技术特征：
技术总结
本发明公开了一种背照单光子雪崩二极管图像传感器，包括传感器晶片垂直堆叠在一个电路板，该传感器晶片包含一个或多个背照单光子雪崩二极管区域，每个区域包括阳极背照单光子雪崩二极管值梯度层，相邻的背照单光子雪崩二极管区前表面阴极区和阳极雪崩层放置在阴极区，每个背照单光子雪崩二极管区连接至电源和输出电路在电路板通过晶圆间的连接器，深槽隔离元件是用来提供背照单光子雪崩二极管区光电隔离。本发明能够解决现有技术中形成雪崩光电二极管阵列方法繁琐、噪声大及功率消耗大的问题。
技术研发人员：缪文球
受保护的技术使用者：江苏云之尚节能科技有限公司
技术研发日：2018.06.16
技术公布日：2018.12.11