一种IGBT器件背面制作方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种IGBT器件背面制作方法，在IGBT 器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时降低器件参数Vce，且本发明制作工艺与现有IGBT正面工艺兼容，不增加产品工艺成本。

技术研发人员：张艳旺;吴宗宪;王宇澄
受保护的技术使用者：苏州凤凰芯电子科技有限公司
技术研发日：2018.03.30
技术公布日：2018.09.14