显示设备及照明设备的制作方法

本发明涉及一种显示设备及一种照明设备，特别是涉及光转换单元设置于光源中的一种显示设备及一种照明设备。

背景技术

为了增进画面质量而提高显示器的色彩饱和度，相关领域的制造者提供了一种将光转换单元例如量子点(quantumdot)材料应用于光源的方案。此光转换单元能够将自发光元件发出的光线转换成白光或其他色光。

一般而言，以分散剂混合的量子点材料是作为发光元件(如发光二极管)的光转换层，分散剂的成分可包含硫，以在和量子点材料混合后可提高量子点材料可靠性。然而，硫可能会和包含在发光元件中的金属材料(如银)发生反应。此硫化反应会造成如金属材料变色或金属材料电特性变异等问题。

技术实现要素：

本发明提供一种显示设备，其包括一光源。光源包括一基板、一发光元件以及一封装层。发光元件设置在基板上并具有一第一上表面和一第一下表面，且第一下表面与基板相邻并与第一上表面相对。封装层覆盖发光元件，封装层具有一第二上表面，第一上表面位于第二上表面和基板之间，且封装层包括多个光转换单元。其中，在垂直于基板的一方向上，第一上表面和第二上表面之间的距离定义为h。在第一上表面以上，封装层中从第一上表面至0.01h高度的区域定义为一第一区域，且第一区域具有一第一硫含量。封装层中从0.01h高度至0.5h高度的区域定义为一第二区域，且第二区域具有一第二硫含量。封装层中从0.5h高度至第二上表面的区域定义为一第三区域，且第三区域具有一第三硫含量，其中第一硫含量小于第二硫含量，且第一硫含量小于第三硫含量。

本发明提供一种照明设备，其包括一光源。光源包括一基板、一发光元件以及一封装层。发光元件设置在基板上并具有一第一上表面和一第一下表面，且第一下表面与基板相邻并与第一上表面相对。封装层覆盖发光元件，封装层具有一第二上表面，第一上表面位于第二上表面和基板之间，且封装层包括多个光转换单元。其中，在垂直于基板的一方向上，第一上表面和第二上表面之间的距离定义为h。在第一上表面以上，封装层中从第一上表面至0.01h高度的区域定义为一第一区域，且第一区域具有一第一硫含量。封装层中从0.01h高度至0.5h高度的区域定义为一第二区域，且第二区域具有一第二硫含量。封装层中从0.5h高度至第二上表面的区域定义为一第三区域，且第三区域具有一第三硫含量，其中第一硫含量小于第二硫含量，且第一硫含量小于第三硫含量。

附图说明

图1a所示为根据本发明第一实施例第一类型的显示设备的剖面示意图。

图1b所示为根据本发明第一实施例第二类型的显示设备的剖面示意图。

图2所示为根据本发明第一实施例显示设备的光源的剖面示意图。

图3所示为根据本发明第一实施例测量硫含量的方法的示意图。

图4a所示为根据本发明第二实施例显示设备的光源的剖面示意图。

图4b所示为根据本发明第二实施例显示设备的另一类型的光源的剖面示意图。

图5所示为根据本发明第三实施例显示设备的光源的剖面示意图。

图6所示为根据本发明第四实施例显示设备的光源的剖面示意图。

图7所示为根据本发明第五实施例显示设备的光源的剖面示意图。

图8所示为根据本发明第六实施例显示设备的光源的剖面示意图。

图9所示为根据本发明第七实施例显示设备的光源的剖面示意图。

图10所示为根据本发明第八实施例显示设备的光源的剖面示意图。

附图标记说明：1-显示设备；10-背光模块；20-显示面板；100-光源；102-基板；104-框架；104c、104cr-容置腔；106-发光元件；1061-第一上表面；1062-第一下表面；108-封装层；108s-第二上表面；1081-第一封装部分；1081s-上表面；1082-第二封装部分；1082a、1082b-膜层；110-凸块；112-引线；114-绝缘层；1161-第一光转换单元；1162-第二光转换单元；118-第一保护层；120-导线；122-第二保护层；1221-延伸部；1221b-下表面；1221s-侧面；124-挡墙；126-堤坝；e1-底边；e2-顶边；h-距离；p-部分；q-测量点；r1-第一区域；r2-第二区域；r3-第三区域；v-方向；w1-第一宽度；w2-第二宽度；x-方块；x1-第一子区域；x2-第二子区域；x3-第三子区域；θ-锐角。

