技术总结
本发明提供一种双向二极管串触发SCR结构的ESD保护器件，属于集成电路的静电放电保护领域。该ESD保护器件包括用分割阱技术形成的二极管串、双向SCR结构和金属线；在P衬底上设置深N阱，在深N阱的表面区域从左至右依次设有第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱，每个阱中均设置P+注入区和N+注入区；在第二N阱区域内，利用掩膜制备版，间隔插入P阱，每一个P阱的四周均通过N阱隔离，每个P阱中分别设置一对P+注入区和N+注入区；所述的金属线连接注入区，并从金属线中引出正负电极用于正向通导和反向通导。本发明可以通过增加或者减少由阱分割形成的二极管的个数控制触发电压，使器件在低压领域内有更广泛的应用。
技术研发人员：梁海莲;许强;顾晓峰
受保护的技术使用者：江南大学
技术研发日：2018.05.17
技术公布日：2018.10.23