1.一种晶片卡盘，包括：
支撑结构，其具有在结构上构造成支撑晶片的第一侧；
在支撑结构的第一侧上形成的真空分区，真空分区至少部分地由从支撑结构的第一侧的凹陷表面延伸的环形件界定；
设置在真空分区中的多个吸盘，其中多个吸盘中的一个或更多个与延伸穿过支撑结构的通道联接；和
与通道流体连通的一个或更多个真空装置，一个或更多个真空装置在结构上构造成通过通道提供抽吸。
2.根据权利要求1所述的晶片卡盘，还包括设置在真空分区中并且延伸穿过支撑结构的多个真空孔，一个或更多个真空装置与多个真空孔流体连通并且在结构上被构造为通过多个真空孔提供抽吸。
3.根据权利要求2所述的晶片卡盘，其中所述一个或更多个真空装置包括：
与多个真空孔流体连通的第一真空装置；和
与通道流体连通的第二真空装置。
4.根据权利要求2所述的晶片卡盘，其中单个真空装置与多个真空孔中的每个和通道流体连通。
5.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中所述多个吸盘中的一个或更多个的接触表面在环形件的z轴高度之上突出至少第一高度H1，以使得由一个或更多个真空装置提供抽吸之前，放置到支撑结构上的晶片被首先搁置在多个吸盘中的一个或更多个上。
6.根据权利要求5所述的晶片卡盘，其中当通过一个或更多个真空装置将抽吸施加到晶片时，晶片接触多个吸盘中的每个和环形件，由此拉紧晶片并减轻其翘曲。
7.根据权利要求6所述的晶片卡盘，其中晶片接触多个吸盘中的每个和环形件在真空分区中形成密封。
8.根据权利要求7所述的晶片卡盘，还包括设置在真空分区中并且延伸穿过支撑结构的多个真空孔，一个或更多个真空装置与多个真空孔流体连通并且在结构上被构造成通过多个真空孔提供抽吸以固定晶片并且维持密封，其中一个或更多个真空装置在结构上构造成通过多个真空孔施加抽吸以进一步拉紧晶片并进一步减轻其翘曲。
9.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中所述真空分区是第一真空分区，所述环形件是第一环形件，并且还包括：
围绕第一真空分区的第二真空分区，第二真空分区至少部分地由第一环形件界定并且至少部分地由从支撑结构的第一侧的凹陷表面延伸的第二环形件界定，其中第二环形件具有比第一环形件大的直径，并且其中第二真空分区包括与通道联接的多个吸盘中的一个或更多个。
10.根据权利要求9所述的晶片卡盘，还包括设置在第一真空分区和第二真空分区的每个中的多个真空孔，多个真空孔延伸穿过支撑结构，一个或更多个真空装置与多个真空孔流体连通。
11.根据权利要求10所述的晶片卡盘，其中所述一个或更多个真空装置包括：
与设置在第一真空分区中的多个真空孔和设置在第一真空分区中的多个吸盘流体连通的第一真空装置；和
与设置在第二真空分区中的多个真空孔和设置在第二真空分区中的多个吸盘流体连通的第二真空装置。
12.根据权利要求10所述的晶片卡盘，其中所述一个或更多个真空装置包括：
与设置在第一真空分区和第二真空分区中的多个真空孔流体连通的第一真空装置；和
与设置在第一真空分区和第二真空分区中的多个吸盘流体连通的第二真空装置。
13.根据权利要求10所述的晶片卡盘，其中单个真空装置与第一真空分区和第二真空分区中的多个真空孔和多个吸盘中的每个流体连通。
14.根据权利要求9所述的晶片卡盘，其中第一环形件和第二环形件中的一个或更多个的尺寸和形状被设定为符合预定的晶片尺寸，并且其中第一环形件具有第一接触表面并且第二环形件具有第二接触表面，其中第一接触表面和第二接触表面基本共面。
15.根据权利要求9所述的晶片卡盘，其中所述多个吸盘中的一个或更多个的接触表面在第一环形件和第二环形件的z轴高度之上突出至少第一高度H1。
16.根据权利要求1所述的晶片卡盘，还包括与一个或更多个真空装置通信的控制器，所述控制器在结构上构造成控制真空分区中的抽吸。
17.根据权利要求1所述的晶片卡盘，还包括设置在真空分区中的多个柱，所述多个柱在结构上被构造成当对晶片施加抽吸时维持晶片的预定平坦度，其中选择多个柱的数量和尺寸以使得接触晶片的表面面积最小化，同时为晶片提供预定的支撑。
18.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中所述多个吸盘中的每个包括连接到接触表面的杆，接触表面在结构上构造成支撑晶片。
19.根据权利要求18所述的晶片卡盘，其中所述多个吸盘中的一个或更多个的高度通过杆沿z轴的运动可调节。
20.根据权利要求18所述的晶片卡盘，其中所述通道穿过杆和多个吸盘中的一个或更多个的接触表面设置。
21.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中所述多个吸盘中的每个设置在支座内，其中所述支座的高度对应于环形件的接触表面的z轴高度，并且其中所述通道被设置在包含多个吸盘中的一个或更多个的支座内。
22.一种方法，包括：
在晶片卡盘的第一侧上接收晶片；和
通过与多个吸盘中的一个或更多个联接的通道向晶片施加第一抽吸，以使得晶片接触多个吸盘中的每个和至少部分地界定形成在晶片卡盘的第一侧上的真空分区的环形件，从而减轻其翘曲。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括通过多个真空孔向晶片施加第二抽吸，由此将晶片朝向晶片卡盘的凹陷表面拉紧，并进一步减轻其翘曲。
24.根据权利要求23所述的方法，还包括控制第一抽吸和第二抽吸中的一个或更多个，并且维持晶片的预定平坦度。
25.根据权利要求22所述的方法，还包括使用扫描声学显微镜检查晶片。