具体实施方式

为使本领域技术人员能了解本发明，下文配合所附图示详细说明本发明。需注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出显示设备的一部分，且图式中的特定组件并非依照实际比例绘图。此外，图中各组件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。

本发明通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。

当一组件或一膜层被称为在另一组件或另一膜层上，或是被称为与另一组件或另一膜层连接时，其应被了解所述的组件或膜层是直接位于另一组件或膜层上，或是直接与另一组件或膜层连接，也可以是两者之间存在有其他的组件或膜层。然而，当一组件或一膜层被称为直接位于另一组件或另一膜层上，或被称为直接连接于另一组件或另一膜层时，则应被了解两者之间不存在其他的组件或膜层。

值得一提的是，在不偏离本发明精神之下，下文中不同实施例的技术特征彼此之间可互相结合、置换、搭配，以组合出另一实施例。

请参考图1a，其所示为根据本发明第一实施例第一类型的显示设备的剖面示意图。如图1a所示，本实施例的一显示设备1包括一背光模块10以及设置在背光模块10上的一显示面板20，但不以此为限。在本实施例中，背光模块10包括至少一光源100，下文中将详细介绍光源100。至少一光源100可为自发光式无机发光二极管(inorganiclightemittingdiode，led)或自发式有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)。至少一光源100的最大宽度可大于或等于100毫米(millimeter)且小于或等于5000毫米(一般的led)，或者可大于或等于1毫米且小于或等于99毫米(miniled)，亦或者可大于或等于0.1微米(micrometer)且小于或等于999微米(microled)。举例而言，图1a所示的背光模块10可包括一个或多个图2中的光源100。在本实施例中，光源100可设置在背光模块10的底面上并朝显示面板20发出光线，其可称为直下式背光模块(direct-illuminationtypebacklightmodule)，但不限于此。在另一实施例中，光源100可设置于背光模块10的侧面并朝背光模块10另一相对的侧面发出光线，其可称为侧光式背光模块(edge-illuminationtypebacklightmodule)。此外，背光模块10还可包括一导光板，用于将光源100所发出的光线导向显示面板20，也可包括一光学膜用于扩散(diffusing)、聚光(focusing)、色散(dispersing)、折射(refracting)或反射(reflecting)，但不限于此。在本实施例中，显示面板20可为液晶显示面板(liquidcrystaldisplay，lcd)，但不以此为限。显示面板20可为所属领域中常用来调控光线的其他种类的显示面板。

请参考图1b，其所示为根据本发明第一实施例第二类型的显示设备的剖面示意图。如图1b所示，在本实施例的显示设备1中，显示面板20包括至少一光源100，下文将详细介绍光源100。光源100可为自发光式无机发光二极管或自发式有机发光二极管。光源100的最大宽度可大于或等于100毫米(millimeter)且小于或等于5000毫米(一般的led)，或者可大于或等于1毫米且小于或等于99毫米(miniled)，亦或者可大于或等于0.1微米(micrometer)且小于或等于999微米(microled)。举例而言，图1b所示的显示面板20可包括多个图2中的光源100用以显示画面。此外，显示面板20还可包括多个晶体管(transistor)和多条导线用来驱动光源100。在本实施例中，显示面板20可为led显示面板或oled显示面板，但不以此为限。

