1.一种半导体PCM结构，其特征在于，包括：
位于半导体衬底的第一晶体管和第二晶体管；
其特征在于，
所述第一晶体管和所述第二晶体管相邻，相邻的所述第一晶体管和所述第二晶体管作为一个整体，所述整体孤立地位于所述半导体衬底；或者，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自孤立地位于所述半导体衬底；
在所述半导体衬底的俯视平面上，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极相互垂直。
2.如权利要求1所述的半导体PCM结构，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管位于所述半导体衬底所在晶圆的划片槽区域。
3.如权利要求2所述的半导体PCM结构，其特征在于，所述第一晶体管的所述栅极平行于所述划片槽区域的延伸方向；或者，所述第二晶体管的所述栅极平行于所述划片槽区域的延伸方向。
4.如权利要求3所述的半导体PCM结构，其特征在于，在所述半导体衬底的俯视平面上，所述第一晶体管被第一屏蔽圈包围，所述第二晶体管被第二屏蔽圈包围，所述第一屏蔽圈和第二屏蔽圈位于场氧化层上。
5.如权利要求4所述的半导体PCM结构，其特征在于，在所述半导体衬底的俯视平面上，所述第一晶体管的栅极到所述第一屏蔽圈的最小距离等于工艺平台允许的最小设计尺寸值，所述第二晶体管的栅极到所述第二屏蔽圈的最小距离等于工艺平台允许的最小设计尺寸值。
6.如权利要求5所述的半导体PCM结构，其特征在于，所述第一晶体管的栅极长度等于所述第二晶体管的栅极长度，所述栅极长度等于工艺平台允许的最小设计尺寸值。
7.如权利要求6所述的半导体PCM结构，其特征在于，所述第一晶体管的栅极宽度等于所述第二晶体管的栅极宽度，所述栅极宽度等于所述栅极长度的5～10倍。
8.如权利要求7所述的半导体PCM结构，其特征在于，当所述第一晶体管和所述第二晶体管相邻时，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极通过同一导电结构电连接在一起，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极绝缘分离。
9.一种半导体PCM结构的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上制作第一晶体管和第二晶体管；
将所述第一晶体管与所述第二晶体管制相邻制作，并将相邻的所述第一晶体管和所述第二晶体管作为一个整体，将所述整体孤立地制作在所述半导体衬底；或者，将所述第一晶体管和所述第二晶体管各自孤立地制作在所述半导体衬底；
在所述半导体衬底的俯视平面上，将所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极制作为相互垂直。
10.如权利要求9所述的半导体PCM结构的制作方法，其特征在于，将所述第一晶体管和所述第二晶体管制作在所述半导体衬底所在晶圆的划片槽区域。