予权重得到的电阻值的1对应的电阻要素是将N型短尺寸多晶硅和P型短尺寸多晶硅串联连接起来而构成的,其中,所述N型短尺寸多晶硅具有构成其他电阻要素的N型多晶硅的长度的1/2长度,所述P型短尺寸多晶硅具有构成其他电阻要素的P型多晶硅的长度的1/2长度。

3.根据权利要求1所述的具有电阻分压电路的半导体装置,其中,

在所述多个电阻要素中,与利用所述二进制法赋予权重得到的电阻值的1对应的电阻要素是串联地连接两个如下这样的结构而构成的:所述结构是将构成其他电阻要素的一个N型多晶硅和构成其他电阻要素的一个P型多晶硅并联连接而得到的。

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