在另一实施例中，图1b所示的装置可为用于照明的一电子装置(照明设备)，其并未具有主动寻址的功能且为非用于显示画面的显示设备。

请参考图2，其所示为根据本发明第一实施例显示设备的光源的剖面示意图。如图2所示，本实施例的光源100包括一基板102、一发光元件106、一封装层108并还可选择性地包括一框架104。基板102可为具有支撑功能的一硬质基板，其可具有良好的散热性。基板102的材料可包括铜(copper)、铁(iron)、铝(aluminum)等，或是这些元素的合金。框架104设置在基板102上并环绕发光元件106，且框架104包括一容置腔(cavity)104c。框架104可由具有高稳定性(stability)的材料所形成，其材料可例如是树脂，但不限于此。框架104的颜色可例如是白色。发光元件106设置在基板102上并对应设置于容置腔104c内。发光元件106可为发光二极管芯片，如蓝光led芯片、红光led芯片、绿光led芯片、白光led芯片或其他颜色的led芯片。发光元件106具有一第一上表面1061和一第一下表面1062，第一上表面1061面向发光元件106的发光方向，而第一下表面1062相邻于基板102并与第一上表面1061相对。封装层108可覆盖发光元件106，且至少一部分的封装层108设置在框架104的容置腔104c内。

本实施例的发光元件106可为一倒装芯片式(flip-chiptype)发光元件，但不限于此。其中发光元件106的两电极(阳极和阴极)位于发光元件106的底面并面向基板102。如图2所示，两引线112设置在基板102上并电性连接至驱动电路(例如集成电路)，两引线112彼此电性隔离，且两引线112各自具有至少一部分设置在基板102和框架104之间。两凸块110可设置在发光元件106和基板102之间，且发光元件106的两电极(阳极和阴极)分别通过两凸块110而电性连接至两引线112。发光元件106的两电极(阳极和阴极)可包括导电材料，例如银(silver)、铝、铜、金(gold)、铟(indium)、钛(titanium)、钼(molybdenum)或上述元素的合金，但不限于此。凸块110可包括如金属等导电材料，例如锡(tin)、铜、铅(lead)、金、铟、锌(zinc)或上述元素的合金，但不限于此。引线112可包括高导电性和高反射性的材料，如银、铝、铜、金、铟、钛、钼或上述元素的合金，但不限于此。因此，发光元件106可例如通过引线112而电性连接至一驱动电路。在本实施例中，其中一条引线112通过对应的凸块110而电性连接至发光元件106的一p型电极(阳极或阴极)，而另一条引线112通过对应的凸块110电性连接至发光元件106的一n型电极(阴极或阳极)，其中在两引线112之间还可设置一层包括绝缘材料的绝缘层114，以避免发光元件106的不同电极互相电性连接。

在本实施例中，封装层108设置于容置腔104c内并覆盖发光元件106，因此框架104环绕封装层108和发光元件106或是围绕封装层108和发光元件106设置。本实施例的封装层108包括一第一封装部分1081和一第二封装部分1082，其中第一封装部分1081设置在第二封装部分1082和基板102之间，并覆盖发光元件106的第一上表面1061。换言之，第一封装部分1081与发光元件106的第一上表面1061接触。详细而言，第一封装部分1081完全覆盖发光元件106。第一封装部分1081的一上表面1081s是一凹面，其中第一封装部分1081的上表面1081s指的是本实施例中位于第一封装部分1081和第二封装部分1082的交界的第一封装部分1081的表面。第一封装部分1081填入容置腔104c中的下方部分，且第一封装部分1081接触于框架104的侧壁104s的一部分(如下方部分)。本实施例的第一封装部分1081包括有机材料或无机材料，但不以此为限。第二封装部分1082设置在第一封装部分1081上并和第一封装部分1081的上表面1081s接触。第二封装部分1082填入容置腔104c中的上方部分，且第二封装部分1082接触于框架104的侧壁104s的剩余部分(如上方部分)。封装层108包括多个光转换单元。详细而言，本实施例的光转换单元设置在第二封装部分1082内，而未设置在第一封装部分1081内。举例而言，第二封装部分1082是由量子点材料和硫基分散剂(sulfurbaseddispersant)的混合物所形成。此外，第一封装部分1081的硫含量小于第二封装部分1082的硫含量。在本实施例中，第一封装部分1081的硫含量大体上小于10ppm(partspermillion)，其可代表存在于第一封装部分1081内的硫非常少或是接近于零，或是第一封装部分1081的硫含量非常少以至于无法被测量设备测出，因此测量的结果可能为零。举例而言，用于测量硫含量的设备可为能量色散x射线光谱仪(energy-dispersivex-rayspectrometer，edx)、二次离子质谱仪(secondary-ionmassspectrometer，sims)、x射线光电子能谱仪(x-rayphotoelectronspectrometer，xps)或其他适合的设备。

