1.一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1. 在待加工样品（1）表面覆盖一层预铺膜层（2），预铺膜层（2）的厚度为5~200nm；
S2. 在预铺膜层（2）上制作一层金属薄层（3），金属薄层（3）的厚度为3~20nm；
S3. 快速高温热处理使金属薄层（3）转化为纳米级的金属岛状分布，成为掩膜（4）。
2.根据权利要求1所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，预铺膜层（2）为SiO2、SiNx、ITO或ZnO的透明薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，待加工样品（1）为Si、GaN、GaAs、GaP或Al2O3半导体材料。
4.根据权利要求1所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，金属薄层（3）由Ni、Ag、Al和Au的单金属材料或合金材料制成。
5. 根据权利要求1所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，预铺膜层（2）的制作方法采用的是金属化学气相沉积（MOCVD）或 等离子体增强化学气相沉积（PECVD），且预铺膜层（2）在高温环境下其表面形貌不会受到破坏。
6.根据权利要求5所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，采用金属化学气相沉积（MOCVD）制作的预铺膜层（2）为多晶薄膜，表面形貌成多晶纳米结构形貌。
7.根据权利要求5所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制作的预铺膜层（2）为非晶薄膜，表面形貌平坦。
8.根据权利要求1所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，金属薄层（3）的制作方法采用的是电子束蒸发、热蒸发或者磁控溅射。
9.根据权利要求1所述的一种自组装纳米级金属岛状掩膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，快速高温热处理的工艺条件是：温度600~1000℃，时间0.5~5min，气氛：惰性气体。