技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了一种晶体管栅极的制备方法和晶体管结构。方法包括：提供衬底，衬底定义有源极区和漏极区；形成栅氧化层，第一多晶硅层，第一隔离氧化层，第二多晶硅层；对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行掺杂，以使形成栅极预处理结构；以及进行高温退火，以使掺杂的第一多晶硅层和掺杂的第二多晶硅层的晶粒在受到第一隔离氧化层的隔开限制下同时且个别地生长形成为再结晶的第一导电硅层和第二导电硅层，并使第一导电硅层和第二导电硅层导通；依次形成导电层和介质层；形成保护层且遮盖介质层位于源极区和漏极区之间的间隔之上的部分；以及自介质层开始向下刻蚀直至露出栅氧化层，再刻蚀掉保护层，形成晶体管栅极。上述方法制备出的晶体管。
技术研发人员：周步康
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.06.28
技术公布日：2018.11.06