光转换单元包括量子点材料，其中量子点材料可由一外壳(shell)和设置在外壳内的一核心(core)所构成。核心的材料可包括硒化镉(cdse)、硫化镉(cds)、硫化锌(zns)、硒化锌(znse)、碲化镉(cdte)、碲硒化镉(cdsete)、硫锌化镉(cdzns)、硒化铅(pbse)、银铟硫化锌(aginzns)、碲化锌(znte)、硫硒化镉(cdses)、硫化铅(pbs)、碲化铅(pbte)、硫化汞(hgs)、硒化汞(hgse)、碲化汞(hgte)、氮化镓(gan)、磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)、磷化铟锌(inznp)、磷化铟镓(ingap)、氮化铟镓(ingan)、砷化铟(inas)或氧化锌(zno)，以及外壳的材料可包括硫化锌(zns)、硫化镉(cds)、硒化锌(znse)、硒化镉(cdse)、碲化锌(znte)、碲化镉(cdte)、硫化铅(pbs)、氧化钛(tio)、硒化锶(srse)、氧化镉(cdo)、氧化锌(zno)、磷化铟(inp)、硫化铟(ins)、磷化镓(gap)、氮化镓(gan)、氧化镓(gao)、磷化铟锌(inznp)、磷化铟镓(ingap)、氮化铟镓(ingan)、硫化铟锌硒化镉(inznscdse)或硒化汞(hgse)，但不以此为限。在本实施例中，量子点材料的核心是硒化镉，量子点材料的外壳是硫化锌，但不以此为限。第一光转换单元1161的量子点材料的核心尺寸(如核心的直径或最大宽度)大于或等于2纳米(nanometer)并小于或等于10纳米，其中由量子点材料所转换出的光线的颜色会随着量子点材料的核心尺寸的不同而改变。此外，核心尺寸可例如通过穿透式电子显微镜(transmissionelectronmicroscope，tem)所测量。在本实施例中，光转换单元包括多个第一光转换单元1161和多个第二光转换单元1162。第一光转换单元1161能将自发光元件106发出的光线转换成具有第一颜色(第一光谱)的第一转换光线，第二光转换单元1162能将自发光元件106发出的光线转换成具有第二颜色(第二光谱)的第二转换光线，且第一颜色(第一光谱)不同于第二颜色(第二光谱)。

详细而言，第一颜色和第二颜色分别对应两个不同的光谱。举例而言，自发光元件106发出的光线所具有的光谱中的最高峰对应于大于或等于400纳米以及小于或等于490纳米之间的波长，亦即发光元件106发出的光线是蓝光。第一转换光线的第一光谱中的最高峰对应于大于或等于500纳米以及小于或等于550纳米之间的波长，亦即第一转换光线是绿光。因此，第一光转换单元1161用于将蓝光转换成绿光，其中第一光转换单元1161的量子点材料的核心尺寸大于或等于2纳米且小于或等于4纳米。此外，第二转换光线的第二光谱中的最高峰对应于大于或等于600纳米以及小于或等于650纳米之间的波长，亦即第二转换光线是红光。因此，第二光转换单元1162用于将蓝光转换成红光，其中第二光转换单元1162的量子点材料的核心尺寸大于或等于6纳米且小于或等于10纳米。在本实施例中，第一光转换单元1161和第二光转换单元1162是混合设置在封装层108的第二封装部分1082内。举例而言，第二封装部分1082可由包括混合有第一光转换单元1161和第二光转换单元1162的混合物所形成。藉此，可简单地制作出第二封装部分1082。

在其他实施例中，发光元件106可包括紫外光发光元件，例如可产生紫外光(ultravioletlight)的紫外光发光二极管(uvled)。在此情况下，蓝色量子点材料或粒子可额外设置在第二封装部分1082中，以将紫外光转换成蓝光。

