技术特征：
技术总结
本发明涉及在FINFET SRAM阵列中减少鳍片宽度以减轻低电压带位故障的方法，其中，一减少集成电路中的鳍片宽度的方法包括氧化鳍片阵列中的至少一鳍片的暴露部分导致至少一鳍片的暴露部分的宽度减少。在氧化期间，第一硬掩模可设置在鳍片阵列上面，除了至少一鳍片的暴露部分以外。第二硬掩模可选地设置于在第一硬掩模下面的鳍片阵列上面，且在至少一鳍片的暴露部分的氧化期间，覆盖至少一鳍片的暴露部分的一部分。氧化至少一鳍片的暴露部分可发生于在形成浅沟槽隔离(STI)于该鳍片阵列中的数对鳍片间前，在形成STI于该鳍片阵列的数对鳍片间后，及/或在取代金属栅极工艺期间于移除虚拟栅极后。
技术研发人员：张晓强;臧辉;R·R·坦卡勒克什米;兰迪·W·曼
受保护的技术使用者：格芯公司
技术研发日：2018.05.24
技术公布日：2018.12.07