Esd保护器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及从静电放电等的浪涌保护电子电路的ESD保护器件。
【背景技术】
[0002]在各种电子设备中具备1C。为了从因ESD(静电放电)而产生的浪涌保护该1C，在1C的输入输出部连接有例如专利文献1所记载的ESD保护器件。专利文献1公开了在半导体基板上形成有集成电路的ESD保护器件，实现了 ESD保护器件的小型化。
[0003]专利文献1:日本特表2008 - 507124号公报
[0004]然而，在如专利文献1所记载那样在半导体基板上形成有集成电路的构成的ESD保护器件中，在半导体基板露出的状态的情况下，有可能产生以下现象:半导体基板与外部的导体接触，ESD或者噪声电流经由半导体基流入集成电路，进而流向与ESD保护器件连接的电路(信号线)。
【实用新型内容】
[0005]因此，本实用新型的目的在于提供一种能够抑制来自外部的噪声等的影响的ESD保护器件。
[0006]本实用新型的特征在于，具备:半导体基板，其形成有ESD保护电路；第1金属膜，其形成于上述半导体基板的第1面，并且与上述ESD保护电路的第1输入输出端导通；第2金属膜，其形成于上述半导体基板的第1面，并且与上述ESD保护电路的第2输入输出端导通；再配线层，其形成于上述半导体基板的第1面，使上述第1金属膜与第1外部电极导通，并且使上述第2金属膜与第2外部电极导通；以及绝缘性树脂膜，其形成于上述半导体基板的第2面。
[0007]在该构成中，由于利用绝缘性树脂膜保护半导体基板，所以即使半导体基板与外部导体接触，噪声(电流)也不会经由半导体基板流入。
[0008]优选上述绝缘性树脂膜为热塑性树脂的膜。
[0009]在该构成中，例如在通过切割来从晶片分离各个ESD保护器件的情况下，绝缘性树脂膜因切割时的热而向半导体基板的侧面流出，从而不仅半导体基板的第2面，侧面也能够由绝缘性树脂膜保护。
[0010]优选上述绝缘性树脂膜形成有多层，多层中的靠近上述半导体基板的至少一层为热固化树脂。
[0011]在该构成中，即使因切割时的热而绝缘性树脂膜溶化从而产生膜厚变薄的部位，也能够利用热固化树脂来防止半导体基板的露出。
[0012]优选上述绝缘性树脂膜与上述再配线层所包含的树脂层厚度相同。
[0013]在该构成中，能够抑制半导体基板的热收缩的影响所引起的弯曲，能够进行半导体基板的精密的切割。
[0014]根据本实用新型，通过利用绝缘性树脂膜保护半导体基板，能够防止半导体基板与外部导体接触，而导致噪声(电流)经由半导体基板流入。
【附图说明】
[0015]图1是实施方式所涉及的ESD保护器件的主视剖面图。
[0016]图2A是表示形成在Si基板的ESD保护电路的平面构成的图。
[0017]图2B是ESD保护电路的电路图。
[0018]图3A是表示在ESD保护器件中流动的电流路径的图。
[0019]图3B是表示在ESD保护器件中流动的电流路径的图。
[0020]图4是表示在绝缘性树脂膜为热塑性的情况下的ESD保护器件的切断部分的示意图。
[0021]图5是形成多层绝缘性树脂膜的情况下的ESD保护器件的剖面图。
[0022]图6是实施方式所涉及的ESD保护器件的其它例子的主视剖面图。
[0023]图7A是表示实施方式所涉及的ESD保护器件的连接例的图。
[0024]图7B是表示实施方式所涉及的ESD保护器件的连接例的图。
【具体实施方式】
[0025]图1是本实施方式所涉及的ESD保护器件的主视剖面图。ESD保护器件1是CSP(Chip Size Package:芯片尺寸封装)类型的器件，在构成有包括二极管以及齐纳二极管的ESD保护电路10A的Si基板10上形成有包括多个树脂层等的再配线层20。Si基板10相当于本实用新型所涉及的半导体基板，但本实用新型所涉及的半导体基板并不局限于Si基板，也可以是GaAs基板等。