在本实施例中，封装层108具有一第二上表面108s，第一上表面1061位于第二上表面108s和基板102之间。第二上表面108s同时也是封装层108的上表面。本实施例的第二上表面108s是凹面。在垂直于基板102的方向v上，发光元件106的第一上表面1061和封装层108的第二上表面108s之间的距离定义为h。第一上表面1061代表通过发光元件106包括的所有组件中最高处的水平面，如图2中的led芯片的上表面。举例而言，距离h可在发光元件106的第一上表面1061的投影范围内沿着方向v从第一上表面1061计算至第二上表面108s。在第一上表面1061以上，封装层108中从第一上表面1061至0.01h高度的区域定义为一第一区域r1，且第一区域r1具有第一硫含量。封装层108中从0.01h高度至0.5h高度的区域定义为一第二区域r2，且第二区域r2具有第二硫含量。封装层108中从0.5h高度至第二上表面108s的区域定义为一第三区域r3，且第三区域r3具有第三硫含量。详细而言，高度为0.01h的水平面是第一区域r1和第二区域r2之间的交界，其中高度为0.01h的水平面包含在第一区域r1内且并不包含在第二区域r2。类似的，高度为0.5h的水平面是第二区域r2和第三区域r3之间的交界，其中高度为0.5h的水平面包含在第二区域r2内且并不包含在第三区域r3。第一硫含量小于第二硫含量，且第一硫含量小于第三硫含量。此外，第二硫含量小于第三硫含量。其中，硫的原子百分比(atomicpercentage)定义为硫含量。第一硫含量与第二硫含量的比值定义为第一比值(第一比值＝第一硫含量/第二硫含量)，第一硫含量与第三硫含量的比值定义为第二比值(第二比值＝第一硫含量/第三硫含量)，第一比值大于或等于0且小于或等于0.75，且第二比值大于或等于0且小于或等于0.75。简而言之，第一区域r1是最邻近于发光元件106的区域，且第一硫含量可为非常低或甚至为零(视测量设备的测量极限而定)。藉此，可有效避免发光元件106或光源100内其他部分中易于与硫反应的某些金属材料所产生硫化反应而带来的缺点，例如银的颜色变色或发光元件106的阻值上升等。此外，因为第一封装部分1081覆盖一部分的引线112，所以可避免引线112与硫之间产生反应。

接着详细介绍测量第一硫含量、第二硫含量和第三硫含量的方法。其中，距离h大于或等于30微米(micrometer)且小于或等于50微米，但不以此为限。在本实施例中，距离h例如是约30微米。硫含量可由上述介绍的适合的测量设备所测出。请参考图3，其所示为根据本发明第一实施例测量硫含量的方法的示意图。如图3所示，方块x代表第一上表面1061上的第一区域r1、第二区域r2或第三区域r3内的采样区域。举例而言，当方块x代表第一区域r1中的采样区域时，方块x的底边e1指的是高度为0h的发光元件106的第一上表面1061，而方块x的顶边e2指的是高度为从发光元件106的第一上表面1061往上0.01h(例如约0.3微米)的水平面。当方块x代表第二区域r2中的采样区域时，方块x的底边e1指的是高度为从发光元件106的第一上表面1061往上0.01h的水平面，而方块x的顶边e2指的是高度为从发光元件106的第一上表面1061往上0.5h(例如约15微米)的水平面。当方块x代表第三区域r3中的采样区域时，方块x的底边e1指的是高度为从发光元件106的第一上表面1061往上0.5h的水平面，而方块x的顶边e2指的是第二上表面108s(其中h例如约为30微米)。此外，方块x在垂直于基板102的方向v上由下往上区分成第一子区域x1、第二子区域x2和第三子区域x3。第一子区域x1从底边e1向上延伸30纳米，第三子区域x3从顶边e2向下延伸30纳米，以及方块x中介于第一子区域x1和第三子区域x3之间剩余的区域为第二子区域x2。此外，三个测量点q分别位于第一子区域x1、第二子区域x2和第三子区域x3内。测量点q可位于各子区域的中心，但不以此为限。换言之，各个区域(第一区域r1、第二区域r2或第三区域r3)中设置有三个测量点q用以测量硫含量，其中两个测量点q分别设置于距离底边e1和顶边e230纳米的区域内。各区域的硫含量可通过将各区域内三个测量点q测出的三个数值平均而得。在其他实施例中，测量点q的数量亦可多于三个。

