技术特征：
技术总结
一种包括磁性随机存取存储器的半导体装置。磁性随机存取存储器包括多个磁性随机存取存储器单元。多个磁性随机存取存储器单元包括第一类型磁性随机存取存储器单元及第二类型磁性随机存取存储器单元。每个磁性随机存取存储器单元中包括磁性隧道结层，磁性隧道结层包括被钉扎磁性层、隧穿势垒层及自由磁性层。第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的尺寸不同。在一或多个以上及以下实施例中，第一类型与第二类型磁性随机存取存储器单元的磁性隧道结膜堆叠的宽度不同。
技术研发人员：曾皇文;吴正洲;张哲睿
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.05.28
技术公布日：2019.05.17