技术特征：
技术总结
本发明公开了一种RFLDMOS器件，其N型轻掺杂漂移区是分为上下两层，第一N型轻掺杂漂移区是从多晶硅栅极下方直至包围漏区，第二N型轻掺杂漂移区靠漏区一侧是与第一N型轻掺杂漂移区的垂直投影重叠，靠多晶硅栅极一侧是不超出第一N型轻掺杂漂移区的投影范围；两部分N型轻掺杂漂移区电学相通；所述的法拉第环为上下两层，且两层法拉第环之间以介质层隔离。本发明通过增加一层法拉第环，降低了栅极边缘靠近漏端的电场强度，同时采用两次轻掺杂漂移区分段注入，可以保证在得到较大功率密度的同时，又不增大栅极边缘靠近漏端的电场强度，也就是保证了高性能下的可靠性。本发明还公开了所述RFLDMOS器件的制造方法，工艺简单易于实施。
技术研发人员：蔡莹
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.04.23
技术公布日：2018.10.16