在本实施例中，量子点材料的外壳是硫化锌，因此封装层108中包括锌。当封装层108所包括的锌含量较高时，可提升转换效率和光均匀性。详细而言，锌被包括在封装层108的第二封装部分1082中。在封装层108中，第一区域r1具有第一锌含量，第二区域r2具有第二锌含量，以及第三区域r3具有第三锌含量。其中，锌的原子百分比定义为锌含量。第一锌含量小于第二锌含量，且第一锌含量小于第三锌含量。此外，第二锌含量小于第三锌含量。上述测量硫含量的方法亦可应用在测量锌含量。

如图2所示，本实施例的光源100可包括第一保护层118设置在基板102和封装层108之间并设置在引线112下。第一保护层118可由不易与硫反应的材料所形成。举例而言，第一保护层118的材料可包括金(gold)、钯(palladium)或其合金，但不限于此。在上述列举的材料中，金可提供较佳的稳定性。第一保护层118可隔绝发光元件106或引线112以避免与环境中的硫发生反应。此外，绝缘层114设置在第一保护层118中以避免发光元件106中的两电极(如阳极和阴极)电性连接。

下文将继续详述本发明的其它实施例或变化实施例，为了简化说明，下文中使用相同标号标注相同组件。为了突显各实施例或变化形之间的差异，以下针对不同实施例间的差异详加叙述，而不再对重复的技术特征作赘述。

请参考图4a，其所示为根据本发明第二实施例显示设备的光源的剖面示意图。如图4a所示，本实施例的发光元件106可为倒装芯片式发光元件，发光元件106分别通过两凸块110与两条引线112电性连接。此外，第一光转换单元1161设置在第二光转换单元1162和发光元件106之间，亦即部分第一光转换单元1161比部分第二光转换单元1162更邻近发光元件106设置，且第一光转换单元1161与第二光转换单元1162并未互相混合。举例而言，第二封装部分1082可包括具有第一光转换单元1161的一膜层1082a以及具有第二光转换单元1162的一膜层1082b，其中膜层1082a和膜层1082b可被依序填充，藉此制程方法可容易地控制光源100的色域。详细而言，首先先将膜层1082a填入容置腔104c中并形成在第一封装部分1081上，然后将膜层1082b填入容置腔104c并形成在膜层1082a上，但不限于此。在其他实施例中，可先形成膜层1082b，然后再形成膜层1082a，使得第二光转换单元1162设置在第一光转换单元1161和发光元件106之间。在其他实施例中，第一光转换单元1161与第二光转换单元1162互相混合，且膜层1082a与膜层1082b亦互相混合。

在本实施例中，光源100还包括一第二保护层122，且封装层108设置在第二保护层122和基板102之间。第二保护层122包括一延伸部1221设置在框架104上，延伸部1221包括一下表面1221b相邻于框架104并包括一侧面1221s和下表面1221b连接，其中侧面1221s和下表面1221b之间具有一锐角θ。锐角θ大于或等于5度且小于或等于90度。第二保护层122可包括氧化层或氮化层，但不以此为限。氧化层的材料可包括氧化铝(al2o3)、二氧化硅(sio2)或二氧化钛(tio2)，但不限于此。氮化层的材料可包括氮化硅(sinx)、氮化铝(aln)、氮化钛(tin)或氮化锆(zrn)，但不限于此。第二保护层122可减少封装层108或设在封装层108中的发光元件106受到环境中的氧气或水气所造成的影响。此外，第二保护层122的延伸部1221延伸至框架104上可提供较佳的密封性，以更有效地避免封装层108或设在封装层108中的发光元件106受到氧气或水气影响。举例而言，下表面1221b具有第一宽度w1，框架104的一上表面具有第二宽度w2，且在本实施例中，第一宽度w1的范围可为以致能用适量材料形成第二保护层122并可同时提供较佳的密封性。此外，在本实施例中，容置腔104c内的第二保护层122的上表面是凹面，但不以此为限。在其他实施例中，容置腔104c内的第二保护层122的上表面可为凸面。