[0026]图2A是表示形成在Si基板10的ESD保护电路10A的平面构成的图，图2B是ESD保护电路10A的电路图。Si基板10为p型基板，在其表面形成有p型外延层，在该p外延层内按顺序形成有η阱、ρ阱，由这些阱和ρ型扩散层或者η型扩散层在Si基板10形成二极管以及齐纳二极管。
[0027]在本实施方式中，在Si基板10的表面形成有二极管Dla、Dlb、D3a、D3b。而且，在Si基板10的厚度方向上形成有二极管D2、D4以及齐纳二极管Dz。这些各元件形成图2B所示的电路。此外，在图2B中，将二极管Dla、Dlb表示为一个二极管D1，将二极管D3a、D3b表不为一个二极管D3。
[0028]所形成的二极管D1、D2以正向一致的方式串联连接，二极管D3、D4以正向一致的方式串联连接。另外，串联连接的二极管D1、D2以及二极管D3、D4分别以正向一致的方式与齐纳二极管Dz并联连接。并且，在二极管D1、D4的形成位置之间以及二极管D2、D3的形成位置之间夹设齐纳二极管Dz。所形成的二极管Dla、Dlb与二极管D2的连接点成为ESD保护电路10A的第1输入输出端，并与形成于Si基板10的A1焊盘(以下，称为焊盘。)P1连接。另外，所形成的二极管D3a、D3b与二极管D4的连接点成为ESD保护电路10A的第2输入输出端，并与形成于Si基板10的A1焊盘(以下，称为焊盘。)P2连接。焊盘P1、P2相当于本实用新型所涉及的第1金属膜以及第2金属膜。
[0029]形成在Si基板10的表层的再配线层20包括以覆盖焊盘Pl、P2的一部分而形成于Si基板10的表面的SiN保护膜(未图示)和覆盖SiN保护膜的树脂层21。SiN保护膜通过溅射而形成，树脂层21通过环氧类(或者聚酰亚胺类)阻焊剂的旋涂而形成。在SiN保护膜以及树脂层21上形成有使焊盘P1、P2的一部分露出的开口(接触孔)。
[0030]在该接触孔以及该接触孔周边区域形成有由Ti以及Cu构成的层，该层构成层间配线21A、21B。在层间配线21A、21B层的表面的一部分形成有由Cu构成的柱状的层内电极22A、22B。层内电极22A、22B立在由环氧类(或者聚酰亚胺类)树脂构成的树脂层23中。
[0031]在层内电极22A、22B的表面形成有Ni/Au或者Ni/Sn等金属电镀膜23A、23B。金属电镀膜23A、23B与层内电极22A、22B导通。ESD保护器件1被安装于母板，从而该金属电镀膜23A、23B成为向印刷线路板等母板的连接面侧。另外，在本实施方式中，金属电镀膜23A与母板的信号线用端子电极连接，金属电镀膜23B与接地用端子电极连接。
[0032]通过在Si基板10的背面(与形成有再配线层20的面相反侧的面)例如涂覆具有1ΜΩ._的电阻率的环氧树脂等阻焊剂，来形成绝缘性树脂膜30。通过形成绝缘性树脂膜30，能够防止来自外部的电流对ESD保护器件1带来影响。以下，使用图2以及图3，与ESD保护器件1的动作原理一起进行说明。
[0033]图3A以及图3B是表示在ESD保护器件1中流动的电流路径的图。此外，在图3A中，再配线层20的图示省略。
[0034]如上述那样，与ESD保护电路10A的第1输入输出端连接的焊盘P1与信号线连接，与第2输入输出端连接的焊盘P2与接地连接。从信号线向焊盘P1输入的浪涌电流，如图3A以及图3B的虚线路径所示那样，从二极管D1、齐纳二极管Dz通过二极管D4流向焊盘P2。而且，从焊盘P2向与ESD保护器件1连接的母板的接地放电。
[0035]如上述那样，ESD保护电路10A的各元件形成于ρ型基板的Si基板10。因此，若假设不形成绝缘性树脂膜30，且外部导体与ESD保护器件1的Si基板10接触，则有可能从该外部导体向Si基板10流入电流lout。该情况下，如图3B所示，有可能电流lout从二极管D2、D4向焊盘P1、P2流入，再从那儿流入信号线。该情况下，使来自信号线的浪涌电流向接地放电这样的ESD保护器件1的功能遭到损害。根据本实用新型，通过在Si基板10形成绝缘性树脂膜30，能够防止电流lout流入Si基板10