功率半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。

技术研发人员：李述洲;王兴龙;徐向涛;刘道广;万欣;晋虎
受保护的技术使用者：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
技术研发日：2018.06.22
技术公布日：2018.10.12