请参考图4b，其所示为根据本发明第二实施例显示设备的另一类型的光源的剖面示意图。如图4b所示，本实施例的发光元件106可为打线式(wire-bondingtype)发光元件，其包括两条导线120。详细而言，发光元件106设置在基板102上并相邻于绝缘层114，且发光元件106的两电极(如p型电极及n型电极)分别通过导线120电性连接至两条引线112。两条导线120的其中一条在沿方向v的投影穿过绝缘层114。导线120可为银线(silverwire)，但不以此为限。值得一提的是，本实施例中发光元件106的第一上表面1061是通过导线120中最高处(位于导线120的顶端)的一水平面。因此，第一封装部分1081直接并完全覆盖发光元件106的导线120。此外，第一光转换单元1161设置在第二光转换单元1162和发光元件106之间，且第一光转换单元1161和第二光转换单元1162并未互相混合。举例而言，第二封装部分1082可包括具有第一光转换单元1161的一膜层1082a以及具有第二光转换单元1162的一膜层1082b，其中膜层1082a和膜层1082b可被依序填充，藉此制程方法可容易地控制光源100的色域。详细而言，首先先将膜层1082a填入容置腔104c中并形成在第一封装部分1081上，然后将膜层1082b填入容置腔104c并形成在膜层1082a上，但不限于此。在其他实施例中，可先形成膜层1082b，然后再形成膜层1082a，使得第二光转换单元1162设置在第一光转换单元1161和发光元件106之间。在其他实施例中，第一光转换单元1161与第二光转换单元1162互相混合，且膜层1082a与膜层1082b亦互相混合。

在本实施例中，光源100还包括一第二保护层122，且封装层108设置在第二保护层122和基板102之间。第二保护层122包括一延伸部1221设置在框架104上，延伸部1221包括一下表面1221b相邻于框架104并包括一侧面1221s和下表面1221b连接，其中侧面1221s和下表面1221b之间具有一锐角θ。锐角θ大于或等于5度且小于或等于90度。第二保护层122可包括氧化层或氮化层，但不以此为限。氧化层的材料可包括氧化铝、二氧化硅或二氧化钛，但不限于此。氮化层的材料可包括氮化硅、氮化铝、氮化钛或氮化锆，但不限于此。第二保护层122可减少封装层108或设在封装层108中的发光元件106受到环境中的氧气或水气所造成的影响。此外，第二保护层122的延伸部1221延伸至框架104上可提供较佳的密封性，以更有效地避免封装层108或设在封装层108中的发光元件106受到氧气或水气影响。举例而言，下表面1221b具有第一宽度w1，框架104的一上表面具有第二宽度w2，且在本实施例中，第一宽度w1的范围可为以致能用适量材料形成第二保护层122并可同时提供较佳的密封性。此外，在本实施例中，容置腔104c内的第二保护层122的上表面是凹面，但不以此为限。在其他实施例中，容置腔104c内的第二保护层122的上表面可为凸面。

请参考图5，其所示为根据本发明第三实施例显示设备的光源的剖面示意图。如图5所示，本实施例的发光元件106为倒装芯片式发光元件。本实施例和第二实施例主要的差别在发光元件106上的第一封装部分1081的上表面1081s是凸面。发光元件106发出的光线在尚未通过第一上表面1061前可为集中的，而在通过本实施例凸面的上表面1081s后光线可以发散。因此，光线可均匀地被光转换单元转换，且被转换后的光线亦可分布的较为均匀。

请参考图6，其所示为根据本发明第四实施例显示设备的光源的剖面示意图。如图6所示，本实施例的发光元件106为如第二实施例所述的打线式发光元件，且发光元件106上的第一封装部分1081的上表面1081s是凸面，如第三实施例所述。

请参考图7，其所示为根据本发明第五实施例显示设备的光源的剖面示意图。如图7所示，本实施例的发光元件106为倒装芯片式发光元件。本实施例和第三实施例的不同在于直接位于发光元件106上的第一封装部分1081的上表面1081s中的部分p是凸面，且上表面1081s中未覆盖发光元件106的剩余部分是平面。

