技术特征：
技术总结
本申请提供了一种射频开关电路结构，包括场效应晶体管、N个漏源电阻和N‑1个连接电阻；所述N个漏源电阻串联后两端连接所述场效应晶体管的漏极和源极；所述N‑1个连接电阻的一端分别连接所述场效应晶体管的N个栅极之间，所述N‑1个连接电阻的另一端分别连接串联后的所述N个漏源电阻之间。本申请通过在漏源电阻之间的连接端与场效应晶体管栅极之间的引出接触点之间增加连接电阻，能够稳定节点电压，降低漏源节点产生的射频损耗，改善线性度；并且利用该电路结构可以检测射频开关在制造过程中而产生的坏栅现象，避免产生不必要的失误。基于该射频开关电路结构，本申请还提供一种坏栅检测方法。
技术研发人员：钟立平;张志浩;李瑞辉;刘祖华;章国豪
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2018.06.27
技术公布日：2018.09.21