请参考图8，其所示为根据本发明第六实施例显示设备的光源的剖面示意图。在本实施例的光源100中，两个led芯片是被包含在一个光源100内。如图8所示，光源100包括多个发光元件106和多个封装层108。框架104包括多个容置腔104c，且相邻的容置腔104c由一挡墙124隔开。发光元件106的其中一个是设置在其中一个容置腔104c内，并由与其对应的其中一个封装层108所覆盖。在剖面视角中，相邻容置腔104c中的封装层108的第二上表面108s一起形成一曲线，其中本实施例的曲线是凹的曲线，但在其他实施例中，曲线也可为凸的曲线。类似的，在剖面视角中，相邻容置腔104c中的第一封装层1081的上表面1081s一起形成一曲线，其中本实施例的曲线是凹的曲线，但在其他实施例中，曲线也可为凸的曲线。此外，其中一个容置腔104c内的封装层108中的光转换单元106能将自与其对应的发光元件106发出的光线转换成具有一种颜色的转换光线。另外，其中一个容置腔104c所产生的转换光线与另一容置腔104c所产生的转换光线具有不同的颜色。举例而言，图8中的框架104具有两个容置腔104c，其中位于右边的容置腔104cr内的封装层108仅具有第一光转换单元1161，且位于左边的容置腔104cl内的封装层108仅具有第二光转换单元1162。因此，容置腔104cr内的封装层108可将蓝光转换成绿光，以及容置腔104cl内的封装层108可将蓝光转换成红光。另外，可通过混合容置腔104cr发出的绿光、容置腔104cl发出的红光以及一部分未被光转换单元转换的蓝光来得到白光或其他色光。

请参考图9，其所示为根据本发明第七实施例显示设备的光源的剖面示意图。本实施例的光源100包括两个led芯片。本实施例和第六实施例的主要差别在相邻的容置腔104c(如图9中的容置腔104cl和容置腔104cr)是由框架104中的堤坝126隔开，其中堤坝126可为框架104的一部分。如图9所示，在剖面视角中，容置腔104cl内的第二上表面108s和容置腔104cr内的第二上表面108s分别具有单独的曲线，其中本实施例的曲线皆为凹的曲线，但不以此为限。在另一实施例中，曲线可皆为凸的曲线。在其他实施例中，其中一个曲线可为凹的曲线，且另一曲线可为凸的曲线。类似的，在剖面视角中，容置腔104cl和容置腔104cr内第一封装层1081的上表面1081s皆分别为曲线，其中本实施例的曲线皆为凹的曲线，但不以此为限。

请参考图10，其所示为根据本发明第八实施例显示设备的光源的剖面示意图。本实施例和第一实施例的其中一个差别在本实施例的第一封装部分1081包括无机材料，其中第一封装部分1081可共形地(conformally)形成在基板102和发光元件106上，其可通过镀膜制程(coatingprocess)或沉积制程(depositionprocess)所形成，例如原子层沉积(atomiclayerdeposition，ald)、化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)或物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)。如图10所示，由上述方法形成的第一封装部分1081覆盖发光元件106、一部分的引线112、框架104的整个侧壁104s以及框架104的上表面104t。此外，第一封装部分1081接触于框架104的侧壁104s的一部分并接触于框架104的上表面104t的一部分。此外，本实施例的光源100未包括上述的第一保护层118或第二保护层122。然而，在变化实施例中，第一保护层118或第二保护层122可设置在光源100中。

综上所述，在本发明的显示设备或照明设备的光源中，发光元件被封装层的第一区域覆盖或被封装层中不含硫的第一封装部分所围绕，且发光元件未和可能具有硫或锌的第二封装部分接触，使得发光元件与包含在封装层的第二封装部分中的光转换单元的硫或锌隔开。由于第一区域或第一封装部分中的硫含量非常少或可甚至为零，所以可避免光转换单元所含的硫与发光元件或引线中易于与硫反应的金属材料发生反应。因此，可有效避免硫化反应所带来的缺点(如银的颜色变色或发光元件或引线的阻值上升等)。封装层中亦可包括锌，以提升转换效率和光均匀性。不同类型的光转换单元可互相混合以简化制程。另一方面，不同类型的光转换单元彼此可分开独自设置，从而能较佳地控制色域。此外，光源可包括第一保护层或第二保护层，其中第一保护层可避免发光元件或引线和环境中的硫发生反应，且第二保护层可减少封装层或位于封装层内的发光元件受环境中的水气或氧气影响。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。